模拟电子技术：ch01-02 二极管及其电路

1、模拟电子技术 半导体器件及其基本应用Ch01-02电子电路分析与设计 2Microelectronics Circuit Analysis and DesignChapter 1 Semiconductor Materials and DiodesChapter 2 Diode CircuitsChapter 3 The Field-Effect TransistorChapter 4 Basic FET AmplifiersChapter 5 The Bipolar Junction TransistorChapter 6 Basic BJT AmplifiersChapter 7 Freq

2、uency ResponseChapter 8 Output Stages and Power Amplifiers2Chapter 9 Ideal Operational Amplifiers and Op-Amp Circuits2Chapter 10 Integrated Circuit Biasing and Active Loads2Chapter 11 Differential and Multistage Amplifiers2Chapter 12 Feedback and Stability2Chapter 13 Operational Amplifier Circuits2C

3、hapter 14 Nonideal Effects in Operational Amplifier Circuits2Chapter 15 Applications and Design of Integrated Circuits(4h)(4h)(10h)基础、重点章较独立的分析任务(4h)(4h)(6h)(8h)(8h)(4h)(共52h)运放内部电路3二极管及其电路、分析Ch1. Semiconductor Materials and Diodes1.1 Semiconductor Materials and Properties1.2 The PN Junction1.4 Diod

4、e Circuits - AC Equivalent Circuit1.3 Diode Circuits - DC Analysis and Models1.5 Other Diode TypesCh2. Diode Circuits2.1 Rectifier Circuits2.2 Zener Diode Circuits2.4 Multiple-Diode Circuits2.3 Clipper and Clamper Circuits2.5 Photodiode and LED Circuits问题1：二极管(PN结)主要特性是什么？其工程描述方法？问题2：二极管电路(非线性)的分析方法

5、?最常用的是？问题3：常用的二极管电路及功能？41.1 Semiconductor Materials and Properties1.1.1 Intrinsic Semiconductors1.1.2 Extrinsic Semiconductors1.1.3 Drift and Diffusion Currents1.1.4 Excess Carriers4价 - 原子结构简化模型Silicon (Si), germanium (Ge), gallium arsenide Valence electronsSemiconductor MaterialsProperties(1) 导电能力容

6、易受环境因素影响（温度、光照等）(2) 掺杂可以显著提高导电能力51.1.1 Intrinsic Semiconductors本征半导体,纯半导体,无杂质半导体 single-crystal SiliconAt T=0K：all valence electrons are bound ; no charge flows insulator1.1 Semiconductor Materials and PropertiesFig1.2 Covalent bonding structureCovalentbondingValenceelectronCovalent band 价带Conductio

7、n band 导带Forbidden Bandgap 禁带隙EgBandgap energySi : Eg=1.1eV;Ge : Eg=0.66eV;Insulator : Eg=36eV;1eV=1.610-19J61.1.1 Intrinsic Semiconductors1.1 Semiconductor Materials and Properties本征激发 GenerationFree electron温度光照GenerationFree electronValence electronGain energy浓度导电能力Empty state, positive charge空位：

8、带正电荷；靠相邻共价键中的价电子依次充填空位来实现电荷移动。取名为：Hole 空穴可自由移动的正电荷；温度 载流子浓度Carrier 载流子: 自由移动带电粒子复合electron-hole recombination 本征激发的逆过程 见1.1.4 Excess Carriers71.1 Semiconductor Materials and Properties1.1.1 Intrinsic Semiconductors1.1.2 Extrinsic Semiconductors1.1.3 Drift and Diffusion Currents1.1.4 Excess Carriers原

9、子结构简化模型Silicon (Si), germanium (Ge), gallium arsenide Valence electronsSemiconductor MaterialsProperties(1) 导电能力容易受环境因素影响（温度、光照等）(2) 掺杂可以显著提高导电能力本征半导体、本征激发自由电子空穴复合81.1.2 Extrinsic Semiconductors1. N型半导体 掺入少量的五价元素磷P2. P型半导体 掺入少量的三价元素硼B 自由电子是多数载流子（简称多子）空穴是少数载流子（简称少子） 空穴是多数载流子自由电子为少数载流子。1.1 Semiconduct

