hspice-一些注解进阶

1、runlvl用来设置仿真速度与精度最高精度级别 runlvl=6 ,1=fast（事实上设为零，将回到早先的未加入些功能的版本）6=most accurate 。默认的值是runlvl=3。较低数值适合于纯数字电路或大部分数字电路。Hspice使用的是最好保存的runlvl设置。通常是结合.option runlvl=5 |If you set .option ACCURATE then HSPICE limits the RUNLVL value to 5 or 6.Thble 55 Guidd nes for HUNLVL SetimgsCircuit w四RUNLVL SettingCt

2、gltalRUNLVL=1-3Analog or mixed signal accuracyRUNLVU3-SCen characteh/ationRUNLVL=5*Sp1 input1 0 z0=50 port=1 pulse(0 1.5 100p 40p 40p)Psource dut_in 0 z0=zref port=1 pulse(vlo vhi td tr tf)p 代表 port 元件Psource dut_inp dut_inn 0 z0=zref port=1 pulse(vlo vhi td tr tf)这里定义的是差分的 port 元件对输出部分，没有源，所以无须加 so

3、urce部分。Pterm dut_out 0 z0=50 port=2这里要区别在.meas p(m1),p()组合是表现 功率。t无损传输线，结点，阻抗，延迟T1 dut_in 0 node1 0 Z0=50 td=1n par可复用par(.)输出作为其他端口的输入电压Reusing the PAR(.) Output as Input to Other Elements可使用于.print .probe 的输出.print tran v(5) par(5*cos(6.28*v(10)*v(5)*k/360)式子要加单引号括起来IBIS模型使用Input buffer:B_INPUT nd

4、_pc nd_gc nd_in nd_out_of_inOutput buffer:B_OUTPUT nd_pu nd_pd nd_out nd_in nd_pc nd_gcInput ECL Buffer: |B_INPUT_ECL nd_pc nd_gc nd_in nd_out_of_inOutput ECL Buffer:B_OUTPUT_ECL nd_pu nd_ou t nd_in nd_pc nd_gcTri-state buffer:B_3STATE nd_pu nd_pd nd_out nd_in nd_en nd_pc nd_gcInput/Output buffer:B

5、IO nd pu nd pd nd out nd in nd en nd out of in nd pc nd gc(pu and pd are pull-up and pull-down; pc and gc are power clamp and ground clamp; nd simply stands forInode.) 例子如下：b_out1 nd_pu nd_pd out1 in1+ file = at16245.ibs+ model = AT16245_OUTSearch 组合使用.option search (自动寻找库以及包含文件所在的路径)hspice.ini th e

6、 default search paths. (sa_146)例子：.OPTION SEARCH=$installdir/parts/signet定位到安装路径下去扫描寻找S参数 与外部电路连接(si_69)Sxxx nd1 nd2 . ndN ndRef所有的节点，其中最后一个点为地参考节点，除地结点共 n,共有n个结点。当各结点参考结点不同时，可写成 nd1+ nd1- nd2+ nd2- . ndN+ ndN- 形式+ MNAME =Smodel_names 参数标号+ TYPE=sy Z0=value|vector_values 参数 /y 参数特征阻抗+ FBASE = base_f

7、requency FMAX= maximum_frequency时域运算，傅里叶运算的基带频率，默认为瞬态响应单位间隔的倒数FMAX 取2倍Knee frequency可以保证相对的准确+ INTERPOLATION=STEP|LINEAR|SPLINE|HYBRID运算数据外推方式+ INTDATTYP=RI|MA|DBA数据类型： RI复数 MA 幅度角 DBA 分贝+ HIGHPASS=1|2|3|4 LOWPASS=0|1|2|3低频为了抽取接近 DC 的响应+ DELAYHANDLE=1|0|ON|OFF DELAYFREQ= val 对于类似传输线延迟时，为准确，选 on+ MIX

