n阱CMOS芯片制作工艺设计

1、 集成电路设计实践报告 题目： n阱CMOS芯片制作工艺设计 院系： 自动化与信息工程学院 电子工程系 专业班级： 班 学生学号： 学生姓名： 指导教师姓名： 职称： 起止时间： 2016-1-4-2015-1-18 成绩： 目录 TOC o 1-3 h z u HYPERLINK l _Toc440550942一设计要求1 1、设计任务1 2、特性指标要求1 3、结构参数参考值1 4、设计内容1 HYPERLINK l _Toc440550943二、MOS管的器件特性参数设计计算2 1、 HYPERLINK l _Toc440550944NMOS管参数设计与计算。2 HYPERLINK l

2、_Toc440550945 2、PMOS管参数设计与计算。3 HYPERLINK l _Toc440550947三、工艺流程分析4 1、衬底制备4 2、初始氧化4 3、n阱光刻4 4、n阱形成(磷离子注入)5 5、氮化硅淀积5 6、光刻有源区5 7、场区氧化5 8、阈值电压调整6 9、多晶硅淀积6 10、光刻多晶硅6 11、n+区光刻6 12、P+区光刻6 13、淀积PSG7 14、光刻与刻蚀接触孔7 15、蒸铝、刻铝7 16、光刻钝化孔7 HYPERLINK l _Toc440550950四、光刻工艺分析与版图形成7 1、n阱光刻8 2、有源区光刻8 3、光刻多晶硅8 4、n+区光刻8 5、

3、p+区光刻9 6、光刻接触孔9 7、金属化内连线（刻铝）9 HYPERLINK l _Toc440550951五、工艺实施方案 PAGEREF _Toc440550951 h 22 HYPERLINK l _Toc440550952六、参考文献 PAGEREF _Toc440550952 h 23七、心得体会五、工艺实施方案工艺步骤工艺名称工艺目的设计目标结构参数工艺方法工艺条件1衬底制备衬底制备电阻率20cm晶向2一次氧化外延为形成n阱提供掩蔽膜厚度1.24 QUOTE 干氧湿氧干氧3一次光刻为磷扩散提供窗口电子束曝光4一次粒子注入注入形成n阱离子注入5一次扩散热驱入达到n阱深度有限表面源扩

4、散6二次氧化作为氮化硅薄膜的缓冲层膜厚625干氧氧化7氮化硅薄膜淀积作为光刻有源区的掩蔽膜LPCVD8二次光刻为磷扩散提供窗口电子束曝光9场氧一利用氮化硅的掩蔽，在没氮化硅区域生长氧化层湿氧氧化10三次光刻除去n阱有源区的氮化硅等电子束曝光11场氧二生长氧化层湿氧氧化12二次离子注入调整阈值电压表面参杂浓度和结深及方块电阻注入磷离子13栅极氧化形成栅极氧化层膜厚625干氧14多晶硅淀积淀积多晶硅层LPCVD15四次光刻形成NMOS多晶硅栅，刻出NMOS有源区扩散口电子束曝光16三次离子注入形成NMOS有源区表面结深，方块电阻注入硼离子17五次光刻形成PMOS的多晶硅栅，刻出PMOS有源区扩散口电子束曝光18四次离子注入形成PMOS有源区注入磷离子19热退火，二次扩散达到所需结深，均匀分布结深，浓度热驱入20淀积磷硅玻璃保护LPCVD21六次光刻刻出金属的接触孔电子束曝光22蒸铝，刻铝淀积铝硅合金并形成集成电路的互连溅射参考资料王蔚，田丽，任明远编著，集成电路制造技术原理与工艺，电子工业出版社，2010Donald A. Neamen著，赵毅强等译半导体器件物理电子工业出版社关旭东，集成电路工艺基础，北京大学出版社，2005陈贵灿