大连理工-康仁科-863课题

1、技术领域名称：先进制造技术领域项目名称：超精密加工技术与装备课题名称：大尺寸平面功能晶体基片 超精密磨削技术与装备申请责任人： 康仁科申请受理编号：SQ2008AA04XK14683800答辩提纲1. 课题简介2. 课题背景3. 国内外发展现状与趋势4. 主要研究内容、技术难点和创新点5. 预期目标、主要技术和经济指标，可获得的成果6. 研究方法、技术路线及可行性分析7. 年度进度及考核指标8. 课题的组织和分工9. 预期研究成果应用前景分析10. 课题依托单位和协作单位情况及其支撑条件11. 经费预算11. 课题简介集成电路制造光电器件制造理论问题、关键技术具有自主知识产权的超精密磨削加工理

2、论、工艺技术和先进装备加工效率精度和表面损伤大尺寸基片平整化和背面减薄加工22 课题背景硅片和光电晶体基片是集成电路和光电器件制造的基础材料。全球90以上的IC采用单晶硅片，每年所需硅片超过1.5亿片。半导体照明等光电器件主要采用蓝宝石、 碳化硅、砷化镓和氮化镓等晶体基片制造。3微电子制造技术发展趋势之一:基片大尺寸化6 inch 8 inch 12 inch 16 inch硅片（Silicon Wafer）尺寸变化蓝宝石基片(Sapphire Wafer)半导体晶圆的尺寸变化为了增大芯片产量，降低芯片单元制造成本，硅片直径越来越大。硅片直径：200mm300mm表面积 225%， 边角损失，

3、 芯片出片率 。单片可载芯片 240%， 器件厂投片数量。硅片成本 24% 芯片成本 37%4微电子制造技术发展趋势之二:高集成化每隔3年，芯片特征线宽缩小1/3，集成度翻两番。对表面精度、表面粗糙度等提出越来越高的要求。年份 Year of Production单位2004200720102013硅片直径，Wafer Diameter mm300300300450特征尺寸, Feature Size, (DRAM 1/2 Pitch)nm90654532局部平整度， Site Flatness, SFQR (site size: 26mm8mm )nm90654532正面粗糙度，front

4、side microroughness, Ranm0.10.10.10.1纳米形貌, Nanotopography, P-V, 2mm diameter analysis area Qnm22161182005年国际半导体技术协会的 ITRS中硅片的主要技术参数5微电子制造技术发展趋势之三：芯片超薄化生产年份200720102013硅片直径 / mm300300450特征线宽 / nm654532减薄厚度(一般用途)/m655040减薄厚度(3D封装用)m201010IC芯片厚度的变化趋势（摘自ITRS 2005Edition）减小芯片封装体积提高3D封装密度提高机械性能提高散热效率和热稳定性

5、提高电性能减小划片加工量厚度50m闪存芯片 1820层芯片3D封装 医学检测芯片厚度10m晶圆制造半导体照明器件的蓝宝石基片由400m减薄到100m以下 要求硅片背面减薄加工6大尺寸硅片和光电晶体基片超精密加工技术的新进展采用微粉金刚石砂轮的超精密磨削技术代替传统研磨成为大尺寸硅片超精密加工的主流技术最有代表性的基片超精密磨削技术硅片旋转磨削方法（Wafer Rotation Grinding Method）7超精密磨削技术的应用磨削磨外圆多线切割单头单片抛光倒圆角抛光片超精密磨削用于基片制备阶段的平整化加工，取代了研磨和腐蚀工序，可减小加工表面损伤深度，大大减少后续抛光的加工量。8超精密磨削

