cadenceic基础仿真课件(PPT 69页)

1、深入浅出Cadence IC Tool -模拟集成电路设计工具的使用第1页，共69页。运行 Cadence当Cadence工具的运行环境设定好之后，就可以开始使用进行它工作了。你可以通过输入一下命令从你的工作目录中运行Cadence第2页，共69页。打开主窗口后，从下拉菜单中就可以开始你的设计了第3页，共69页。首先，在Cadence下工作必须要创建自己的工作库，创建库的方法如下：选择： File- New - Library 第4页，共69页。在name区域给新工具库取名，你需要添加technology file至你的新建工具库创建好工具库之后，有数种方式来对你的设计进行仿真第5页，共69页

2、。实例 1 二极管的伏安特性曲线分析首先我们通过以下方式（File- New - Cellview）从为二极管创建一个cell view开始第6页，共69页。通过原理图输入模式，使用一个电压源，一个二极管，一个电阻可以创建以下电路。第7页，共69页。添加元件的方法：通过Add- Instance -，选择二极管，电压源，电阻第8页，共69页。 电压源 电阻 第9页，共69页。将选择的元件按之前的原理图方式放置好，之后就可以开始准备仿真了。选择Tools- Analog Environment 第10页，共69页。为模型库建立路径第11页，共69页。通过Analysis - Choose ，选择

3、dc直流分析模式第12页，共69页。通过原理图可以选择需要绘制的测试参量第13页，共69页。绘制电压参量可以选择电压所在导线，绘制电流参量可以选择原理图中的红色方块节点或者直接在需要测试的器件上选择。下图显示了被选中进行仿真测试后的电压和电流节点是怎样的第14页，共69页。现在可以开始准备仿真。点击Simulation- Netlist and Run，仿真即可开始。下图显示了为仿真产生的输出日志文件 第15页，共69页。产生的波形如下所示：第16页，共69页。可以通过设定坐标轴来获得电流电压曲线按以下方式进行： Axis- X Axis 第17页，共69页。按下图所示，将X轴设定为二极管上的

4、电压降第18页，共69页。在改变了X轴之后，波形应如下图所示：第19页，共69页。由于我们只对二极管的伏安特性曲线感兴趣，因此我们可以只选择流经二极管的电流与其两端压降。新的曲线如下图所示：第20页，共69页。实例2 双极型晶体管的伏安特性曲线首先为双极型晶体管电路新建一个cell view利用原理图编辑所需要的仿真电路第21页，共69页。在完成对原理图的编辑后，我们可以开始仿真通过Tools - Analog Enviroment 会有如下弹出窗口第22页，共69页。按下图所示设置变量（注意，对于之前电压源设置的VBB在此处应该设置合适的数值）第23页，共69页。设置分析的模式第24页，共6

5、9页。点击Simulation- Netlist and Run 即可进行仿真。仿真结束后可以进行如下图所示的参变量分析，在单一的波形窗口中观察多条曲线第25页，共69页。在参量分析窗口选择Analysis - Start 当仿真结束后选择Results - Direct Plot - DC 并且单击v1电压源，然后单击ESC。可以得到如下图所示的一族伏安特性曲线第26页，共69页。实例3 MOS 电容器件电容-电压曲线的分析第27页，共69页。按下图的方式进行分析模式，器件参数等的设置第28页，共69页。第29页，共69页。点击Simulation - Netlist and Run 运行仿

6、真 第30页，共69页。选择参数分析第31页，共69页。设置参数分析第32页，共69页。通过Output - Setup选择需要输出的参量设置窗口如下：第33页，共69页。点击Open ，打开Calculator 如下所示：第34页，共69页。点击OP ，并从原理图中选择器件，你将会看到一个变量列表第35页，共69页。选择绘制变量完毕后，点击ERPLOT ，既可绘制第36页，共69页。绘制后的波形如下图所示：第37页，共69页。第38页，共69页。实例4 考虑温度的带隙基准参考电压源经典的Widlar带隙基准电压源第39页，共69页。通过Tools - Analog Environment ，

7、设置dc分析模式第40页，共69页。第41页，共69页。仿真的输出观察信号设置如下第42页，共69页。点击Netlist and Run ，运行仿真第43页，共69页。下图为以温度为变量进行直流分析时候的波形图第44页，共69页。带隙基准的温度参考第45页，共69页。第46页，共69页。第47页，共69页。第48页，共69页。实例5 一阶放大器共源的一阶放大器第49页，共69页。选择分析模式：第50页，共69页。电路中有两个电压源，一个用作VDD,另一个用作信号输入Vin 第51页，共69页。输出的选择第52页，共69页。分析一阶共源放大器获得的波形图波形图显示了当Vin 从0-2V 时输出的

8、变化第53页，共69页。下图显示了当VDD 变化时Vin 与Vout 之间的关系第54页，共69页。 实例6 电流镜负载的MOS差分放大器第55页，共69页。选择dc分析模式第56页，共69页。分析建立在输入电压变量V2 上第57页，共69页。该仿真所需的变量如下V1 为输入电压变量，V2 为VDD 电压源第58页，共69页。Dc仿真进行之后，实现参变量V1 的分析第59页，共69页。Vin vs Vout 的仿真波形曲线如下图所示：第60页，共69页。实例7 差分对中的高频率响应为了估计以动态电流镜为负载的差分对的频率响应特征，绘制原理图如下：第61页，共69页。设置暂态分析模式设置网线为输入网线和输出网线第62页，共69页。第63页，共69页。仿真后获得的波形图如下第64页，