8、EDMODE=0|1 DATATYPE= data_string其中 data_string d _diff c_comm s_sing n_n port+ NOISE=1|0 NoiPassiveChk=1|0 DTEMP= val 热噪声+ RATIONAL_FUNC=0|1 RATIONAL_FUNC_REUSE=0|1|2+ PASSIVE=0|1 PASSIVE_TOL=val COLSUM_LIMIT=val + ENFORCE_PASSIVE=0|1STAMP=S|Y|YSTS|SSTS|DEEMBED+ M=int PRECFAC=val FQMODEL=sp_model_na

9、me 为了提高精度，保持准确1外推DC响应，设置好 lowpass2 max frequency最好设置为 3倍最快瞬变频率。用model来描述指定S模型.MODEL Smodel_name S N=dimension 指定为 S 模型，为 N 端口。+ TSTONE | CITI | touchstone文件是比较常用的模型，调用可见下边+ RFMFILE= | BNPFILE= 还有一个可用的 FQMODEL=SFQMODEL+ TYPE=s|y Z0=value | vector_value+ FBASE=base_frequency FMAX= maximum_frequency组合示

10、例 si n1 n2 n3 n_ref mname= smodel z0=100.model smodel s n=3 fqmodel=sfqmodel or (tstone , citi) z0=50 fbase=25e6 fmax=1e9 100 欧比 model 里的 50欧级别更高.sp文件使用举例.subckt sparam n1 n2 ts(ss_ts.s2p)S1 n1 n2 0 mname=s_model.model s_model S TSTONEFILE=str(tsfile) .ends|x1 A B sparam ts(ss_ts.s2p)S-element data

11、|一个完整的以p端口来描绘的仿真网表(91)*S-parameter example.OPTION be v(n2)P1 n1 0 port=1 Z0=50 ac=1v PULSE 0v 5v 5n 0.5n 0.5n 25nP2 n2 0 port=2 Z0=50.ac lin 500 1Hz 30MegHz.tran 0.1ns 10nsreference node is setS1 n1 n2 0 mname=s_modelS parameter.model s_model S TSTONEFILE = ss_ts.s2pRt1 n2 0 50 .endS参数的去嵌消除由

12、不需要的外部测量接口如探针、连接器带来的影响。(104)S1 1 2 3 4 5 6 7 8 mname= model_name + STAMP=DEEMBED or.model model_name S + STAMP=DEEMBEDSP model小信号参数数据频率表格模型(描述频率变化特性).MODEL name sp N=val FSTART= val FSTOP=val NI=val 矩阵维度(一个维度包含了实 /虚两部分读数) /起始频率点/终止频率点/频率点每间隔，默认为 10+ SPACING= val MATRIX= val VALTYPE=val INFINITY= mat

13、rixval spacing(lin , de log poi, nonuinform), 其中matrix 数据类型(symmetric 对称，仅显示左下边，hermitian 共聊i, nonsymmetric 非对称，完整形)Valtype(数据类型 real ,Cartesian , polar 复极点)+ INTERPOLATION=val EXTRAPOLATION= val DC=val 内插：step,linear, spline 外推：none,step,linearPOI non-uniform spacing 非致间隔DATA对如下类型的不同列组的数据，即层数据File

14、DFile EFile Fd1 d2 d3e4 e5f6d1 d2 d3e4 e5f6使用如下样板.DATA dataname LAMFILE= filel p1=1 p2=2 p3=3FILE= file2 p4=1 p5=2FILE= file3 p6=1 |.ENDDATA传输线模型(si 125)其中W代表精确建模的传输线，包才S了导体与介质损耗，T代表相对简单的无损传输线。有关传输线损耗的两个公式：趋肤损耗：|Wqglion 3S 二巴产 版1 仁川 治Where:Rr is the DC resistance matrix.R; is the skin effect matrix.