6、技术的应用超精密磨削用于后道制程的硅片背面减薄高效去除硅片背面材料获得低损伤表面甚至实现以磨代抛93. 国内外发展现状与趋势日本茨城大学的Libo Zhou 和P.L. Tsuo 等人对硅片旋转磨削和工作台旋转磨削方法的特点进行了实验对比研究，分析了两种磨削方式下材料去除率、表面粗糙度、磨削力的特点。美国Kansas State University 的Z.J.Pei等人对旋转磨削法超精密磨削硅片过程中加工参数对硅片表面磨痕分布、面型精度、表面粗糙度和亚表面损伤的影响进行了比较系统的研究。3.1 基片超精密磨削理论和技术的研究进展103.2 大尺寸硅片超精密磨削机床的进展 国外的一些大学和公司

7、在理论和技术研究的基础上，开发了先进的超精密磨削装备。 日本Disco公司研制了200mm和300mm硅片DFG8000系列硅片磨床，采用硅片旋转磨削原理，具有粗、精磨两个砂轮主轴，三个操作工位，自动完成硅片的粗磨和精磨加工及清洗和装卸操作 。11全自动超精密磨床日本东京精密公司PG300/PG200系列全自动磨床 日本Okamoto公司GNX300型硅片磨床 美国Strasbaugh公司7AF型硅片磨床 德国 G&N公司NANOGRINDER/4 和Multi-Nano 全自动硅片纳米磨床123.3 大尺寸硅片超精密磨削机床发展趋势国外先进硅片超精密磨床的特点：“多主轴、多工位”的集成化设计

8、，可进行粗磨和精磨加工，并完成吸盘修整、硅片对准、清洗、烘干和装卸等操作；控制系统具有加工参数设置、过程控制与检测以及磨削过程仿真等功能；采用传输机器人完成硅片在不同加工和操作工位的定位和传输，实现在加工过程中自动化。 为不断满足大直径硅片的高效率、高质量、低成本的生产要求，硅片超精密磨床研制向高精度化、多功能化、高集成化和高自动化的方向发展。133.4 存在问题国外现有的硅片磨床大都没有磨削力检测系统，有些只采用主轴功率检测磨削过程，检测精度和灵敏度较差。磨床在粗、精磨削阶段大都采用恒进给速度磨削，而且加工余量和进给速度根据经验设定，也不能实现磨削过程自适应控制。磨削效率和磨削表面损伤的矛盾

9、是硅片加工技术面临的突出问题，如何通过磨削过程自适应控制和工艺参数优化实现高效低损伤磨削是需要研究的问题。143.5 国内现状及存在问题国内对硅片超精密加工技术和装备的研究起步较晚。哈尔滨工业大学、天津大学和广东工业大学等单位对小尺寸单晶硅、蓝宝石等功能晶体的超精密磨削机理和工艺技术进行了一些研究，但尚未开展大尺寸基片超精密技术和装备的研究。大连理工大学通过承担国家863 计划和国家基金重大和重点项目，利用进口设备对大直径硅片超精密磨削加工理论和关键技术进行了研究，并开展了超精密磨削装备的设计开发。目前，国内缺乏拥有自主知识产权的大尺寸功能晶体基片超精密加工技术和装备，先进的超精密加工装备完全

10、依赖进口，被日、美、德等少数发达国家所垄断。153.6 国内外专利申请和授权情况1 晶片磨床构造（专利权人：台湾省新竹县财团法人工业技术研究院；专利号：CN1640618）；2 晶片的磨削装置及磨削方法（专利权人：日本株式会社迪思科；专利号：CN1664993）；3 半导体单晶片保护构件与半导体单晶片的磨削方法（专利权人：日本株式会社迪思科；专利号：N1496581）；4 表面保护用板以及半导体晶片的磨削方法（专利权人：日本琳得科株式会社；专利号：CN1868040）；5 用于同时双面磨削多个半导体晶片的方法和平面度优异的半导体晶片（专利权人：德国慕尼黑硅电子股份公司；专利号：CN101106

