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文档简介
1、电磁炉烧保险丝维修 电磁炉烧保险丝大部分为整流桥堆或IGBT烧坏(一般都是击穿损坏且95%是IGBT击穿损坏),下面是IGBT简介:结构 IGBT结构图左边所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+ 区称为源区,附于其上的电极称为源极。P+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区(包括P+ 和P 一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区( Subchannel region )。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区( Drain injector ),它是IGBT 特有的功能区,与漏区和亚
2、沟道区一起形成PNP 双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP 晶体管提供基极电流,使IGBT 导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET ,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后,从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子),对N 一层进行电导调制,减小N 一层的电阻,使IGBT 在高电压时,也具有低的通态电压。工作特性静态特性IGBT 的静
3、态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时,漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它与GTR 的输出特性相似也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ,正向电压由J2 结承担,反向电压由J1结承担。如果无N+ 缓冲区,则正反向阻断电压可以做到同样水平,加入N+缓冲区后,反向关断电压只能达到几十伏水平,因此限制了IGBT 的某些应用范围。IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性
4、相同,当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时,IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内, Id 与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制,其最佳值一般取为15V左右。IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT 处于导通态时,由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管,所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构,但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。此时,通态电压Uds(on) 可用下式表示Uds(on) Uj1 Udr IdRoh式中Uj1 JI 结的正向电压,其值为0.7 1V ;Udr 扩展电阻Rdr 上的压降;Roh
5、沟道电阻。通态电流Ids 可用下式表示:Ids=(1+Bpnp)Imos式中Imos 流过MOSFET 的电流。由于N+ 区存在电导调制效应,所以IGBT 的通态压降小,耐压1000V的IGBT 通态压降为2 3V 。IGBT 处于断态时,只有很小的泄漏电流存在。动态特性IGBT 在开通过程中,大部分时间是作为MOSFET 来运行的,只是在漏源电压Uds 下降过程后期, PNP 晶体管由放大区至饱和,又增加了一段延迟时间。td(on) 为开通延迟时间, tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton 即为td (on) tri 之和。漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2
6、组成。IGBT的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压,栅极电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时,必须基于以下的参数来进行:器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。因为IGBT栅极- 发射极阻抗大,故可使用MOSFET驱动技术进行触发,不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大,故IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET驱动电路提供的偏压更高。IGBT在关断过程中,漏极电流的波形变为两段。因为MOSFET关断后,PNP晶体管的存储电荷难以迅速消除,造成漏极电流较长的尾部时间,td(off)为关断延迟时间,trv为电压Uds(f)的上升时间。实际