10、or Materials and Properties空间电荷Majority carriersMinority carriersSpace-charge9 掺入杂 质对本征半导体的导电性有很大的影响，一些典型的数据如下: T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: ni = pi = 1.51010/cm31 本征硅的原子浓度: 51022/cm3 3以上三个浓度基本上依次相差106/cm3 。 2掺杂后 N 型半导体中的自由电子浓度: n0 Nd = 11016/cm3 , p0 ni2 /n0 = 2.25104/cm3杂质对半导体导电性的影响101.1 Semiconductor

11、Materials and Properties1.1.1 Intrinsic Semiconductors1.1.2 Extrinsic Semiconductors1.1.3 Drift and Diffusion Currents1.1.4 Excess Carriers原子结构简化模型Silicon (Si), germanium (Ge), gallium arsenide Valence electronsSemiconductor MaterialsProperties(1) 导电能力容易受环境因素影响（温度、光照等）(2) 掺杂可以显著提高导电能力本征半导体、本征激发自由电子空

12、穴复合N型半导体、施主杂质(5价)P型半导体、受主杂质(3价) 多数载流子、少数载流子111.1.3 Drift and Diffusion Currents1.1 Semiconductor Materials and PropertiesDiffusion 扩散运动 浓度差产生的载流子移动Drift 漂移运动 在电场作用下，载流子的移动1.1.4 Excess Carriers扩散运动 浓度差产生的载流子移动载流子的注入12二极管及其电路、分析Ch1. Semiconductor Materials and Diodes1.1 Semiconductor Materials and Pro

13、perties1.2 The PN Junction1.4 Diode Circuits - AC Equivalent Circuit1.3 Diode Circuits - DC Analysis and Models1.5 Other Diode TypesCh2. Diode Circuits2.1 Rectifier Circuits2.2 Zener Diode Circuits2.4 Multiple-Diode Circuits2.3 Clipper and Clamper Circuits2.5 Photodiode and LED Circuits问题1：二极管(PN结)主

14、要特性是什么？其工程描述方法？问题2：二极管电路(非线性)的分析方法?最常用的是？问题3：常用的二极管电路及功能？131.2 The PN Junction1.2.1 The Equilibrium pn JunctionObjective 1.2.2 Reverse-Biased pn Junction1.2.3 Forward-Biased pn Junction1.2.4 Ideal Current-Voltage Relationship1.2.5 pn Junction Diode Temperature Effect Breakdown Voltage Switching Tran

15、sient 问题1：二极管(PN结)主要特性是什么？其工程描述方法？Drift & Diffusion14扩散 漂移1.2.1 The Equilibrium pn Junction 因为浓度差 多子的扩散运动 在P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。 在空间电荷区中缺少多子，所以也称耗尽层。 复合杂质离子形成空间电荷区空间电荷区形成内电场内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散 是宽最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。否问题？ 当动态平衡被外电场打破后，会如何？P-regionN-regionVbi - build-in voltageSpace-charge

16、 regionDepletion region15PN结的单向导电性只有在外加电压时才 扩散与漂移的动态平衡将定义：加正向电压，简称正偏加反向电压，简称反偏 扩散 漂移 大的正向扩散电流（多子） 低电阻 正向导通 漂移 扩散 很小的反向漂移电流（少子） 高电阻 反向截止1.2.2 Reverse-Biased pn Junction1.2.3 Forward-Biased pn Junction161.2.2 Reverse-Biased pn JunctionvRiRvR1. Depletion region is increased, high resistance. 2. Majorit

17、y carriers cannot cross the junction. 3. Minority carriers sweep across PN easily. But: IDF IDR , iD=IDFIDR IDF 外加正向偏置电压 Vbi excess carriers181.2.4 Ideal Current-Voltage Relationship图2.1.8 PN结伏安特性正向特性 反向特性 PN结(二极管)特性描述方法陡峭电阻小正向导通特性平坦反向截止温度一定，由本征激发产生的少子浓度一定PN结方程（理论计算仿真）IS 反向饱和电流VT 温度的电压当量(26mV)伏安特性曲线

18、（对应图解法）191.2.5 pn Junction Diode Temperature Effect Breakdown Voltage Switching Transient 问题1：二极管(PN结)主要特性是什么？其工程描述方法？circuit symbolPhoto of real diode 20图2.2.2 硅二极管的2CP10的伏安特性 图2.2.3 锗二极管2AP15的伏安特性二极管的伏安特性正向特性反向特性反向击穿特性Vth = 0.5V（硅） Vth = 0.1V（锗）注意1. 死区电压（门坎电压）2. 反向饱和电流 (好)硅：0.1A；锗：10A3. PN结方程（近似）2

