拉晶教程PPT学习教案

1、会计学1拉晶教程拉晶教程课程的主要内容课程的主要内容第1页/共23页第2页/共23页2. 硅单晶的生长硅单晶的生长图1 单晶生长装置概略图2.1 硅单晶的生长装置硅单晶的生长装置 机械部分 电气部分 （1）硬件方面）硬件方面 1.在单晶旋转的同时能上拉 2.软轴驱动部、坩埚移动驱动部 的构造能耐高重量负荷 3.坩埚旋转的同时能够上下移动 4.耐减压、耐高温的构造 5.装置要密封，无漏气等 6.在停电、地震等非常情况有安全对策功能第3页/共23页(2)软件方面软件方面 1.在输入工艺数据后，能自动控制各流程； 2.在单晶等晶过程中具备直径控制、拉晶速度控制的功能。本控制的程序块图表如图2所示直径

2、计测值直径设定值-+P I D 计算P I D 计算引上速度设定值出力引上速度平均值引上速度设定值-+温度设定值出力图2 单晶直径控制和拉速控制程序模块第4页/共23页 2.2 拉晶工艺过程拉晶工艺过程图图3 拉晶基本流程拉晶基本流程第5页/共23页1） 拆拆 炉炉 准备拆炉用品：准备拆炉用品：1.耐高温手套 2.酒精（无水乙醇） 3.无尘布 或绸布（可重复使用） 4.台车 5.穿好工作服，戴好口罩等注意事项：注意事项：1.清理干净（沉积的硅化 物及积硅）2.检查石墨件的使用情况（裂纹，变形，螺丝松动等）3.安装热场要均匀，对称 4.取光孔要对准第6页/共23页2） 装料、熔料装料、熔料 3）

3、 籽晶与熔硅的熔接籽晶与熔硅的熔接a. 温度的稳定（装料量越大，所需时间越长）b. 籽晶的预热（减少籽晶与熔体的温度差，从而减少籽晶中产生的热应力） a. 石英坩埚的检查及安装（是否有孔、气泡、黑点、气泡群或划伤等） b. 多晶硅的安装注意点 c. 掺杂 （确认与工艺单上一致） 4） 引晶引晶 a. 排除籽晶中的位错b. 拉速1-5mm/min 直径3-5mm 长度80-150mm第7页/共23页 5） 放放 肩肩 a.减慢提拉速度减慢提拉速度 （0.5mm） b.降低溶液温度降低溶液温度 （140-160） 6） 转转 肩肩 a.接近预定目标直径时，提高接近预定目标直径时，提高 拉速拉速(提

4、至提至150mm/h） b.为保持液面的不变，转肩时或转肩为保持液面的不变，转肩时或转肩后应开启埚升后应开启埚升第8页/共23页 7） 等径生长等径生长 a.达到目标直径时，能实现直径的自动控制 b.保持晶体的无位错生长 温度梯度（轴向、径向温度梯度不能过大） 难熔固体颗粒、炉尘（坩埚中的熔体中的SiO挥发后，在炉膛气氛中冷却混结成的颗粒）、坩埚起皮后的脱落物等方法：方法：1.调整热场的结构和坩埚在热场中的初始位置，可改变晶体中的温度梯度 2.调节保护气体的流量、压力，调整气体的流向，可以带走挥发物SiO和有害杂质CO气体，防止炉尘掉落c.无位错单晶的判断（111晶向、100晶向）第9页/共2

5、3页 8） 收收 尾尾 （防止位错反延）（防止位错反延） a.逐步缩小晶体的直径直至最后缩小成为一点 提高拉速 升高温度 b.位错反延的距离大约等于生长界面的直径 c.影响单晶的成品率 9） 冷冷 却却 停止石墨加热器的加热，使单晶冷却，此时单晶处于急速冷却状态，需调整冷却速度，防止单晶产生缺陷（内裂，冷却提速60-80mm，后可减至200mm） 冷却时间 单晶直径 剩余埚底料 第10页/共23页单晶生长参数相关单晶特性1.多晶装料量2.杂质种类（掺杂）3.杂质掺杂量4.单晶旋转数5.坩埚旋转数6.初始坩埚位置7.单晶生长速度8.单晶冷却条件1.导电型号（P型或N型）2.电阻率 ( )3.断面

6、内电阻率变化率 ( )4.氧浓度 ( Oi )5.碳浓度 ( Cs )6.单晶缺陷 ( OSF, MD )2.3 拉晶条件和单晶特性拉晶条件和单晶特性a. 晶面晶面 （由籽晶的晶面决定）（由籽晶的晶面决定）第11页/共23页 b. 导电型导电型 代表性掺杂物和导电型 P型掺杂 B（硼） （铝镓铟） N型掺杂 P（磷），Sb（锑），As（砷） c. 电阻率电阻率 单晶在固化时出现掺杂剂的偏析现象，单晶头尾电阻率的变化趋势 降低比例视掺杂剂的分凝系数而定。（杂质浓度与电阻率反比） B 0.8 P 0.35 As 0.3 Sb 0.026 d. 氧浓度氧浓度 石英坩埚 硅溶液 单晶棒 1% 以氧化硅

