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文档简介

1、键入文字 2.3双极性晶体三极管习题4Ib2-10.22-0.12 - 0.1-100极性晶体三极管综合习题1与答案考核内容.掌握三极管的图形符号、文字符号、输入和输出特性。.掌握三极管的电流分配关系及放大原理。双极性晶体三极管 综合习题1一、填空题1、晶体三极管(Transistor)是晶体管电子电路的核心器件,具有电流放大和开关作用。在模拟电子电路中,它起放大作用;在脉冲和数字电路中,它起开关便通逻辑门电路中的三极管则工作在截止状态和饱和状态。2、晶体三极管是一个三端器件,根据其构造的不同,大体上可分双极型晶体管BJT ( Bipolar JunctionTransistor)和场效应管

2、FET (Field Effect Transistor)。3、双极晶体管(BJT)是一种电流控制器件,“双极”的含义是指其工作时电子和空穴这两种载流子都同时参 与导电。双极结型晶体管( Bipolar Junction Transistor -BJT)又称为 半导体三极管。4、场效应管(FET)是电压控制型元件,利用场效应原理工作的晶体管,具有输入阻抗高,热稳定性好,抗辐 射能力较强,集成度较高特点。5、场效应晶体管又包含两种主要类型:结型场效应管( Junction FET,缩写为JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide Semiconductor FET ,缩写为M

3、OS-FET)。其中,MOS管还分为增强型和耗尽型两种。与 BJT不同的是,FET只由一种载流子(多数载流子)参与导电,因此场效应管也称为单极型晶体管。*6、场效应晶体管的三个极,分别是源极(Source)、栅极(Gate)和漏极(Drain)。7、双极晶体管(BJT)是由两个相距很近的PN结,通过一定的工艺制作成的一种半导体器件,即半导体三极管,又称为晶体三极管。8、晶体三极管两个 PN结两个PN结,一个PN结为发射结,另一个PN结为集电结。将发射极与基极之间的PN结称为发射结;集电极与基极之间的PN结称为集电结。9、晶体三极管两个 PN结将整个半导体基片分成三个区域:发射区、基区和集电区,

4、其中基区较薄。由这三个区 各引出一个电极,分别称为发射极、(Emitter )、基扬(Base)和集电极(Collector ),分别用字母E、B、C表示。10、晶体三极管 按导电类型 的不同,三极管可分为 PNP型和NPN型两大类。有箭头的电极是发射极,箭头方向 表示发射结正向偏置时的电流方向,箭头方向向外 是NPN型,箭头方向向内 是PNP型,两种符号的区别在于发射极的箭头方向不同,实际上发射极箭头方向就是发射极正向电流 的真实方向。11、晶体三极管 BJT种类很多,按照频率分,有高频管,低频晶体管.按照功率分,有小、中、大功率晶体管按照半导体材料分,有硅管和错晶体管等。12、使三极管起放

5、大作用的外部条件是:发射结加正向偏置电压,集电结加反向偏置电压。13、三极管的电流分配规律公式Ie =且土JC ,即发射极电流等于基极电流和集电极电流之和。无论是 NPN型管还是PNP型管,均符合这一规律。14、三极管的电流放大作用实质:由于基极电流Ib的变化,使集电极电流Ic发生更大的变化。也就是说,基极电流Ib的微小变化控制了集电极电流Ic较大的变化,是 以小控大”的作用。15、三极管 Ie 电流与 Ib 电流关系:Ie = Ib + Ic= Ib +B I B = (1+口)IbI16、基极电流和集电极电流之比基本为常量,该常量称为共发射极直流放大系数P ,定义为:P =)I B17、基

6、极电流有微小的变化量AiB,集电极电流就会产生较大的变化量Aic,且电流变化量之比也基本为常量,该X 常量称为共发射交流放大系数3,定义为:P =18、已知工作在放大区的某三极管,如果当 Ib从12 uA增大到22 uA时,Ic从lmA变为2mA ,那么它的3约19、NPN三极管中,电流Ib、Ic流入三极管,电流 且流出三极管;20、PNP三极管中,电流Ie流入三极管,电流Ib、Ic流出三极管。21、共发射极电路基极为输入端,集电极为输出端。发射极作为公共端22、共基极电路发射极为输入端,集电极为输出端,基极为公共端。23、共集电极电路基极为输入端,发射极为输出端。集电极为公共端24、根据三极

7、管放大电路输入回路与输出回路公共端的不同,可将三极管放大电路分为共发射极.共基极.共集电 极三种电路。25、在三极管放大电路中,应保证发射结正向 偏置,而集电结 反向 偏置。26、晶体三极管有三个区:发射区、基区、集电区:两个PN结:发射结(BE结)、集电结(BC结);三个电极: 发射极e( E)、基极b(B)和集电极c(C)。27、三极管的电流放大作用,指的是用较小的Ib 的变化,从而得到较大的集电极电流的变化。28、三极管的特性曲线主 要有输入特性 曲线和 输出特性 曲线两种。29、三极管输入特性曲线 指三极管集电极与发射极间所加电压Vce一定时,Ib与 Ub之间的关系。30、晶体管共发射