7、应用中常常给出的漏极电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成,而漏极电流的关断时间t(off)=td(off)+trv十t(f)式中,td(off)与trv之和又称为存储时间。IGBT的开关速度低于MOSFET,但明显高于GTR。IGBT在关断时不需要负栅压来减少关断时间,但关断时间随栅极和发射极并联电阻的增加而增加。IGBT的开启电压约34V,和MOSFET相当。IGBT导通时的饱和压降比MOSFET低而和GTR接近,饱和压降随栅极电压的增加而降低。正式商用的IGBT器件的电压和电流容量还很有限,远远不能满足电力电子应用技术发展的需求;高压领域的许多应用中,要求器件的电压等级
8、达到10KV以上,目前只能通过IGBT高压串联等技术来实现高压应用。国外的一些厂家如瑞士ABB公司采用软穿通原则研制出了8KV的IGBT器件,德国的EUPEC生产的6500V/600A高压大功率IGBT器件已经获得实际应用,日本东芝也已涉足该领域。与此同时,各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术,主要采用1m以下制作工艺,研制开发取得一些新进展。发展历史1979年,MOS栅功率开关器件作为IGBT概念的先驱即已被介绍到世间。这种器件表现为一个类晶闸管的结构(P-N-P-N四层组成),其特点是通过强碱湿法刻蚀工艺形成了V形槽栅。80年代初期,用
9、于功率MOSFET制造技术的DMOS(双扩散形成的金属-氧化物-半导体)工艺被采用到IGBT中来。2在那个时候,硅芯片的结构是一种较厚的NPT(非穿通)型设计。后来,通过采用PT(穿通)型结构的方法得到了在参数折衷方面的一个显著改进,这是随着硅片上外延的技术进步,以及采用对应给定阻断电压所设计的n+缓冲层而进展的3。几年当中,这种在采用PT设计的外延片上制备的DMOS平面栅结构,其设计规则从5微米先进到3微米。90年代中期,沟槽栅结构又返回到一种新概念的IGBT,它是采用从大规模集成(LSI)工艺借鉴来的硅干法刻蚀技术实现的新刻蚀工艺,但仍然是穿通(PT)型芯片结构。4在这种沟槽结构中,实现了
10、在通态电压和关断时间之间折衷的更重要的改进。硅芯片的重直结构也得到了急剧的转变,先是采用非穿通(NPT)结构,继而变化成弱穿通(LPT)结构,这就使安全工作区(SOA)得到同表面栅结构演变类似的改善。这次从穿通(PT)型技术先进到非穿通(NPT)型技术,是最基本的,也是很重大的概念变化。这就是:穿通(PT)技术会有比较高的载流子注入系数,而由于它要求对少数载流子寿命进行控制致使其输运效率变坏。另一方面,非穿通(NPT)技术则是基于不对少子寿命进行杀伤而有很好的输运效率,不过其载流子注入系数却比较低。进而言之,非穿通(NPT)技术又被软穿通(LPT)技术所代替,它类似于某些人所谓的“软穿通”(S
11、PT)或“电场截止”(FS)型技术,这使得“成本性能”的综合效果得到进一步改善。1996年,CSTBT(载流子储存的沟槽栅双极晶体管)使第5代IGBT模块得以实现6,它采用了弱穿通(LPT)芯片结构,又采用了更先进的宽元胞间距的设计。目前,包括一种“反向阻断型”(逆阻型)功能或一种“反向导通型”(逆导型)功能的IGBT器件的新概念正在进行研究,以求得进一步优化。IGBT功率模块采用IC驱动,各种驱动保护电路,高性能IGBT芯片,新型封装技术,从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展,其产品水平为12001800A/180033
12、00V,IPM除用于变频调速外,600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB,用于舰艇上的导弹发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB,大大降低电路接线电感,提高系统效率,现已开发成功第二代IPEM,其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热点。现在,大电流高电压的IGBT已模块化,它的驱动电路除上面介绍的由分立元件构成之外,现在已制造出集成化的IGBT专用驱动电路.其性能更好,整机的可靠性更高及体积更小。输出特性与转移特性IGBT与MOSFET的对比MOSEFT全称功率场效
13、应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。主要优点:热稳定性好、安全工作区大。缺点:击穿电压低,工作电流小。IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz。模块简介IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写,IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFE
14、T,输出极为PNP晶体管,它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用,在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOS 截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件,在它的栅极
15、发射极间施加十几V的直流电压,只有在uA级的漏电流流过,基本上不消耗功率。等效电路IGBT模块的选择IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时,所产生的额定损耗亦变大。同时,开关损耗增大,使原件发热加剧,因此,选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时,由于开关损耗增大,发热加剧,选用时应该降等使用。使用中的注意事项由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到2030V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之