11、082）；6 晶片磨削装置（专利权人：日本株式会社迪思科；专利号：CN101121237）；7 晶片搬送方法和磨削装置（专利权人：日本株式会社迪思科；专利号：CN101127316）；8 晶片的磨削加工方法（ 专利权人： 日本株式会社迪思科； 专利号：CN101161411）；9 贴合晶圆制造方法、贴合晶圆及平面磨削装置（专利权人：日本东京都信越半导体股份有限公司；专利号：CN101151713）。通过检索中国发明专利数据库，国内外在中国申请的有关硅片磨削的专利没有涵盖本课题主要研究技术。16课题组专利申请和授权情况 1 康仁科，郭东明，张士军，金洙吉等，一种硅片传输机器人,ZL2.1，授权公

12、告日2006.3.8，（实用新型）2 金洙吉，郭东明，康仁科等，一种硅片真空吸盘,ZL2.1，授权公告日2005.12.14，（实用新型）3 郭东明，田业冰，康仁科等，一种硬脆晶体基片的无损伤磨削方法，ZL2.7，（发明专利）2.44 康仁科，田业冰，郭东明等，一种硬脆晶体基片超精密磨削砂轮，ZL2.2，（发明专利）5 金洙吉，马兴伟，康仁科，苑泽伟，一种大尺寸金刚石膜的平坦化加工方法，ZL 2.1（发明专利） 大连理工大学“精密特种加工与微系统教育部科研创新团队” 近年来通过对硅片超精密磨削加工工艺、关键技术和装置的基础研究，取得与本课题研究技术有关的中国专利如下：171 钱敏，孙宝元，张军

13、，压电石英整体式三向磨铣削测力仪，中国发明专利，批准日期2003.03.14，发明专利号：ZL991015592。2 孙宝元，钱敏，一种新型扭矩测量仪，中国发明专利，申请号：01125607.9，受理日期:2001 年8 月20 日。3 孙宝元，吴涧彤，钱敏，一种扭矩测量新方法和传感器，中国发明专利，申请号：01125608.7，受理日期:2001 年8 月20 日。4 孙宝元，钱敏，一种压电石英片式扭矩传感器与制作工艺方法，发明专利号ZL03133521.7，批准日期：2006.7.19 在石英晶体压电传感器和测力仪方面也开展了大量研究。取得与本课题研究技术有关的中国专利如下：课题组专利申请

14、和授权情况 “压电石英现代测试理论、方法、系列化新型测量仪及其应用” 研究成果获得2005 年国家技术发明二等奖1 项，辽宁省技术发明一等奖1项。184 主要研究内容、拟解决的技术难点和可能的创新点，及技术风险分析4.1 研究内容：研究基于控制力和工件旋转磨削原理的大直径硅片超精密磨削工艺方法以及工艺系统方案研究大直径硅片超精密磨削关键技术进行自动化磨削工艺系统的集成设计、磨床关键零部件的运动学和动力学仿真分析以及磨床控制系统的开发研制超精密磨床，进行磨床性能测试分析和可靠性考核试验进行系统磨削工艺试验，建立大直径硅片超精密磨削工艺数据库194.2 技术难点与解决方案（1）高精度的砂轮主轴和工

15、件主轴技术硬脆晶体材料超精密磨削时，砂轮主轴的回转精度和平稳性直接影响磨削表面粗糙度和亚表面损伤。基于硅片旋转原理的大尺寸硅片超精密磨床对砂轮主轴和工件主轴的回转精度要求很高，必须采用空气轴承电主轴结构的砂轮主轴和工件主轴。协作单位无锡机床股份有限公司在高速空气轴承电主轴研制生产方面有丰富经验，对于硅片磨床研制中所需要的高精度大功率空气轴承电主轴，拟通过引进吸收和开发研制相结合的方法予以解决。204.2 技术难点与解决方案（2）砂轮主轴和工件主轴空间相对位置的调整技术砂轮主轴与工件回转主轴之间角度是决定硅片面型精度的主要因素。在双主轴三工位磨床系统中，同时保证粗、精磨砂轮主轴与三工位工件旋转台