8、极 输出特性常用一族曲线表示,其中 每一条曲线 对应一个特定的 I-。31、三极管工作于饱和区时,其外部条件是发射结正偏,集电缜正偏 。32、三极管工作于放大区时,其外部条件是发射结正偏,集电结反偏。33、三极管处于截止区时,其外部条件发射结反偏,集电结反偏。34、特征频率fT是指P值下Bt到1的信号频率。35、当Ic过大时,电流放大系数 P将下降。在技术上规定,使 P下降到正常值的2/3时的集电极电流称集电极最 大允许电流。键入文字 2.3双极性晶体三极管习题4A、 icB、UCEC、iBD、iE二、选择题1、三极管具有放大()作用。答案:B)17、用直流电压表测得 放大电路中某晶体管电极1

9、、2、3的电位各为V1=2V , V2=6V , V3=2.7V ,则A.电压B.电流2、三极管工作于放大区时,其外部条件是C.功率()答案:BD,电位人、1为3 2为b 3为cB 1 e 3 为 b 2 为A.发射结正偏,集电缜正偏B.发射结反偏,集电结反偏3、三极管工作于放大区时,集电极电流B.发射结正偏,集电结反偏D.发射结反偏,集电结正偏5 2为3 1为b 3为c)18、三极管工作于 饱和区时,其外部条件是A. RbB. VceIc1(C. Rc)控制,与Vbe几乎无关.D. Ib答案:DA发射结正偏,集电缜正偏C发射结反偏,集电结反偏)19、工作在放大区的某三极管,如果当B.D 3

10、e 1为 b 2 为()答案:A发射结正偏,集电结反偏D.发射结反偏,集电结正偏Ib从12 uA增大到22 uA时,Ic从1mA变为2mA ,那么它的3约4、三极管的电流分配规律是A. I b = Ie +IcC. Ic = Ib + Ie()。答案:BB. Ie = Ib + IcD - I e =Ib Ic为(C )。A.83B.91C.100D. 120(B ) 20、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为5、NPN型三极管和 PNP型三极管的区别是。答案:CA .由两种不同材料硅和铸制成B .掺入的杂质元素不同C. P区和N区的位置不同PNP型三极管实现放大作用时,A. V

11、eVbVcC. VbVcVeA.前者反偏、后者也反偏C.前者正偏、后者也正偏B.前者正偏、后者反偏D.前者反偏、后者正偏(A ) 21、某单管共射放大电路在处于放大状态时,三个电极A、B、C对地的电位分别是Ur =2.3V ,Ue =3v Vc =0v ,7、8、9、NPN型三极管A.饱和NPN型三极管A.饱和NPN型三极管A.饱和Vb = 4.7 V,三极电位之间的关系是B. VcVbVcD. VbVcVbVcC. VbVcVe12、某晶体管的发射极电流等于A、0.98 mAB、。答案:B. VeVbVcD. VbVcVE , Ube=-6.3-(-7)=0.7 ;集电结反偏 VCVB ,

12、U cb : -1 -6.3,-1-6.3-7, VCVBVE发射结正偏,集电结反偏,工作状态是:放大Vb= -5.3 V , Vc =-5.7V , Ve= -6V ;发射结正偏 VB VE, Ube=-5.3-(-6)=0.7集电结正偏 VB VC , Ub c = -5.3-(-5.7) =0.4,发射结正偏,集电结正偏工作状态是:饱和Vb=-9 V , Vc= -6V , Ve =-7 V;发射结反偏VBvVE , Ube: -9 V-7发射结反偏,集电结反偏,工作状态是:截止直流放大系数I b 0.056、某放大电路中 BJT三个电极的电流如图所示。I a= -2mA, I b =-

13、0.04mA, I c= +2.04mA,试判断管脚、管型。Ve = -1.0 V, Vb = - 1.3 V, Vc = -6V ,发射结正偏 VE VB, U eb=-1.0-(- 1 .3 )=0.3 ;集电结反偏 VB VC, U bc : - 1.3 -6VCvVBvVE发射结正偏,集电结反偏,工作状态是:放大Ve = 1.5V , Vb= 1.2 V, Vc =1.3V,;发射结正偏 VE VB , U eb=1.5-1.2=0.3 ;集电结正偏 VC VB ,发射结正偏,集电结正偏工作状态是:饱和Ve =-1.2 V , Vb =-1.0 V , Vc=-6V,;发射结反偏 VE