16、一。因此使用中要注意以下几点:在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动端子部分,当必须要触摸模块端子时,要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后,再触摸;在用导电材料连接模块驱动端子时,在配线未接好之前请先不要接上模块; 尽量在底板良好接地的情况下操作。在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压,但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合,也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此,通常采用双绞线来传送驱动信号,以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。此外,在栅极发射极间开路时,若在集电极与发射极间加上电压,则随着集电极电位的变化,由于集电极有漏电流流过,栅极电
17、位升高,集电极则有电流流过。这时,如果集电极与发射极间存在高电压,则有可能使IGBT发热及至损坏。在使用IGBT的场合,当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态),若在主回路上加上电压,则IGBT就会损坏,为防止此类故障,应在栅极与发射极之间串接一只10K左右的电阻。在安装或更换IGBT模块时,应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻,最好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇,当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热,而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查,一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器
18、,当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。保管时的注意事项一般保存IGBT模块的场所,应保持常温常湿状态,不应偏离太大。常温的规定为535 ,常湿的规定在4575左右。在冬天特别干燥的地区,需用加湿机加湿; 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合;在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象,因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方;保管时,须注意不要在IGBT模块上堆放重物; 装IGBT模块的容器,应选用不带静电的容器。IGBT模块由于具有多种优良的特性,使它得到了快速的发展和普及,已应用到电力电子的各方各面。因此熟悉IGBT模块性能,了解选择及使用时的注意事项对实际中的应用是
19、十分必要的。 IGBT的判断1、 判断极性首先将万用表拨在R×1K挡,用万用表测量时,若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大,则判断此极为栅极(G )。其余两极再用万用表测量,若测得阻值为无穷大,调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中,则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。2、 判断好坏将万用表拨在R×10K挡,用黑表笔接IGBT 的集电极(C),红表笔接IGBT 的发射极(E),此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极(G)和集电极(C),这时IGBT 被触发导通,万用表的指
20、针摆向阻值较小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极(G)和发射极(E),这时IGBT 被阻断,万用表的指针回零。此时即可判断IGBT 是好的。3、 注意事项任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时,一定要将万用表拨在R×10K挡,因R×1K挡以下各档万用表内部电池电压太低,检测好坏时不能使IGBT 导通,而无法判断IGBT 的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。 在电磁炉的维修中,功率管的损坏占有相当大的比例,若没词条图册更多图册有查明故障原因就贸然更换功率管,会引起再次
21、损坏 IGBT损坏原因原因一:0.3uf/1200v谐振电容,5uf/400v滤波损坏或容量不足。 在电磁炉中,若0.3uf谐振电容,5uf滤波电容容量变小,失效或特性不良,将导致电磁炉LC振荡电路频率偏高,从而引起IGBT管的损坏,经查其他电路无异常时,我们必须将这两个电容一起更换。 原因二:IGBT管激励电路异常 振荡电路输出的脉冲信号不能直接控制IGBT管饱和,导通,截止,必须通过激励电路脉冲信号放大来完成,如果激励电路出现问题,高电压就会加到IGBT管的G极,导致IGBT管瞬