16、主轴空间相对位置，并能够根据实际磨削硅片面型进行主轴轴线之间角度实时调整是需要解决的技术难点。解决方案：根据前期研究建立的硅片面型理论模型，课题组拟采用三点支撑微调机构，通过“精磨主轴三工位工件主轴粗磨主轴”递推调整的协同调整方法。21双砂轮主轴与三工位工件主轴之间角度的微调整装置224.2 技术难点与解决方案（3）磨削力精密在线测量与控制技术大而薄的硬脆晶体基片超精密磨削过程中，磨削力的变化和波动会影响基片磨削表面质量和变形，甚至会引起基片破碎。研究磨削力在线测量，并实现与磨床的集成和在位标定有一定难度。解决方案：根据以往系列力传感器及切（磨）削力测量系统研制的经验，采用高灵敏度压电石英传感

17、器研制磨削力测量装置，组装在砂轮主轴座上，实现磨削力精密在线测量和磨削过程动态监测，并针对磨床结构专门设计研制的磨削力标定系统进行在机标定。23磨削力测量装置与控制系统测力装置244.2 技术难点与解决方案（4）控制力磨削时磨削力阈值的确定磨削力控制阈值为不产生表面/亚表面微裂纹时所对应的磨削力，建立磨削表面/亚表面损伤与磨削力的关系是确定磨削力阈值的关键，需要精确检测和定量评价磨削表面层损伤。解决方案：利用前期研究中提出的角度抛光法与截面腐蚀显微观测法相结合的方法，或继续寻求快速精确的无损检测新方法，定量检测分析磨削亚表面损伤，通过系统磨削试验，建立磨削表面/亚表面损伤与磨削力的关系。25测

18、试样片胶接层待测硅片L1干涉条纹侧试样片倾斜面劈尖胶黏剂 陪片的倾斜面 L2腐蚀坑 (a)样品粘接（b）抛光后(c)腐蚀后改进的角度抛光法原理化学机械抛光后劈尖上产生干涉条纹裂纹深度：角度抛光法与截面腐蚀显微观测法264.2 技术难点与解决方案（5）微进给控制技术为了获得纳米级表面粗糙度，减小表面微裂纹等损伤，必须通过监测磨削力严格控制进给速度，实现脆性晶体材料的塑性域磨削。实现较大的进给速度范围和稳定的低速微进给是研制磨削进给系统需要解决的关键技术问题。解决方案：拟采用高精度滚动丝杠和导轨、大减速比减速器、高性能电机和高分辨率脉冲编码器等零部件，通过零部件精密装配、运动仿真分析和动态精密检测

19、，保证进给系统的低速稳定性。274.2 技术难点与解决方案（5）硅片高精度高可靠性夹持定位与输送技术大而薄的硅片极易产生残余应力和翘曲变形，给硅片的定位和夹紧及不同工位之间输送造成困难。特别是减薄到100m 以下的硅片翘曲变形更为严重，对夹紧力极为敏感，其定位精度、装夹可靠性及输送方式对硅片面型精度和碎片率的影响较大。解决方案：拟研制多孔陶瓷分区真空吸盘、多点真空吸附机械手和硅片自动定心装置以及真空吸附力精确检测和控制方法，并选用高精度硅片输送机器人构建高精度高可靠性硅片夹持定位与输送系统。284.2 技术难点与解决方案（6）高效低损伤磨削工艺先进的自动化硅片超精密磨床要求具有高的磨削效率；磨

20、削后硅片要求具有低损伤的表面，以减小后续抛光的加工时间或保证硅片减薄后的强度。高效率与低损伤是突出的矛盾问题。解决方案：拟通过从粗、精磨加工余量的合理分配方法、进给速度分阶段控制策略、新型砂轮研制与应用、以及复合加工新工艺方法应用等方面进行研究。29新型自锐金刚石砂轮分阶段进给和磨削力控制进给磨削与软磨料砂轮化学机械磨削相结合的工艺策略粗磨快速进给磨削 在机床刚性和功率允许的情况下，以最大材料去除率为目标，优化加工参数，去除绝大部分磨削余量。精磨控制力进给磨削 采用自锐金刚石砂轮，消除快速磨削的损伤层，通过磨削力在线检测进行进给速度控制，实现无微裂纹的延性域磨削。低损伤磨削软磨料砂轮化学机械磨