15、介质损耗：Equation 36 G(/) = Gfl+ /%Jj1 .Where,GCJ models the shunt current due to free electrons in imp邑rfMt dielectrics.Gj models the power loss due lo the rotation of dipoles under thealternating field (C A. Balanis, Advanced Engineering Electromagnetics, New York: Wiley, 1989),fgd 悟 a cut-off frequen

16、cy.对W模型，考虑频率相关性模型：INCLUDEGDIMAG=yes开启了使用复杂介质损耗的模型Equation 40 G(3 = Go + Gd-.频率相关复介质旁路损耗其中wp是与极化时间常数相关的角频率 |Wtest win 0 wout 0 N=1 RLGCMODEL=WE1 L=0.3+ INCLUDEGDIMAG=yes.MODEL WE1 W MODELTYPE=RLGC , N=11 维矩阵，对于多维的情况，L0=val1 val2 val3 .+ Lo = 3.8e-07+ Co = 1.3e-10+ Ro = 2.74e+00+ Go = 0.0+ Rs = 1.1e-0

17、3+ Gd = 8.2e-12+ wp= 0.07 不输入极化常数时，此项不要。PRINTZO 输出w元件的复特征阻抗到.wzo 格式的文件(low half)W1 N=2 in1 in2 gnd out1 out2 gnd RLGCMODEL=2_line l=0.1+ PRINTZO=POI 3 1e6 1e9 1e12其中2_line.wzo 保存输出* w-element model 2_line Characteristic Impedance Matrix:.MODEL ZO SP N=2 SPACING=POI MATRIX=SYMMETRIC+ DATA=3+ 1.0e6+ 1

18、75.362 -156.577+ 3.54758 -2.53246175.362 -156.577+ 1.0e9+ 48.7663 -1.3087+ 1.69417 -0.0073233 48.7663 -1.3087|+ 1e12+ 48.9545 0.238574|+ 1.66444 0.034833248.9545 0.238574混合阻抗矩阵Equation 47where, andmr自 voltage and current transformatiori matrices Bothsingle-ended and mixed mode representations saiisf

19、y relationships of voltage and current vector through characteristic impedance matrices as,Equation 4S V = /o ” 1Equation 49 M- V =Zomit - M-1 v = m3）.thus,Equation SO- My- Zo忖于一个简单的养分传输线1-4-Z11=Z22=50 欧，Z21=Z12=0 欧Figure 30 System Mocfel for a Line-to-Lme Junction传输线连接的系统模型对于一个弱耦合的对称双微带线，单线的特征阻抗Del

20、ayopt准确的建立延迟模型，以保证时域仿真的准确DELAYOPT=0|1|2 to deactivate, activate, and automatically determine ,默认设置为 0 不使用DCACC保证低频部分的准确与收敛DCACC=0 为关闭完整的 W 语法 (si 125) 其中5个例子在128页Wxxx i1 i2 . iN iR o1 o2 . oN oR N= val L= val 输入(输出)/输入(输出)参考节点+ RLGCMODEL= name | RLGC | UMODEL = name+ FSMODEL = name | TABLEMODEL=name

21、 | SMODEL = name fsmodel来自场求解器+ INCLUDERSIMAG=YES|NO FGD=val DELAYOPT=0|1|2|3 includersimag默认考虑趋肤效应的虚部项fdg指定材料介质损耗的截止频率+ INCLUDEGDIMAG=YES|NO NODEMAP=XiYjDCACC=1|0+ NOISE=1|0 DTEMP= val + PRINTZO=frequency_sweep MIXEDMODEZO=0|1printzo 输出复阻抗 可使用 lin deco ct poi+ SCALE_RS=val 一个完整的包含 W-同时调用W的例子* W-Ele

22、ment example, four-conductor lineW1 N=3 1 3 5 0 2 4 6 0 RLGCMODEL= example_rlc l=0.97 调用 W 元素V1 1 0 AC=1v DC=0v pulse(4.82v 0v 5ns 0.1ns 0.1ns 25ns) .AC lin 1000 0Hz 1GHz.DC v1 0v 5v 0.1v.tran 0.1ns 200ns使用.model对W进行详细地定义* RLGC matrices for a four-conductor lossy .MODEL example_rlc W MODELTYPE=RLGC

23、N=3+ Lo= |+ 2.311e-6+ 4.14e-7 2.988e-6+ 8.42e-8 5.27e-7 2.813e-6+ Co= |+ 2.392e-11+ -5.41e-12 2.123e-11|+ -1.08e-12 -5.72e-12 2.447e-11+ Ro= |+ 42.5 |+ 0 41.0 + 0 0 33.5+ Go= + 0.000609+ -0.0001419 0.000599|+ -0.00002323 -0.00009 0.000502+ Rs= |+ 0.00135+ 0 0.001303+ 0 0 0.001064+ Gd= |+ 5.242e-13+

