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文档简介

1、材料制备技术第四讲：薄膜的制备二、薄膜的化学气相沉积CVDChemical Vapor Deposition1、原理：硫化物、碳氢化合物、有机金属化合物等等，通过热分解、还原，气相化学反应制备薄膜。例： SiH4 Si(固体)+2H2(气体)2、装置图3、金刚石多晶薄膜的制备碳金刚石结构-面心立方点阵晶格常数 a=3.566720 由正四面体构成。正四面体结构非常稳定。其间的碳原子结合非常强。这是金刚石的硬度极大的原因。化学性质：20C时金刚石非常稳定。在真空中或惰性气体中1500C时金刚石开始转变成石墨。氧气中，660C时金刚石表面开始氧化。硝酸钠等氧化剂中，430C时金刚石会被腐蚀。金刚石

2、在高温下与W、Ta、Ti等反应生成碳化物。光学性质：折射率2.417(钠的D线=5893） （与一般玻璃的1.5比较要大很多） 热性质： 室温时热传导率2021W cm/K （铜：4.85 W cm/K ）机械性质：硬度：10摩氏硬度； 蓝宝石9，碳化硅8电性质：电阻率：1016cm直流放电等离子体CVD装置金刚石薄膜的制备CH4+H2 C+2H2在上表的条件下，5*5mm的衬底上生长速度为20微米/小时。薄膜为透明的乳白色金刚石膜。增大放电电流和气体压强，可以获得最高速度150微米/小时的生长速度。微波等离子体CVD装置磁控微波等离子体CVD装置金刚石薄膜的拉曼光谱（a）CH4/H2=2%（b） CH4/H2=0.5% （c）

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