21、削 去除精磨时的表面损伤层，形成低损伤或无损伤表面。自锐砂轮无砂轮修锐的不间断磨削大磨粒和磨损磨粒及时脱落砂轮表面磨粒的均匀分布稳定的砂轮磨削性能塑性域材料去除进给控制磨削力检测30软磨料砂轮化学机械磨削原理和特点化学机械复合作用去除材料继承磨削加工高精度优点软磨料弱化机械作用产生的损伤工件与软磨料的固相反应工件与化学液的固液反应磨料和结合剂与工件表面摩擦去除反应物机械作用化学作用314.3 可能的创新点基于控制力和工件旋转磨削原理的大直径硅片超精密磨削技术和双主轴三工位的全自动超精密磨床；实现控制力磨削和磨削过程的动态监测的磨削力精密在线测量系统；采用新型自锐金刚石砂轮分阶段进给和磨削力控制

22、进给磨削与软磨料砂轮化学机械磨削相结合的工艺策略，实现大尺寸硅片高效低损伤超精密磨削；硅片磨削面型精度和表面质量的预测软件系统和工艺参数数据库；双砂轮主轴与三工位工件主轴之间角度的协同微调整装置及硅片面型精度控制方法；根据化学机械磨削的复合加工机理以及工件材料与砂轮组织特性的匹配关系，提出新型软磨料砂轮组织设计方法和低成本制造工艺。325 预期目标、主要技术和经济指标，可获得的成果、知识产权和人才培养情况5.1 预期目标、主要技术和经济指标研究大尺寸基片超精密磨削技术，研制超精密磨床，主要用于大尺寸硅片和蓝宝石、碳化硅等功能晶体基片的高效超精密加工。填补国内在大尺寸基片超精密磨削设备的空白，并

23、将研究成果在用户单位进行示范应用和推广，为大尺寸基片高精度、高质量和高效率的工业化生产提供技术支持。机床主要技术指标 工件最大尺寸：直径300mm；主轴转速：10004000r/min；加工精度指标：单片间厚度误差（TTV）：1.5m（磨削直径300mm 工件）；片间厚度误差：2m；精磨表面粗糙度：Ra5nm。335.2 成果及知识产权和人才培养情况基于控制力和工件旋转磨削原理的大尺寸基片超精密磨削工艺方法；大尺寸基片超精密磨削加工仿真软件和工艺数据库软件；大尺寸基片超精密磨削的关键技术、装置和系统；大尺寸基片超精密磨床；大尺寸基片超精密磨床控制系统软件；申请专利4 项以上；发表高水平论文20

24、 篇以上培养博士后12 名，博士生4 名以上，硕士10 名以上。346 研究方法、技术路线及可行性分析356.1 研究方法和技术路线采取理论研究与技术开发研究相结合、仿真模拟与试验验证相结合方法开展基础研究采用数字化设计和测试试验相结合研究方法进行磨床的快速优化设计采用单元技术分解开发与系统集成相结合的研究方法进行磨床快速制造。采用磨床性能测试分析与系统磨削工艺试验相结合的方法进行磨床技术性能指标的检测和可靠性检验。366.2 可行性分析国外基于硅片旋转磨削原理的超精密磨削技术和设备已经在采用大尺寸硅片的IC 生产线中得到广泛应用。说明本课题研究的大尺寸硅片超精密磨削技术和装备在理论和技术上是