24、-1.221e-13 5.164e-13+ -1.999e-14 -7.747e-14 4.321e-13.end |UMOEDL 详情参考135 (157 ) U模型中的RLGC是以自/互阻抗感抗的形式表示的。W 格式中 R(f)=R0+sqrt(f)*(1+j)*RsU格式中，R=Rc+Rs Rc就是上式中的直流电阻。而计算趋肤效应的起始频率Fskin=1/(15*risetime)To use the W-eiement with the U Model on the W-eiement card, specify:Umcdel =U - modelnnneThe Welement su

25、pports all U model mcdes.H including： geometric, Elev=lplanar geometry, Plev=lcoax, Plev=2twinJeadJ Plev=3RLGC5 Elev=2measured parameters, Eiev=3skin-effectT Niay=2The only exception is Llev=1, which adds the second ground plane to the U model. The W-element does not support this. To model the extra

26、 ground plane, add an extra conductor to the W-element in Elev=2t or use an external lumped capacitor in Eiev=i or Eiev=3. For information about the U model see Appendix Bh Lumped Transmission Line U-Model例子W Element example, four-conductor line, U modelW1 1 3 5 0 2 4 6 0 Umodel= example N=3 l=0.97

27、|.MODEL example U LEVEL=3 NL=3 Elev=2 Llev=0 Plev=1 Nlay=2 |+ L11=2.311uH+ L12=0.414uH L22=2.988uH+ L13=84.2nH L23=0.527uH L33=2.813uH+ Cr1=17.43pF+ C12=5.41pF Cr2=10.1pF+ C13=1.08pF C23=5.72pF Cr3=17.67pF+ R1c=42.5 R2c=41.0 R3c=33.5+ Gr1=0.44387mS+ G12=0.1419mS Gr2=0.3671mS+ G13=23.23uS G23=90uS Gr

28、3=0.38877mS+ R1s=0.00135 R2s=0.001303 R3s=0.001064V1 1 0 AC=1v DC=0v pulse(4.82v 0v 5ns 0.1ns 0.1ns 25ns).AC lin 1000 0Hz 1GHz .DC v1 0v 5v 0.1v.TRAN 0.1ns 200ns.END频率相关表格模型 Frequency-Dependent Tabular Model 见(si 161 )可用来模拟传输线的任意频率特性(不支持RC传输线)S modelNodemap 端口节点表 近端/输入端用I, I N远端/输出端使用O ,F示例如下：NODEMA

29、P = I1I2O1O2 TOC o 1-5 h z * W Element Example: S Model *|rout out 0 50|vin in gnd LFSR (1 0 0 0.1n 0.1n 1g 1 5,2 rout=50) 其中LFSR 是伪随机序列产生器or线性反馈移位寄存器？+ pulse(0 1 0 0.1n 0.1n 0.9n 2n)|W1 in gnd out gnd SMODEL=smodel N=1 l=0.3|+ NODEMAP =I1O1.MODEL smodel S TSTONEFILE=w.s2P + XLINELENGTH=0.3 XLINELEN

30、GTH 表明的是所用 S参数来自的系统模型的线长。A must term for .sp Welement.opt accurate post .opiton accurate 自动设置 RUNLVL value to 5 or 6.tran .01n 20n |.endW-element passive noise model 无源噪声模型(热噪声) (.NOISE and .LIN noisecalc=1 多端口时+ NOISE=1|0 DTEMP= val =1时，会产生 2N*2N噪声-电流源相关矩阵T-element 阻抗和延迟（无损）Initial mkirration requi

31、red:irise = source riseliineTT) = time delay of the imeroonneciSelediori CnierionRsourte =白。nr- ritnd：e(F + RsouncefC 1 Cc trisc -(rise = 5 TD (law frequency) Lumped rrwde-l(R + FUourceAtrise v 5 TD (high frequency) U model日匕ult，Cotnpabbility with conventional SPICEilnhnite bandwidih： required for i