14、 VVB, U eb=-1.2-(-1.0)=-0.2 ;发射结反偏,集电结反偏,工作状态是:截止4.判别三极管的工作状态解:电流判断法。键入文字 2.3双极性晶体三极管习题4电流的正方向和 KCL Ie=Ib+ I cC为发射极B为基极A为集电极。管型为NPNf。7、工作放大状态三极管两个电极的电流如图。求:(1)另一个电极的电流,并标出电流方向,放大倍数。(2)判断是 NPN型,还是 PNP型。2.02mA2mA2,02mAIbVe = 1.0 V,Vb = 1.7 V, Vc= 9.4 V,发射结反偏 VE VVB, U eb: 1.0VB, U eb=1.7-1.0=0.7 ;集电结正

15、偏 VC VB , U c b =1.4-1.0=0.4,发射结正偏,集电结正偏工作状态是:饱和Ve = 9.0 V , Vb = 8.3 V, Vc =2.0V ;发射结正偏 VE VB, U eb=9.0-8.3=0.7 ;解:Ie =2.02mA, Ic =2.0 mAIe = I b IcIb =2.02mA - 2.0 mA=0.02 mAPNP 型直流放大系数10、测得工作在 放大电路中几个晶体管三个电极的电位U、U、U3分别为:=-=100I B 0.02U=3.5V、U=2.8V、U=3V、U=2.8V、U=6V、U=11.3V、U=6V、U=11.8V、L3=12VU=12V

16、U3=12VU3=12V判断它们是8、测量某NPW BJT各电极对地的电压值如下,判别管子工作在什么区域?解答:(1) Vc =6V V b =0.7V Ve =0VVc =6VVc =3.6VVb =4V Ve =4.6VVb =4V Ve =3.3V(1)123.52.8 ,U1b、U2 e、U3 cNPN硅(2)123.02.8 ,U1b、U2 e、U3 cNPN错(3)1211.36.0,Uc、U2 b、U3 ePNP硅(4)1211.86.0,Uc、U2 b、U3 ePNP错NPN还是PNM?是硅管还是错管?并确定e、 b、 c。解答:对NPNf而言,放大时VC Vb Ve(1)放大

17、区,发射结正偏(2)截止区,发射结反偏(3)饱和区,发射结正偏VB VE, 0.7V 0V;集电结反偏VBvVE, 4VVE, 4V 3.3V;集电结正偏VC VB , 6V 0.7VVC VB , 6V 4VVB VC , 4V 3.6V11、测得放大电路中的3个晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子,并说明它们是硅管还是错管。9、测量一只 PNP型晶体管在工作时电极间的直流电压分别为下列三种情况,判别晶体管分别工作在什么状态?Ve = 1.0 V, Vb = 1.7 V, Vc = 9.4 V;Ve = 1.7V , Vb= 1.0 V, Vc =1.4V;Ve = 9.0 V , V

18、b = 8.3 V , Vc =2.0V ;解:(1)1211.30,中间为基极;发射结 Ueb =12-11.3=0.7 ,硅管;VEVBVC, PNP型三极管。PNP型三极管发射极箭头向内。123.73,中间为基极;发射结 Ube =3.7-3.0=0.7 ,硅管;VCVBVE, NPN 型三极管。15 12.712,中间为基极;发射结 Ube =12.7-12.0=0.7 ,硅管;VCVBVE, NPN 型三极管。键入文字 2.3双极性晶体三极管习题414、三极管各极对公共端电位如图所示,判别三极管的工作状态。12、测得放大电路 中的3个晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子,并说明

19、它们是硅管还是错管。解:12.2120,中间为基极;发射结1514.812,中间为基极;发射结151211.8,中间为基极;发射结Ueb =12.2-12=0.2 ,错管;VEVBVC, PNP 型三极管。Ueb =15-14.8=0.2 ,错管;VEVBVC, PNP 型三极管。Ube =12-11.8=0.2 ,错管;VCVBVE, NPN 型三极管。Vc =12V, Vb=-0.1V,Ve =0V, Ube =-0.1-0=-0.1 V 0,则发射结反偏,三极管截止。Vc =5V,Vb=0.5V,Ve =0.2V ; Ube =0.5-0.2=0.3 , NPN错,发射结 正偏;VcVb

20、,集电结反偏,三极管放大。Vc =2V,Vb=-2.3V,Ve =-3V ; Ube = -2.3- (-3) =0.7, NPN,发射结正偏;VcVb,集电结反偏,三极管放大。Vc =3.3V, Vb=3.7V, Ve =3V ; Ube =3.7-3=0.7 , NPN,发射结正偏;Ubc =3.7-3.3=0.4 , VBVC,集电结正偏,三极管饱和。15、已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为3.5V ,2.8 V,5V,试判断:a.脚是 B .脚是 E .脚是 C (e, b, c);b.管型是 NPN ( NPN , PNP);c.材料是 硅 (硅,错)。*16、分别判断图所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。13.填表分析NPN型与PNP型三三极管偏置电压的特点与工作状态。三极管偏置电压的特点与工作状态表工作条件状态截止放大饱和提供直流偏置工 作条件发射结零偏或反偏 集电结反偏发射结正偏, 集电

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