19、11. 最大整流电流IF 2. 最高反向工作电压VRM 3. 反向电流IR 4. 极间电容Cd5. 最高工作频率fM 二极管的主要参数图2.2.3 锗二极管2AP15的伏安特性IFVRMVBRIR极限 直流 交流 1.2.5 pn Junction Diode22 Temperature Effect1.2.5 pn Junction Diode温度对二极管特性曲线的影响示意图温度升高时 : 正向特性曲线向左移动 温度1，正向压降22.5mV 反向特性曲线向下移动 温度 10，反向电流 一倍 IS and VT are functions of T.23 Breakdown Voltage1.

20、2.5 pn Junction Diode反向击穿倍增效应 雪崩击穿 齐纳击穿 PN结的反向击穿Storage time ts Turn-off time tfWhen forward-bias, excess carrier is stored in both regions. When switching from forward to reverse, it need time to remove. Switching Transient图2.1.10 扩散电容效应热击穿不可逆 电击穿可逆 24(1) 势垒电容CB (2) 扩散电容CD PN结电容 用来描述势垒区的空间电荷随外加电压变化

21、而变化的电容效应势垒电容CB 图2.1.9 势垒电容与外加电压关系图2.1.10 扩散电容效应 多数载流子的扩散运动是形成扩散电容的主要因素 Switching Transient 251.2 The PN Junction1.2.1 The Equilibrium pn JunctionObjective 1.2.2 Reverse-Biased pn Junction1.2.3 Forward-Biased pn Junction1.2.4 Ideal Current-Voltage Relationship1.2.5 pn Junction Diode Temperature Effec

22、t Breakdown Voltage Switching Transient 问题1：二极管(PN结)主要特性是什么？其工程描述方法？Drift & Diffusion26二极管及其电路、分析Ch1. Semiconductor Materials and Diodes1.1 Semiconductor Materials and Properties1.2 The PN Junction1.4 Diode Circuits - AC Equivalent Circuit1.3 Diode Circuits - DC Analysis and Models1.5 Other Diode Ty

23、pesCh2. Diode Circuits2.1 Rectifier Circuits2.2 Zener Diode Circuits2.4 Multiple-Diode Circuits2.3 Clipper and Clamper Circuits2.5 Photodiode and LED Circuits问题1：二极管(PN结)主要特性是什么？其工程描述方法？问题2：二极管电路(非线性)的分析方法?最常用的是？问题3：常用的二极管电路及功能？271.5 Other Diode Types1.5.1 Solar Cell1.5.2 Photodiode1.5.3 Light-Emitt

24、ing Diode1.5.4 Schottky Barrier Diode1.5.5 Zener Diode反向截止状态少子漂移电流特殊材料正向导通发光导通电压较大反向击穿状态变容二极管反向截止状态利用势垒电容见1.2.2 Reverse-Biased 金属N开关速度高阅读资料，不做要求。但必须掌握“齐纳二极管” 。Varactor Diode问题1：二极管(PN结)主要特性是什么？其工程描述方法？28二极管及其电路、分析Ch1. Semiconductor Materials and Diodes1.1 Semiconductor Materials and Properties1.2 Th

25、e PN Junction1.4 Diode Circuits - AC Equivalent Circuit1.3 Diode Circuits - DC Analysis and Models1.5 Other Diode TypesCh2. Diode Circuits2.1 Rectifier Circuits2.2 Zener Diode Circuits2.4 Multiple-Diode Circuits2.3 Clipper and Clamper Circuits2.5 Photodiode and LED Circuits问题1：二极管(PN结)主要特性是什么？其工程描述方

26、法？问题2：二极管电路(非线性)的分析方法?最常用的是？问题3：常用的二极管电路及功能？291.3 Diode Circuits - DC Analysis and Models1.3.0 Ideal Diode1.3.1 Iteration and Graphical Analysis techniques1.3.2 Piecewise Linear Model1.3.3 Computer Simulation and Analysis1.4 Diode Circuits - AC Equivalent Circuit1.3.4 Summary of Diode Models1.4.1 Si