32、deal$ource&Ia Cg3的白r GO6531keffects Consider line lossesTDs are very long &r vfiry short a DelaultFigure 42 Wir& Model Sefection Chari简单的示例T1 in gnd t_out gnd model_name1 L=200mU1 in gnd u_out gnd model_name1 L=200m.model model_name1 U LEVEL=3 PLEV=1 ELEV=1 wd=2m ht=2m th=0.25m几何描述ELEV=1,planarstruc

33、ture即平面结构 PLEV=1 ,wd 导体宽度 ht,th介质维度+ KD=5KD为介质常数理想传输线示例Txxx in refin out refout Z0=val TD=val L=val |+ IC=v1,i1,v2,i2IC=为设定传输线的初始条件，各端口初始输入电压，电流Txxx in refin out refout Z0=val F= val NL = val F 与 NL ,在频率 F 时，归一化电气长度 （默认为 1/4 单位 波长）为NL+ IC=v1,i1,v2,i2 |利用场求解器来求解抽取传输线参数对应白是 W element page si_188要求解趋肤阻

34、抗，设置.FSOPTIONS COMPUTE_RS=yes 场求解器对应声明.MATERIAL.LAYERSTACK用来声明介质与金属层，但不包括导线部分，导线部分在最后的场求解指令里用conductor.SHAPE 声明形状 rectangle. circle strip polygon 多边形 Trapezoid 梯形示例.shape rect rectangle width=400e-6 height=40e-6这一系列的都是类似的布局：先 名称，类型.FSOPTIONS 求解选项.MODEL w modeltype=fieldsolver指定传输线类型为场求解器语法.MODEL mna

35、me W MODELTYPE= FieldSolver+ LAYERSTACK= name FSOPTIONS=namecood 为选定座标系+ RLGC COORD=0|DESCART|1|POLAR RLGC文件名首字母必须为字母，不能为数字+ OUTPUTFORMAT =RLGC|RLGCFILE设置.FSOPTIONS PRINTDATA t=YES 为输出 RLGC 文件+ CONDUCTOR=SHAPE= name MATERIAL=name+ ORIGIN =（val1,val2）TYPE=SIGNAL|REFERENCE|FLOATING.导体类型：默认 signal 设置为

36、w-element 中的信号节点Floating 浮空的导体，w-element中没有参考抽取RLGC表格模型.FSOPTIONS name ACCURACY=HIGH|MEDIUM|LOW + GRIDFACTOR=val + COMPUTE_GO=YES|NO COMPUTE_GD=NO|YES+ COMPUTE_RO=YES|NO COMPUTE_RS=NO|YES|DIRECT|ITER+ COMPUTE_TABLE=frequency_sweep+ PRINTDATA=NO|YES|APPEND对于介质损耗项 Gd ,必须定义材料的损耗值才会在矩阵里出现材料声明如下Gd=2*p*ta

37、n0*Co.MATERIAL die1 DIELECTRIC ER=4.1 LOSSTANGENT =.012 |详例见194? ? ?考虑到导体损耗的二阶效应粗糙表面两种方法：比例因子计算表面粗糙高度的均方值（ RMS） 见si 196比例因子：S民=以+“ +八 J , SCALE_fiS RsWxxx ni1 ni2 ref_in no1 no2 ref_out + SCALE_RS=value取均方值；.material copper metal conductivity=value roughness =value一个完整的场求解器指令例子：（此例主要是生成 RLGC ）use co

38、pper_roughs w/ roughness=2um *P3 in2 0 port=3 ac=1 |P4 out2 0 port=4 |W2 in2 gnd out2 gnd FSmodel=line1_rough N=1 l=0.1.material diel dielectric er=4.3|.material copper metal conductivity=57.6meg |.material copper_rough metal conductivity=57.6meg |+ ROUGHNESS =2e-6计算介质材料的粗糙高度的均方值.shape rect rectangl

39、e width=400e-6 height=40e-6分别定义形状.layerstack stack1 background =air叠层结构，注意顺序是从下至上，即铜层为最下层，上一层是介质+layer=(copper,10e-6)1layer 包含两个项：材料 material 厚度 0.5mm+layer=(diel,200e-6)2.fsoptions opt1 printdata=yes computeGd=no computeRs=yes控制选项，不计算介质损耗Gd.model line1_rough W Modeltype=fieldsolver,在 model中完整陈述所求解的