7、的形式从融液表面蒸发掉 99% 第12页/共23页 e. 碳浓度碳浓度 构成热场的石墨材料构成热场的石墨材料 硅多晶混入单晶中硅多晶混入单晶中 2.4 再加料工艺再加料工艺 提高单晶的生产效率提高单晶的生产效率 再加料的注意事项：再加料的注意事项： 第13页/共23页 2.5 硅晶体的掺杂硅晶体的掺杂 mCsKoWdMNo=目标浓度投料量分凝系数硅的密度阿伏伽德罗常数掺杂元素原子量m合金KoWsiC合金=CsiCsi目标浓度投料量分凝系数掺杂母合金浓度第14页/共23页 例题例题1：需要拉制重掺硼单晶硅，装料量为：需要拉制重掺硼单晶硅，装料量为60Kg，目标电阻率为，目标电阻率为510-3cm

8、,试计算需要掺入高纯硼多少克？试计算需要掺入高纯硼多少克？ 解：解：W=60000g d=2.33g/cm3 Cs=2.011019(从表中查出从表中查出510-3cm对应的杂质浓度值对应的杂质浓度值) M=10.81 （元素周期表（元素周期表 B） No=6.021023 Ko=0.8 2.011019 60000 10.81 M= 11.614g 0.8 2.33 6.021023 例题例题2：装入：装入60kg高纯多晶硅，拉制成高纯多晶硅，拉制成812 cm 的掺磷单晶硅，需要掺入的掺磷单晶硅，需要掺入 610-3cm 的母合金多少克的母合金多少克? 解：以头部为解：以头部为11 cm

9、计算掺杂较有保证，可查表得对应的目标浓度为计算掺杂较有保证，可查表得对应的目标浓度为41014 ，查母合金，查母合金610-3cm对应的浓度为对应的浓度为 C合金合金=1.11019 W=60000g 41014 M = 60000 = 6.85g 0.35 1.1101941014第15页/共23页2.6 埚升速度的计算方法埚升速度的计算方法保持液面在热场中的位置不变保持液面在热场中的位置不变固液界面稳定固液界面稳定有利于单晶生长有利于单晶生长开启埚升开启埚升一定的上升速度（埚升随动）一定的上升速度（埚升随动）埚升随动速度偏小埚升随动速度偏小液面下降液面下降埚升随动速度偏大埚升随动速度偏大液

10、面上升液面上升在相同时间内生长出的单晶质量等于埚升随动补充的液体质量在相同时间内生长出的单晶质量等于埚升随动补充的液体质量合适的埚升随动合适的埚升随动=第16页/共23页计算如下：计算如下：生长出的晶体质量：生长出的晶体质量： s=1/4 2 S ts 式中 S晶体拉速 t生长时间 s固态Si密度：2.33g/cm3 晶体直径补充的液体质量：补充的液体质量： L=1/4 2 S tL 式中 S 埚比随动速度 t生长时间 L液态Si密度：2.5g/cm3 坩埚内径s= L S 2 s = S 2 L 2 即即 S =0.932 S 2 第17页/共23页例：测得例：测得457mm坩埚的内径为43

11、9mm，晶体直径为205mm，当籽晶的提拉速度为1.6mm/min时，坩埚随动应为多少？ 2 205 205解：解： S =0.932 S=0.932 1.6 0.325 （mm/min） 2 439 439 第18页/共23页3. 异常情况及处理方法异常情况及处理方法a. 挂边或搭桥挂边或搭桥原因：1.装料间隙大，增加料的总高度 2.没有装成小山型，坩埚上壁接触硅料较多3.熔料时，没有及时下降埚位或者下降埚位不够后果：拉晶过程中会黏附上很多挥发物，时而会掉入埚中，破坏单晶的生长1.降低埚位（不得降过下限位），转动坩埚，将挂边处转至热场中温 度较高的一方（一般在两边电极的方位）2.升高功率，让

12、挂边处硅料迅速熔化处理方法：注意：防止“跳硅” 第19页/共23页b. 坩埚裂缝坩埚裂缝1.熔料时发现埚裂，立即降温停炉2.拉晶时发现埚裂，视裂纹是否深入液体情况处理方法：降温停炉时，要将坩埚升至最高处，防止结晶时，坩埚炸裂，胀破加热器 后果：烧坏部件，造成重大损失第20页/共23页c. 突然停电、停水突然停电、停水1.瞬间停电（几秒），瞬间停电（几秒），检查恢复停电前的工艺状态，并进行干预，使工艺恢复正常，2.停电时间较长，液面都快结晶，停电时间较长，液面都快结晶，则应先关闭真空泵，并手动摇柄将坩埚下降或转动晶升电机（注意方向），使单晶脱离液面，同时关闭氩气阀（防止正压）及时来电或者长时间不来电，视具体情况具体操作及时来电或者长时间不来电，视具体情况具体操作停水的主要原因：停水的