电工学电子技术《半导体器件》第一部分

1、1/932/933/9314.1 半导体的导电特性半导体的导电特性4/9314.1 半导体的导电特性半导体的导电特性5/936/93共价健共价健价电子价电子7/93价电子价电子空穴空穴8/939/93多余多余电子电子磷原子磷原子在常温下即可变在常温下即可变为自由电子为自由电子失去一个失去一个电子变为电子变为正离子正离子P+10/93B硼原子硼原子空穴空穴11/93练习与思考v14.1.1v14.1.2v14.1.312/93多子的扩散运动多子的扩散运动内电场内电场少子的漂移运动少子的漂移运动浓度差浓度差空间电荷区也称空间电荷区也称 PN 结。结。 +形成空间电荷区形成空间电荷区 扩散的结果使空

2、扩散的结果使空间电荷区变宽。间电荷区变宽。13/93 P接正、接正、N接负接负 PN 结变窄结变窄外电场外电场IF内电场内电场PN+U14/93+U15/93IR+U16/9317/93 结面积小、结电容小、结面积小、结电容小、因此通过的正向电流小，但因此通过的正向电流小，但其高频性能好，故适用于高其高频性能好，故适用于高频和小功率工作，也用作数频和小功率工作，也用作数字电路中的开关元件。字电路中的开关元件。将将PN结加上相应的电极引线和管壳，就成为二极管。结加上相应的电极引线和管壳，就成为二极管。18/93阳极阳极阴极阴极D 结面积大、结电容大、正向结面积大、结电容大、正向电流大，适用于低频

3、整流电路。电流大，适用于低频整流电路。19/9320/93反向击穿反向击穿电压电压U(BR)反向特性反向特性PN+PN+21/9322/9323/9324/9325/93V sin18Itu 26/93tuOOtuRO 解：解： 解：解：二极管起检波作用，二极管起检波作用，除去正尖脉冲。除去正尖脉冲。27/93VA VB, DA优优先导通，先导通， 使使VY= 3V。VB VY ，DB截止，截止， 将将VB与与VY隔离。隔离。 例例3：图示电路中，输入端图示电路中，输入端VA=+3V, VB= 0V，试求，试求输出端输出端 Y 的电位的电位 VY 。设设DA、DB，为理想二极管。为理想二极管。

4、 解：解：VYAB-12V0V+3VDARDBDA 起起箝箝位作用位作用，把，把Y端的电位钳住在端的电位钳住在+3V。DB 起起隔离隔离作用作用。28/93练习与思考v14.3.1-14.3.6v14.3.7-14.3.1029/93 + 30/93UZIZIZM UZ IZO稳定电压稳定电压UZ31/9332/9333/93VV3 .11112050100095. 01134/9335/93ZZZ IUr 36/9337/93练习与思考v14.4.1v14.4.2v14.4.3vP31 A选择题 14.4.1,14.4.238/9339/93(b) 合金型合金型(a) 平面型平面型40/9341/93不论平面型或合金型，都分成不论平面型或合金型，都分成NPN或或PNP三层，因此又把晶体管分为三层，因此又把晶体管分为NPN型和型和PNP型两类，其结构示意图和符号如图所示。型两类，其结构示意图和符号如图所示。当前国内生产的硅管多为当前国内生产的硅管多为NPN型（型（3D系列