25、可行的。课题组成员长期从事精密超精密加工理论和技术的研究，在半导体、陶瓷和光学晶体等硬脆材料超精密磨削和抛光技术的方面开展了大量研究工作，取得一定的研究成果。近年来，通过承担国家863 计划和国家自然科学基金项目，利用进口设备开展了大直径硅片超精密加工机理和工艺的基础性研究，以及关键技术的开发，进行了硅片超精密磨床的设计，取得一定进展，有很好的研究工作基础。课题研究已具备所需要的良好的研究环境和工作条件。37主要承担的相关国家级科研项目国家863计划项目面向下一代IC的大直径硅片超精密磨削技术与装备研究 （2002AA421230），20032004国家自然科学基金重大和重点项目“先进电子制造

26、技术中的重要科学问题”的子课题“超精抛光中的纳米粒子行为和化学作用及平整化原理与技术” （），2003.12006.12 各向异性软脆功能晶体高效精密和超精密加工技术基础 （），20052008 大尺寸单晶MgO高温超导基片高效超精密加工理论与技术研究 （），20042006超薄硬脆晶体基片的耦合能量软磨机理与关键技术研究 （），2007.12009.12 38取得的单元技术成果硅片磨削表面面型和磨纹的仿真与预测39硅片夹持定位用真空吸盘真空吸盘吸附力测试试验装置与结果研制的组合结构多孔陶瓷真空吸盘40硅片高精度平整化夹持定位系统41硅片厚度检测装置和控制系统硅片厚度检测与磨床伺服进给控制原理

27、 测头的气动控制系统厚度检测系统图 42磨削力动态测量平台与控制系统三向压电晶体磨削力测量平台性能三向压电晶体磨削力测量平台 动态磨削力测量软件界面 43硅片传输定位机器人及其控制系统R-型硅片传输机器人及其控制系统44研制的金刚石砂轮砂轮类型 硅片粗糙度 材料去除率 主轴电流 磨削比 损伤层厚度 600砂轮（亚刚） Ra 71.5nm34.50 mm3/s7.5A2505.5m600砂轮（日本） Ra 62.6nm32.13 mm3/s7.6 A1804.0m#2000砂轮（亚刚） Ra 10nm12.3 mm3/s6.9 A1603m#2000砂轮（日本） Ra 5nm6.9 mm3/s7

28、.1 A1001m(a) 研制砂轮磨削表面 (b) 日本砂轮磨削表面(a) 研制砂轮磨削表面损伤 (b)日本砂轮磨削表面损伤45研究成果的应用情况超精磨削的300mm硅片（Ra5nm） 磨削的200mm和300mm硅片 硅片超精密磨削工艺研究成果已经应用于国内最大的半导体硅片制造企业北京有研半导体材料股份有限公司。加工的硅片经 “国家有色金属及电子材料分析检测中心” 检测合格。磨削的200mm 和300mm硅片总厚度变化：TTV 1m平整度：GBIR 1m表面粗糙度：Ra 5nm 46研究成果的应用情况为中国电子工业集团南京55所加工的单晶硅与玻璃键合片，硅片超精密磨削减薄厚度小于100 m。

29、47硅片超精密磨床的方案设计和结构设计48硅片超精密磨床零部件结构设计定心装置真空吸盘清洗测厚装置49硅片超精密磨床零部件结构分析507 年度进度及考核指标第一年度： 研究进度：大直径基片超精密磨削工艺方法和工艺规律研究，基片超精密磨床总体方案设计，磨床和零部件结构设计，磨床电气系统和控制系统设计，磨床和关键零部件结构分析，磨床单元技术、装置和系统的设计与研究。 考核指标：磨削工艺研究报告1 份，磨床总体方案设计报告1 份，磨床和零部件结构设计图纸1 套，磨床电气系统和控制系统设计报告1份，磨床单元技术、装置和系统的研究报告各1 份和相应实物，申请专利2 项，发表论文8 篇。第二年度： 研究进