22、间击穿,常见为驱动管S8050,S8550连带损坏。 原因三:同步电路异常 同步电路在电磁炉的主要作用是保证加到IGBT管的G极上的开关脉冲前沿与IGBT管上的VCE脉冲后沿同步,当同步电路工作异常时,导致IGBT管瞬间击穿损坏。 原因四:18V工作电压异常 在电磁炉中,当18V工作电压异常时会使IGBT管激励电路,风扇散热系统及LM339工作异常,导致IGBT管上电瞬间损坏。 原因五:散热系统异常 电磁炉工作在大电流状态下,其发热量大,如果散热系统出现故障会导致IGBT管过热损坏。 原因六:单片机异常 单片机内部
23、异常会因工作频率异常而烧毁IGBT管 原因七:VCE检测电路异常 VCE检测电路将IGBT管的集电极上的脉冲电压通过电阻分压,取样获得其取样电压,此电压变化的信息送人CPU,CPU监测该电压的变化,发出各种相应指令,当VCE检测电路异常时,VCE脉冲幅度值超过IGBT的极限值,从而导致IGBT 的损坏 原因八:用户锅具变形或锅底凹凸不平电路板烧IGBT或保险丝的维修程序电流保险丝或IGBT烧坏,不能马上换上该零件,必须确认下列其它零件是在正常状态时才能进行更换,否则,IGBT和保险丝又会烧坏。 一、电路板烧IGBT或保
24、险丝的维修程序 保险丝或IGBT烧坏,不能马上换上该零件,必须确认下列其它零件是在正常状态时才能进行更换,否则,IGBT和保险丝又会烧坏。这样付出的代价就大了。 1检查保险丝是否烧断 2检测IGBT是否击穿: 用万用表二极管档测量IGBT的“E”;“C”;“G”三极间是否击穿短路。 A:“E”极与“G”极;“C”极与“G”极,正反测试均不导通(正常)。
25、160; B:万用表红笔接”E“极,黑笔接“C”极有0.4V左右的电压降(型号为GT40T101三极全不通)。 3测量互感器是否断脚,正常状态如下: 用万用表电阻档测量互感器次级电阻约80;初极为0。 4整流桥是否正常(用万用表二极管档测试): A:数字万用表红笔接“-”,黑笔接“+”有0.9V左右的电压降,调反无显示。 B:万用表红笔接“-”,
26、黑笔分别接两个输入端均有0.5V左右的电压降,调反无显示。 C:万用表黑笔接“+”,红笔分别接两个输入端均有0.5V左右的电压降,调反无显示。 5检查电容C301;C302;C303;是否受热损坏。(如果损坏已变形或烧熔) 6检测芯片8316是否击穿: 测量方法:用万用表测量8316引脚,要求1和2;1和4;7和2;7和4之间不能短路。 7IGBT处热敏开关绝缘保护是
27、否损坏。按键动作不良的检测测量CPU口线是否击穿: 二、按键动作不良 用万用表二极管档测量CPU极与接地端,均有0.7V左右的电压降,万用表红笔接“地”;黑笔接“CPU每一极口线”。否则,说明CPU口线击穿。 三、功率不能达到到要求 1线圈盘短路:测试线圈盘的电感量:PSD系数为L=157±5µH,PD系列为L=140±5µH。 &
28、#160; 2锅具与线圈盘距离是否正常。 3锅具是否是指定的锅具。 四、检查各元气件是否松动,是否齐全。 装配后不良状况的检查: 1.不加热:检查互感器是否断脚。 2.插电后长鸣:检查温度开关端子是否接插良好。 3.无法开机:检查热敏电阻端子是否接插良好。 4.无小物
29、检知(不报警):检查电阻R301R307是否正常。 R301R302为68K R303R306为130K R307为3.0K 5.风扇不转;检查三极管Q2是否烧坏。(一般烧坏三极管引脚跟部已发黄;也可用万用表二极管档测量) 在锅底产生的涡流不能均匀的使变形的锅具加热,从而锅底温度传感器检测失常,CPU因检测不到异常的温度而继续加热,导致了IGBT 的损坏。试机 ()首先将电磁炉的电
30、源串联一个灯泡(150W-200W最好200W)不放锅开机200W灯泡不亮,自检通过,然后将电磁炉火候调到小档位后再放锅灯泡有规律的一亮一暗(注意亮度很高,且能够正常工作,会有加热的声音),拿走锅,灯泡即灭不亮不闪烁。将电磁炉火候调到最高后放锅灯泡会突然亮起不闪烁然后电磁炉会因为电压功率不够自动停机,会伴随有滴滴滴滴滴的声音(灯泡恢复不亮)然后关机。这样电磁炉是正常的。请各位爱好维修的同志们,分享一下维修知识 (二)用40-60w灯泡,并在谐振电容两端,不接线盘,通电,开机,如灯不亮,并伴有电子开关的声音,就可以接线盘加热了,如灯一通电就亮,主电源有短路,如开机后滴一下灯亮一下,一般
31、谐振电容,对管,339,和pwm脉冲有问题 。 在交流220v上串接一只40或60w灯泡,用来限流.电磁炉面 板,主板,线盘,风扇等均装进外壳並连接.进行下面操作试机, 若出现下列情况表示正常.1: 不接线盘,插上电源,蜂鸣器发出"B"一声,灯泡暗红.2: 接上线盘,开机,灯泡仍暗红,蜂鸣器发出间隔"B","B"声.3: 放锅具,插上电源,灯暗红,开机,灯闪亮一下即转暗红,风扇转而即停,转入待机状态. 断开线
32、盘,在接线盘处接入灯泡,或将灯泡串与线盘,进行下面试机操作,出现下列情况表示正常. 1: 在接线盘处接入灯泡,插上电源,灯泡不亮;开机,灯泡仍不亮,蜂鸣器冹出"B""B"间隔短声.2: 灯泡与线盘串联,插上电源,灯泡不亮,开机,灯泡仍不亮,也不闪,蜂鸣器发出"B""B"间隔短声,风扇转,一分钟后,声消,风扇停,转入待机状态.以上各步均正常,表明电磁炉己经OK! 三: 假负载,代线盘,妙验OK! &
33、#160;将假负载(見附件)接于线盘两端子(线盘拆下),进行下面操作,出现下列情况表示正常1: 插上电源,蜂鸣器发出"B"一声,待机指示灯亮,假负载指示灯不亮,无其它反应.2; 开机,数码管显示相应功率,1_2秒后转显E0並与相应档指示灯及蜂鸣器"B"声,假负载指示灯(4只)同步间隔约1秒闪烁,声响,风扇转动,持续一分钟左右,转入待机状态(即数显及闪烁灯停止闪烁,"B"声消失,风扇停转,只有待机指示灯亮).出现上述情况,验证电路已无故障,整理装机后可正常使用了.