27、nusoidal Analysis1.4.2 Small-Signal Equivalent Circuit问题1：二极管(PN结)主要特性是什么？其工程描述方法？问题2：二极管电路(非线性)的分析方法?最常用的是？301.3.4 Summary of Diode Models非线性分析方法 (PN结方程,复杂)图解分析方法（麻烦、直观）等效电路分析方法(转换为线性)硅二极管的伏安特性理想模型折线模型恒压降模型折线模型问题2：二极管电路(非线性)的分析方法?最常用的是？ 根据不同的工作条件和要求，在分析精度允许的条件下，采用不同的模型来描述非线性元器件的电特性。 1.3.2 Piecewise

28、 Linear Model1.4.2 Small-Signal Equivalent Circuit311.3.0 Ideal Diode先假设D截止开路，则vD = vi 理想模型：vD 0 D导通(短路) VD=0 vD 0 D截止(开路) vD = vivDvO2vO1(a)(b)分析结论：Clippers (Limiter)Rectifier321.3.1 Iteration and Graphical Analysis techniques例1:已知伏安特性,求VD、ID。线性线性: vD = VI - iD R非线性:非线性联立求解，可得VD、ID图解法直线与伏安特性的交点图解法关

29、键画直线又称为负载线vD = 0iD = VI /R=1mAvD = 1ViD =(VI -vD)/R=0.9mA静态工作点QVD0.7VID 0.95mA解问题：若VI = 10V，则交点位于什么位置？331.3.2 Piecewise Linear Model大信号模型：将指数模型分段线性化，得到二极管特性的等效电路。 (1) 理想模型(3) 折线模型(2) 恒压降模型VD = 0.7V（硅） VD = 0.2V（锗）问题2：二极管电路(非线性)的分析方法?最常用的是？问题： 二极管状态判断方法？343种大信号模型分析对比（R=10k）（a）VDD=10V 时（b）VDD=1V 时理想模型

30、恒压模型折线模型理想模型恒压模型折线模型1.3.2 Piecewise Linear Model35二极管分析方法小结（状态判断）假设D截止（开路）求D两端开路电压VD 0.7VD正向导通- VBR VD VT 。 1.4.1 Sinusoidal Analysis43VI = 10V， vi = 1Vsint例2:已知伏安特性,求vD、iD。iD=ID+DiD = 0.95mA+0.1mAsintvD=VD+DvD 0.7V 静态分析 vi=0叠加原理动态分析 VI=0小信号模型(小信号等效电路)1.4.1 Sinusoidal Analysis44例3:(小信号分析) 例2中求vD、iD。

31、VI = 10V， vi = 1Vsint解题步骤:(1) 静态分析 (令vi=0）由恒压降模型得VD0.7V; ID 0.93mA(2) 动态分析 (令VI=0）由小信号模型得1.4.1 Sinusoidal Analysis45小信号工作情况分析模型分析应用举例 图示电路中，VDD = 5V，R = 5k，恒压降模型的VD=0.7V，vs = 0.1sinwt V。（1）求输出电压vO的交流量和总量；（2）绘出vO的波形。 直流通路、交流通路、静态、动态等概念，在放大电路的分析中非常重要。1.4.1 Sinusoidal Analysis461.3 Diode Circuits - DC

32、Analysis and Models1.3.0 Ideal Diode1.3.1 Iteration and Graphical Analysis techniques1.3.2 Piecewise Linear Model1.3.3 Computer Simulation and Analysis1.4 Diode Circuits - AC Equivalent Circuit1.3.4 Summary of Diode Models1.4.1 Sinusoidal Analysis1.4.2 Small-Signal Equivalent Circuit问题1：二极管(PN结)主要特性

33、是什么？其工程描述方法？问题2：二极管电路(非线性)的分析方法?最常用的是？471.4.2 Small-Signal Equivalent Circuit1.4 Diode Circuits - AC Equivalent Circuit1.4.1 Sinusoidal Analysis大信号：理想模型或折线模型(恒压降模型)小信号：先用大信号模型找到静态工作点，再用小信号模型另外，在高频或开关状态运用时，考虑到PN结电容的影响，可以得图3.4.7a所示的PN结高频电路模型，其中rs表示半导体电阻，rd表示结电阻，CD和CB分别表示扩散电容和势垒电容。相比之下，rs通常很小，一般忽略不计，所以