30、度：零部件工艺设计，磨床电气控制系统研制，磨床控制软件开发，磨床单元技术、装置和系统（包括微进给装置和控制系统，砂轮主轴系统，工件回转主轴系统）的设计与研究，零部件加工制造和定购，磨床装配和调试。 考核指标：零部件工艺设计文件1 套，磨床电气控制柜1 套，控制软件1 套，磨床单元技术、装置和系统的研究报告各1 份，磨床机械主机1 台，申请专利2 项，发表论文8 篇。第三年度： 研究进度：基片超精密磨床性能测试分析与可靠性试验，磨床样机的改进设计和制造，硅片高效低损伤超精密磨削工艺试验，磨削工艺参数数据库软件设计，用户单位应用试验。 考核指标：满足课题技术指标要求的磨床1 台，磨床性能测试分析与

31、可靠性试验报告1 份，磨削工艺参数优化数据库软件1 套，成果应用试验报告1 份，发表论文4 篇以上。518 课题的组织和分工依托单位：大连理工大学大尺寸功能晶体基片超精密磨削技术的基础理论和加工工艺研究；磨削力测量与控制、基片厚度在线测量和基片高精度夹持定位等关键技术研究；磨床及其控制系统总体方案设计；磨床主要结构设计和仿真分析；磨床性能测试分析；磨削加工工艺试验和研究成果总结等工作。协作单位：无锡机床股份有限公司磨床的工程化设计；零部件加工工艺设计；零部件制造、外购件选型与采购；磨床控制系统工程化设计和研制；磨床装配和调试等工作；参加磨床性能测试以及磨削加工工艺试验。课题组由大连理工大学和无

32、锡机床股份有限公司技术管理人员和技术骨干组成。任务分工如下：529 预期研究成果应用前景我国目前已有近50条IC生产线， “十一五” 期间将建设2025条。大尺寸硅片生产线约占20。每条大尺寸硅片生产线需要配备410 台超精密磨床。我国大尺寸硅片超精密磨床完全依赖于进口，每台价格达50 万美元以上。IC和光电器件生产线的建设和投产以及生产线的更新换代，对磨床有很大需求。微电子制造关键装备，已被列为国家中长期发展规划之重点发展领域。对于核工业和国防工业中的大尺寸晶体窗口和反射镜的加工也有重要推广应用价值。厦门、上海、大连、南昌和深圳五个国家半导体照明产业化基地珠江三角洲、长江三角洲、环渤海和西南

33、地区国家微电子产业带中国微电子和半导体照明产业分布格局5310 单位情况和支撑条件教育部直属全国重点大学，国家“211”及“985”工程重点建设大学。机械制造及自动化学科是国家重点学科，通过 “211”及 “985”工程共投入5000 万元以上学科建设经费。建有“精密与特种加工教育部重点实验室”和“先进装备制造辽宁省重点实验室”。申请者和课题组主要成员是大连理工大学“精密/特种加工与微制造教育部创新团队”的学术带头人和骨干。科研团队近5年承担国家973计划 、863 计划、国家自然科学基金重大、重点和面上项目及国防基础预研项目50 多项，总经费达5100多万元。研究成果获国家技术发明二等奖1项

34、、部级技术发明一等奖2项和科技进步一等奖2项。10.1 依托单位情况5410.2 依托单位支撑条件 通过国家211工程和985工程重点建设，大连理工大学“精密与特种加工教育部重点实验室”，建成了国内一流的硅片及光电晶体基片超精密加工技术研究基地。可为本课题研究提供的研究环境和仪器设备条件包括：价值5000万元以上的精密超精密加工设备和测量分析仪器面积1100平方米（1000级）和100 平方米（100级）恒温超净间18Mcm去离子水制备系统55与课题相关的超精密加工设备国内第一台300mm硅片超精密磨床（日本Okamoto公司VG401型）美国CETR公司CP-4型CMP机床超精密研磨/抛光机MXD170型金刚石线锯机 用于硅片和光电晶体基片超精密磨削工艺试验的设备以及用于试件制备的超精密加工设备56与课题相关的精密测量仪器美国Zygo公司NewView 5022 表面轮廓仪英国Taylor Hobson公司Talysurf CLI2000表面形貌仪日本JEOL公司 JSM-6360 扫