34、60; 各种电磁炉错误代码格兰士电磁炉代码表:II型电磁炉故障代码表(CXXA-X(X)P1II) “”表示灭,“”表示亮。15分钟灯 30分钟灯 45分钟灯 60分钟灯
35、0; 数码显示 故障原因 E0 硬件故障
36、160; E1 IGBT超温 E2 电源过压
37、 E3 电源欠压 E4 炉面传感器开路
38、60; E5 炉面传感器短路 E6 炉面超温
39、 E7 IGBT传感器开路格兰士电磁炉代码表:故障代码 HYP1HNP1HVP1IMP1JMP1系列(II型板) X1YP3X8VP3X6BP3系列E0 电路故障
40、160;电路故障E1 IGBT超温 无锅或锅具材料不合适E2 电源电压过高 电源电压过高(250V)E3 电源电压过低 电源电压过低(180V)E4 炉面传感器开路
41、60; 炉面传感器开路E5 炉面传感器短路 炉面传感器短路E6 炉面超温 炉面超温E7 IGBT传感器开路 IGBT传感器开路E8 IGBT传感器短路
42、; IGBT传感器短路E9 电路故障 IGBT超温万和电磁炉故障对照表:100W灯 E0 断路开路(主传感器坏) 400W灯
43、0; E5 短路(主传感器坏) 800W灯 E3 高压保护
44、 1200W灯 E4 低压保护 1500W灯 E2
45、0; IGBT超温 1900W灯 E6 锅下超温美的电磁炉SF164/174/184/194/204/214对照表:E01
46、60; 断路(主传感器坏) E02 短路(主传感器坏) E03
47、60; 高温(主传感器坏) E04 断路(散热片传感器坏) E05&
48、#160; 短路(散热片传感器坏) E06 高温(散热片传感器坏)
49、 E07 低压保护 E08 高压保护
50、0; E10 干烧保护 E11 主传感器坏康宝电磁炉故障对照表:70度灯
51、0; E1 电压过高或过低 100度灯 E2 锅底传感器开路、短路
52、160; 140度灯 E3 IGBT传感器开路、短路 170度灯 E4
53、 电压过大TCL电磁炉故障对照表:E0 IGBT传感器开路 E1 无锅 E2
54、60; IGBT传感器短路、超温 E3 电压过高 E4 电压过低
55、60;E5 锅底传感器开路、短路 E6 锅超温(干烧保护格力电磁炉故障对照表:E0 电压过低
56、 E1 电压过高 E2 锅底传感器开路 E3 锅底传感器短路
57、 E4 IGBT传感器开路、短路 E5 锅超温(干烧保护)东菱电磁炉故障代码:故障代码 代码保护说明
58、60; 备注说明E0 无锅、或锅具材质不对保护 检锅电路故障E1 电路系统保护 &
59、#160; 系统失灵、干扰故障E2 温度传感器失灵保护 开路或短路故障E3 市电压过高保护 &
60、#160; 市电压保护电路误动作故障E4 市电压过低保护 市电压保护电路误动作故障E5 炉面温度过高保护
61、 炉面控温电路失控故障E6 IGBT功率管过温保护 IBGT控温电路失控故障格兰士电磁炉代码表:A方案的故障代码汇总(原方案CXXA-X(X)P1)E-0 或15分钟定时灯闪亮 电源电压过低造成电机转速过慢或电机风叶脱落;E-1 或30分钟定时灯闪亮
62、;电源电压过高造成电机转速过快或电机卡转;E-2 或45分钟定时灯闪亮 机器内部散热器温度过高或温控器插座脱落;E-3 或60分钟定时灯闪亮 热敏电阻开路或损坏或是连接线脱落。B方案的故障代码汇总(原方案CXXB-IMP1、CXXB-HYP1)E1 IGBT高压保护 一般不出现。
63、160;E2 无锅 锅具位置放置不正或者锅底面积过小。(较多出现,有时会误报警。如果短暂报E2很快恢复加热可以认为正常)。E3 热敏电阻传感器断路 E4 电源电压过压/欠压 即超过限定最高最低工作电压。E