34、图b的电路模型更为常用。结电容Cd包括CD和CB的总效果。当PN结处于正向偏置时，rd为正向电阻，其值较小，Cd主要取决于扩散电容CD ；PN结反向偏置时，rd为反向电阻，其值很大，Cd主要取决于势垒电容CB 。二极管的高频电路模型（a）完整模型 （b）常用模型Chapter 7 Frequency Response48二极管及其电路、分析Ch1. Semiconductor Materials and Diodes1.1 Semiconductor Materials and Properties1.2 The PN Junction1.4 Diode Circuits - AC Equiv

35、alent Circuit1.3 Diode Circuits - DC Analysis and Models1.5 Other Diode TypesCh2. Diode Circuits2.1 Rectifier Circuits2.2 Zener Diode Circuits2.4 Multiple-Diode Circuits2.3 Clipper and Clamper Circuits2.5 Photodiode and LED Circuits问题1：二极管(PN结)主要特性是什么？其工程描述方法？问题2：二极管电路(非线性)的分析方法?最常用的是？问题3：常用的二极管电路及功

36、能？分析任务：求vD、iD 目的1: 确定电路功能，即信号vI传递到vO ，有何变化？ 目的2: 判断二极管D是否安全。画出电压波形或电压传输特性，确定功能及指标49Clipper and Rectifier Circuits先假设D截止开路，则vD = vi Ideal Diode ：vD 0 D导通(短路) VD=0 vD 0 D截止(开路) vD = vivDvO2vO1(a)(b)分析结论：Clippers (Limiter)Rectifier改用恒压降模型修真误差50二极管及其电路、分析Ch1. Semiconductor Materials and Diodes1.1 Semico

37、nductor Materials and Properties1.2 The PN Junction1.4 Diode Circuits - AC Equivalent Circuit1.3 Diode Circuits - DC Analysis and Models1.5 Other Diode TypesCh2. Diode Circuits2.1 Rectifier Circuits2.2 Zener Diode Circuits2.4 Multiple-Diode Circuits2.3 Clipper and Clamper Circuits2.5 Photodiode and

38、LED Circuits问题1：二极管(PN结)主要特性是什么？其工程描述方法？问题2：二极管电路(非线性)的分析方法?最常用的是？问题3：常用的二极管电路及功能？分析任务：求vD、iD 目的1: 确定电路功能，即信号vI传递到vO ，有何变化？ 目的2: 判断二极管D是否安全。画出电压波形或电压传输特性，确定功能及指标512.3.1 Clippers2.3 Clipper and Clamper Circuits(a) Parallel-based clipper(b) Series-based clipper?(c) Double limiter52 二极管钳位电路2.3.2 Clampe

39、rs(a) Parallel-based clipperKVL: vO = vD = vI vC设电容初值 vC = 0则 vI 0时D导通，C充电 vI 0 (VD(on)vS 0vS VD(on)、V582.1.2 Full-Wave Rectification2.1.1 Half-Wave Rectificationv2vovot2340vD半波整流全波整流全波桥式整流2.1 Rectifier CircuitsD导通D截止D1导通D2导通D1, D3导通D2, D4导通？信号处理：绝对值59桥式整流电路v1v2TD4D2D1D3RLvo+-+RLD1D4D2D3v2vov2vo+-D1

40、 ,D3导通D2 ,D4导通60单相整流电路的性能指标(1) 直流电压VL （输出平均电压）(3) 纹波系数(4) 二极管平均整流电流 IF(5) 二极管承受的最大反向电压 VBR选择变压器: 匝数比、线径选择二极管:(2) 直流电流IL （输出平均电流）性能参数:v2vD1vot2340D1, D3导通D2, D4导通61利用桥式整流电路实现正、负电源622.1 Rectifier Circuits(b) Series-based clippervO2小功率直流电源的结构图和转换过程电源变压器 v1 v2 整流电路vR 滤波电路vF 稳压电路VO tv2tvRtvFtVOtv1交流电网电压2

41、.1.1 Half-Wave Rectification2.1.2 Full-Wave Rectification2.1.3 Filters, Ripple Voltage and Diode Current分析任务：求vD、iD(1) v2有效值直流电压VO 的关系?(2) 判断二极管D是否安全?电路性能改进：转换效率、输出电压的纹波减小632.1.3 Filters, Ripple Voltage and Diode Current(1) 电容滤波原理u1v2v1bD4D2D1D3RLvoSCv2tvot注意！电容方向?RL未接入忽略整流电路内阻RintRL接入v2 vc :vc充 = R