40、结构+layerstack=stack1, | +fsoptions=opt1, | +Rlgc,使用line1_rough.rlgc这个文件来存储矩阵，在同路径文件夹内+conductor =(shape=rect,origin=(0,110e-6),material=copper_rough)conductor 作用是声明导线的部分，包括三个项，material ,shape ,origin ,如有多个导体，依次书写，如下+conductor=(shape=rect,origin=(0,110e-6),material=copper_rough) .opt post | .ac dec 1

41、00 1e6 1e10 | .end |使用多核进程技术加速场求解器pp si_198主要用于加速趋肤效应部分电阻Rs的计算，相对另外三部分指令 + COMPUTE_GO=NO|YESCOMPUTE_RS=NO|YES|DIRECT|ITER其中direct和yes 一样，使用加速，iter使用迭代的矩阵算法Gridfactor= .fsoption 中的指令，只能使用整数，用来指定确定求解形状的最终分割数乘法因子，当 compute_rs=yes 时，场求解器不会计算Ro.Rs.蒙特卡罗 si_207页关于蒙特卡罗的和生产工艺上尺度误差相关的例子非常好下面是一个使用 polar座标的共轴线模

42、型（完整例子参见si209页）Figure 53 Polar fie/d sol ver for mcdeUng coaxial iinaA.SHAPE circle_1 CIRCLE RADIUS=0.5m* Layer Stack .LAYERSTACK coaxial LAYER=(diel_1 11m) $ only one义了中间部分的介质，而最中间部分的导体在下面的因为外围导体为无穷地，不要定义，所以这里只定conductor 中定义。MODEL coax W MODELTYPE=FIELDSOLVER FSOPTIONS=myOptCOORD=polar声明使用极座标+ LAYE

43、RSTACK=coaxial, RLGC+ CONDUCTOR = ( SHAPE=circle_1, MATERIAL=copper, ORIGIN=(0, 0)Shielded Twin-Lead LineFigure 54 Polar fie(d solver tor modeling twin-lead ftne.MODEL twin W MODELTYPE=FIELDSOLVER FSOPTIONS=myOpt COORD=polar+ LAYERSTACK=coaxial, RLGC+ CONDUCTOR = ( SHAPE=circle_1, MATERIAL=copper, O

44、RIGIN=(4.5m, 0)+ CONDUCTOR = ( SHAPE=circle_1, MATERIAL=copper,ORIGIN=(4.5m, 180)由于使用polar座标系，只须定义半径与角度而且 Only one diel ectric is permitted and the dielectric layer is surrounded by ground.就是只要定义中央的导体部分，外围为无穷地，且把介质完全包围起来。(见si_208 )IBIS 模型支持 DC,AC,transient analysisbxxx node_1 node_2 . node_N所有外部结点+

45、file= model=model_name指定所用到的旧IS的名字以及相关的model+ keyword_1=value_1 . keyword_M=value_M可选关键词+ M=num乘法因子，正整数解决超频以及输入过载带来的问题， si_217rm_dly_rwf= default | rdly_time_value值设为正数值rm_dly_fwf= default | fdly_time_valuerm_tail_rwf= default | rtail_time_valuerm_tail_fwf= default | ftail_time_value各种 buffer |Input

46、 输入 BUFFER si_218B_INPUT nd_pc nd_gc nd_in nd_out_of_in 共 4 个节点，node_in 的观测电压可在 node_out_of_in 探测看 + file= model=model_name+ typ=typ|min|max|fast|slow power=on|off如果设置 power=on ,那么地/电钳位连接并开启(所以不要再把它们连接到电源或地上），如果power=off,那么就要另外通过 RLC或传输线来连接电源到这些结点 + buffer=1|input + interpol=1|2 + nowarn + c_com_pc=