64、5 整机过流 超出设定电流值。 E6 热敏电阻传感器短路 E7 风扇供电故障。
65、60; E8 干烧或者锅体超温保护(超260度)II型电磁炉故障代码表(CXXA-X(X)P1II) “”表示灭,“”表示亮。15分钟灯 30分钟灯 45分钟灯 60分钟灯 数码显示 故障原因
66、160; E0 硬件故障
67、160; E1 IGBT超温
68、 E2 电源过压
69、 E3 电源欠压 E4
70、0; 炉面传感器开路 E5 炉面传感器短路
71、 E6 炉面超温
72、 E7 IGBT传感器开路 &
73、#160; E8 IGBT传感器短路故障代码 HYP1HNP1HVP1IMP1JMP1系列(II型板) X1YP3X8VP3X6BP3系列E0
74、;电路故障 电路故障E1 IGBT超温 无锅或锅具材料不合适E2 电源电压过高 电源电压过高(250V)E3 电源电压过低 电源电压过低(180V)E4
75、60; 炉面传感器开路 炉面传感器开路E5 炉面传感器短路 炉面传感器短路E6 炉面超温 炉面超温E7 IGBT传感器开路
76、 IGBT传感器开路E8 IGBT传感器短路 IGBT传感器短路E9 电路故障 IGBT超温富士宝电磁炉维修手册代码表:第二:故障显示标识:E2:传感器开路及附件。E3:电压过高,测R26、R17是否为2V、R29、CPU变压器是否正常.E4:电压过低R26、R17、R29、CPU变压器是否正常。E5:瓷板温度过高,传感器是否足够散热油。E6:散热片温度过
77、高,温控器CPU是否正常。E7:NTC传感器开路及附件是否正常。澳柯玛C-18C1型电磁灶维修代码表:E0(E-0) 电源电压过低E1(E-1) 电源电压过高E2(E-2) IGBT热敏电阻开路E3(E-3) IGBT热敏电
78、阻短路或温度过高E4(E-4) 炉面热敏电阻开路E5(E-5) 炉面热敏电阻短路或温度过高澳柯玛电磁炉数码管显示故障代码及排除故障(无数码显示的电磁炉不在范围之内)现象 故障原因
79、0; 检修方法 显示E1 炉面温度超过235并持续3S
80、 电磁炉炉面温度冷却后再开机 显示E2 IGBT温度超过85并持续3S 电磁炉内部温度冷却后再开机 显示E3
81、; 检测电流过大 检测电压是否正常或负载是否过大 显示E4 输入电压过低
82、0; 调节电源电压或更换主控板 显示E5 输入电压过高
83、 调节电源电压或更换主控板 显示E6 炉面上热敏电阻短路
84、; 检查线路或更换热敏电阻 显示E7 炉面上热敏电阻断路 检查线路或更换热敏电阻
85、 显示E8 IGBT处的热敏电阻短路 检查线路或更换热敏电阻 显示E9 IGBT处的热敏电阻断
86、路 检查线路或更换热敏电阻 注:线路板为PD版本的机型,增加E0代码,缺少E5、E6、E9代码,E0表示内部故障,E4表示电源欠压/过压,E7表示炉面的热敏电阻断路/开路,E8表示IGBT处的热敏电阻短路/短路。数码管显示故障代码及排除故正夫人电磁炉维修维修代码表:无锅
87、; E1 每隔3秒一声短 5秒后进入待机状态电压过低 E
88、2 每隔3秒一声短 5秒后进入待机状态电压过高 E3 &
89、#160; 每隔3秒一声短 5秒后进入待机状态干烧保护 E4
90、60; 每隔3秒一声短 5秒后进入待机状态IGBT超温 E5 5秒后进入待机状态
91、 TH1开路 E6 不能开机TH2开路 E7
92、 不能开机电流过大 E0 不能开机
93、0; 定时结束 立即关机保温状态