42、intC二极管中的电流（脉冲波）64(2) 电容滤波的特点v2tvotRL未接入忽略整流电路内阻RintRL接入v2 vc :vc充 = RintCA. 二极管的导电角 ，流过二极管的瞬时电流很大，选23倍IO。B. 负载直流平均电压 VO 升高d = RLC 越大， VO 越高C. 直流电压 VL 随负载电流增加而减小当 d （3 5） 时，VO = ( 1.1 1.2 )V22.1.3 Filters, Ripple Voltage and Diode Current65二极管及其电路、分析Ch1. Semiconductor Materials and Diodes1.1 Semicon

43、ductor Materials and Properties1.2 The PN Junction1.4 Diode Circuits - AC Equivalent Circuit1.3 Diode Circuits - DC Analysis and Models1.5 Other Diode TypesCh2. Diode Circuits2.1 Rectifier Circuits2.2 Zener Diode Circuits2.4 Multiple-Diode Circuits2.3 Clipper and Clamper Circuits2.5 Photodiode and L

44、ED Circuits问题1：二极管(PN结)主要特性是什么？其工程描述方法？问题2：二极管电路(非线性)的分析方法?最常用的是？问题3：常用的二极管电路及功能？分析任务：求vD、iD 目的1: 确定电路功能，即信号vI传递到vO ，有何变化？ 目的2: 判断二极管D是否安全。画出电压波形或电压传输特性，确定功能及指标2.1.1 Half-Wave Rectification2.1.2 Full-Wave Rectification2.1.3 Filters, Ripple Voltage and Diode Current2.1.4 Detectors2.1.5 Voltage Double

45、r Circuit9.5.6 Nonlinear Circuit Application66带有电容的二极管电路2.1.3 Filters, Ripple Voltage and Diode Current2.1.4 Detectors2.1.5 Voltage Doubler Circuit2.3.2 Clampers67二极管及其电路、分析Ch1. Semiconductor Materials and Diodes1.1 Semiconductor Materials and Properties1.2 The PN Junction1.4 Diode Circuits - AC Equ

46、ivalent Circuit1.3 Diode Circuits - DC Analysis and Models1.5 Other Diode TypesCh2. Diode Circuits2.1 Rectifier Circuits2.2 Zener Diode Circuits2.4 Multiple-Diode Circuits2.3 Clipper and Clamper Circuits2.5 Photodiode and LED Circuits问题1：二极管(PN结)主要特性是什么？其工程描述方法？问题2：二极管电路(非线性)的分析方法?最常用的是？问题3：常用的二极管电路

47、及功能？分析任务：求vD、iD 目的1: 确定电路功能，即信号vI传递到vO ，有何变化？ 目的2: 判断二极管D是否安全。画出电压波形或电压传输特性，确定功能及指标2.1.1 Half-Wave Rectification2.1.2 Full-Wave Rectification2.1.3 Filters, Ripple Voltage and Diode Current2.1.4 Detectors2.1.5 Voltage Doubler Circuit9.5.6 Nonlinear Circuit Application68基本要求问题1：二极管(PN结)主要特性是什么？其工程描述方法

48、？掌握PN结的单向导电性、 I-V特性、PN结方程问题2：二极管电路(非线性)的分析方法?最常用的是？分段线性的分析方法，关键是工作状态判断恒压降模型问题3：常用的二极管电路及功能？掌握二极管（包括稳压管）的基本应用及基本应用电路 二极管及其电路、分析Ch1. Semiconductor Materials and DiodesCh2. Diode Circuits69微电子电路分析与设计第1章 半导体材料和二极管第2章 二极管电路第3章 场效应晶体管第4章 基本FET放大器第5章 双极型晶体管第6章 基本的BJT放大器第7章 频率响应第8章 输出级和功率放大器第9章 理想运算放大器及运放电路第10章 集成电路偏置技术和有源负载第11章 差分放大器和多级放大器第12章 反馈及其稳定性第13章 运算放大器电路第14章 运算放大器电路的非理想效应第15章 集成电路的应用和设计第2部分 模拟电子技术第1部分 半导体器件及其基本应用70第1章 半导体材料和二极管1.1 半导体材料及其特性1.2 PN结1.3 二极管电路直流分析及模型1