94、0; 间歇工作坂田20LS8系列电磁炉故障代码:E0-过流保护E1-炉面传感器开路,短路保护.E2-1GBT传感器开路,短路保护.E3-电源电压过高过低保护.E8-无锅或锅具不符保护.格兰士C20-H8B故障代码:E0-内部电路出现故障.E1-无锅或锅具不合适.E2-电源电压过高.E3-电源电压过低.E4-炉面传感器开路.E5-炉面传感
95、器短路.E6-炉面温度过高或干烧.E7-1GBT传感器开路.E8-1GBT传感器短路.E9-1GBT传感器温度过高.九阳电磁炉故障代码:E0 内部电路故障E1 无锅或锅具(材质、大小、形状、位置)不合适;E2 机器内部散热不畅或机内温度传感器故障;E3 电网电压过高;E4 电网电压过低;E5
96、60; 陶瓷板温度传感器断裂;E6 锅具发生干烧、锅具温度过高;E8 机器内部潮湿或有脏物造成按键闭合。力邦电磁炉故障代码:E1: 无锅.每隔3秒一声短笛音报警.连续性分钟转入待机.E2: 电源电压过低.两长三短笛音报警.响两次转入待机.(间隔5秒).E3: 电源电压过高.两
97、长四短笛音报警.间隔5秒响一次.E4: 锅超温.三长三短笛音报警.响两次转入待机.(间隔5秒).E6: 锅空烧.两长三短笛音报警.响两次转入待机.(间隔5秒).E0: IGBT超温.四长三短笛音报警.响两次转入待机.(间隔5秒).E7: TH开路(管温传感器).四长五短笛音报警.间隔5秒响一次.E8: TH短
98、路(管温传感器).四长四短笛音报警.间隔5秒响一次.E9: 锅传感器开路.三长五短笛音报警.间隔5秒响一次.EE: 锅传感器短路.三长四短笛音报警.间隔5秒响一次.E5: VCE过高.无声.重新试探启动.定时结束:响一长声转入待机.无时基信号.灯不亮.响两秒停两秒.连续.美联电磁炉自动保护出错屏显代码:E-0 输入电压过低E-1 &
99、#160; 输入电压过高E-2 IGBT温度传感器开路或温度过低保护E-3 IGBT温度传感器短路或温度过高保护E-4 灶面温度传感器开路或温度过低保护E-5 灶面温度传感器短路或温度过高保护三角牌电磁炉故障对照表:电压过低电压过高传感器开路传感器短路炉面传感器开路炉面传感器短路美的电磁炉:火力灯1
100、; 主传感器开路火力灯2 主传感器短路火力灯1、2 &
101、#160; 主传感器高温火力灯3 散热片传感器断路火力灯1、3 散热片传感器短路火力灯2、3
102、; 散热片传感器高温火力灯1、2、3 电压工作保护火力灯4 高电压保护火力灯2、4
103、0; 锅具干烧保护火力灯1、2、4 传感器失效保护九阳JYC-18B故障代码:E0 内部电路故障E1 &
104、#160; 无锅或锅具才质/大小/形状/位置不合适E2 机器内部散热不畅或机内温度传感器故障E3 电网电压过高E4 电网电压过低E5
105、0; 陶瓷板温度传感器断裂E6 锅具发生干烧,锅具温度过高,陶瓷板温度传感器短路苏泊尔电磁炉常见故障代码:E0 内部线路故障E1 无锅具或锅具不适用于电磁炉E3 过载保护(一般是电压高于253V)E4 欠压保护(一般是电压低于175V)E5 传感器开路E6 炉面温度过热保护福田电磁炉代码表:安全保护 锅具检测功能: &
106、#160; 电磁炉在使用过程中,如将锅具移开,蜂鸣器每1.5秒报警一次,显示EO,功率停止输出,30秒内无锅具重新放置于面板上,电磁炉将自动关机。材质不适检测功能:电磁炉使用非铁质或凹凸太大的锅具时,蜂鸣器每1.5秒报警一次,显示E0,无功率输出,30秒后自动关机。小件检测功能: 电磁炉使用锅具小于8CM时,蜂鸣器每1.5秒报警一次,显示EO,无功率输出,30秒自动关机。 两小时无按键操作自动关机:为防止人离开后发生意外,两小时内无按键操作将自动关机。锅底过温保护:
107、160; 当电磁炉检测到锅底温度过高时,功率暂停输出,待温度降下后再继续加热。 高压保护功能: 当电磁炉检测到输入电压超过270V时,显示E3,功率暂停输出,待电压正常后再继续加热。低压保护功能: 当电磁炉检测到输入电压低于170V时,显示E4,功率暂停输出,待电压正常后再继续加热。
108、功率管过温保护: 当电磁炉检测到功率管温度过高时,功率暂停输出,待温度隆下后再继续加热。抗干扰保护: 当电磁炉检测到瞬间输入电压超大型过330V,功率暂停输出,待电压正常驻后再继续加热。 传感器检测功能: 当电磁炉检测到功率管传感器开路或短路时,显示E1,不输出功率;当电磁炉检测到炉面传感开路或短路时,显示E2,不输出功率。奔腾电
109、磁炉的故障显示代码:一、奔腾新款电磁炉PC19N-B,PC19N-C故障显示代码01、IGBT传感器开路时,显示屏显示E002、电磁炉上电无锅时,显示屏显示EI3、IGBT超温时或传感器短路时,显示屏显示E24、电网电压过高时,电磁炉过压保护,显示屏显示E3(260V)5、电网电压过低时,电磁炉欠压保护,显示屏显示E4 (160V)6、电磁炉锅底传感器开路,显示屏显示E57、电磁炉上电干烧时,显示屏显示E6注:有故障后,电磁炉停止工作,故障代码一直显示, 蜂鸣器 “BBBB” 报警10S,只有按 “开关”键才可以进入待机状态(其它按键无效)再按“开关”键重新开机。
110、60; 开机后,延时3分钟再判两个传感器是否开路报警二、奔腾电磁炉PC10N-A故障显示代码1、电网电压过高时,显示板显示E12、电网电压过低时,显示板显示E03、主传感器开路时,显示板显示E34、当IGBT传感器开路和短路时,显示板显示E45、当电磁炉干烧/过热时,显示板显示 E6三、奔腾其它型号电磁炉故障显示代码是相同的1、电磁炉按键短路时,显示屏显示E02、电磁炉主传感器开路时,显示屏显示E13、电磁炉主传感器短路时,显示屏显示E24、电磁炉散热片传感器开路时,显示屏显示E35、电磁炉散热片传感器短路时,显示屏显示E46、电磁炉工作电压过低时,显示屏显示
111、E57、电磁炉工作电压过高时,显示屏显示E68、电磁炉主传感器高温时,显示屏显示E7三洋电磁炉:E0内部电路故障E1无锅或锅具(材质、大小、形状、位置)不合适;E2机器内部散热不畅或机内温度传感器故障;E3电网电压过高;E4电网电压过低;E5陶瓷板温度传感器断裂;E6锅具发生干烧、锅具温度过高万家乐故障代码:E0 内部故障E1 炉面温度过高E2 IGBT温度过高E4 电压过低E5 电压过高E6 锅具传感器 短路E7 锅具传感器开路E8 IGBT传感器短路E9 IGBT传感器开路好妻子电磁炉代码:E0 无锅E2
112、160; 传感器开路或短路E3 电压高(260V)E4 电压不高(170V)E5 防空烧E6 机内温度过高南宁多丽电磁炉:电流过大度灯闪亮电压过低度灯闪亮电压过高度灯闪亮传感器开路或短路度灯闪亮电流信号过零检测度灯闪亮炉面传感器开路或短路火锅灯闪亮炉面干烧引起超温保护保温灯闪亮万和电磁炉故障对照表:100W灯
113、 E0 断路开路(主传感器坏) 400W灯 E5 短路(主传感器坏) &
114、#160; 800W灯 E3 高压保护 1200W灯 E4
115、 低压保护 1500W灯 E2 IGBT超温 1900W灯
116、 E6 锅下超温美的电磁炉SF164/174/184/194/204/214对照表:E01 断路(主传感器坏) E02
117、; 短路(主传感器坏) E03 高温(主传感器坏)
118、160; E04 断路(散热片传感器坏) E05 短路(散热片传感器坏) E06
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