47、c_com_pc_value + c_com_gc=c_com_gc_value + pc_scal=pc_scal_value + gc_scal=gc_scal_value 打印时，.PRINT V(nd_pc) V(nd_gc)nd out of inV out ofIMgndnd inOutput 输出 BUFFERB_OUTPUT nd_pu nd_pd nd_out nd_in nd_pc nd_gc4到6个结点（两个可选）如果括号里钳位没定义，那默认为各自连接到地 /电pull up/downrd oulC CompFigu/ti 57 Output Bailor+ file=

48、model=modelname+ typ=typ|min|max|fast|slow power=on|offpower=on ,同上，不再再去连接power/ground clamp+ buffer=2|output + xv_pu=state_pu xv_pd=state_pd + interpol=1|2 + ramp_fwf=0|1|2 ramp_rwf=0|1|2 + fwf_tune=fwf_tune_value rwf_tune=rwf_tune_value + nowarn + c_com_pu=c_com_pu_value + c_com_pd=c_com_pd_value+

49、 c_com_pc=c_com_pc_value+ c_com_gc=c_com_gc_value探测流经C_comp的电流 si_223Tristate buffer 三态 bufferB_3STATE nd_pu nd_pd nd_out nd_in nd_en nd_pc nd_gc三态没有钳位，多了一个使能+ file= model=model_name+ typ=typ|min|max|fast|slow power=on|off |+ buffer=4|three_state+ xv_pu=state_pu xv_pd=state_pd nd_ptind_pcnd_gc同上输出bu

50、ffer,对no_out结点并没有规定的规则。这个结点上的电压受到结点nd_in与nd_en控制。电压源必须连接到nd_in , nd_en也要设置。nd_in,nd_en是代表0、1的控制信号 I一 一一一V_in nd_in gnd 0V pulse( 0V 1V 1n 0,1n 0,1n 7.5n 15n )V_en nd_en gnd 0V pulse( 0V 1V 3n 0.1n 0.1n 7.5n 15n )Input/Output Buffer |B IO nd pu nd pd nd out nd in nd en nd out of innd pc nd gcOpen Dra

51、in, Open Sink, Open Source Buffers |Open drain and open sink 没有 pullup 电路，Open source buffers 没有 pulldown 电路但它们的card同output buffer 一样，可彳output 一样正常指定 pullup和pulldown ,尽管open可能并不包含.不过，下面的要注意Because open drain and open sink buffers do not have pullup circuitry, do not specify the xv_pu=nd_state_pu opt

52、ion.I/O Open Drain, I/O Open Sink, I/O Open Source Bufferssi_230详细的旧IS语法可见242页file = 完整路径，如在同一文件夹中，只要使用文件名就行了model = model_name指定 ibis 文件中的模型 model = ABC_1234_outbuffer = Buffer_Number | Buffer_Typetyp = typ|min|max|fast|slowhsp_ver = hspice_version hsipce_version默认为当前使用软件的版本power = on|off interpol

53、= 1|2 默认为 1, I/V V/T 曲线需要内插，1 为线性内插， 2 为 quadratic bi-s pline interpolationxv_pu = nd_state_pu这两个用来描述驱动器的任一时刻的状态，如驱动器主拉低时，设置St_pu=0, St_pd=1.xv_pd = nd_state_pd从拉低到拉高变化过程中，St_pu=0变为1, 而St_pd=1变为0如果要no知道瞬变如何发生的，xv_pu=nd_state_pu, xv_pd=nd_state_pd提供了信息nd_state_pu and nd_state_pd是增力节点的名称，打印.PRINT V(nd

54、_state_pu) V(nd_state_pd)ramp_fwf = 2|1|0 默认为2, 0使用ramp data, 1,对于有多个下升/下降时，使用 第一个 上升/下降。ramp_rwf = 2|1|02,对于有多个下升/下降时，使用最先出现的两个上升/下降。-选择显示波形|fwf_tune = fwf_tune_value取值0-1,仅用在两种情况，+-上面的ramp date 默认为 0.1, sigle VT 波形，ramp_f/rwf 为 1 时 0.25rwf_tune = rwf_tune_value 指定了 pullup/pulldown 电路的 on off 瞬变时间

55、详见 si_250rwf_pd_dly = rwf_pd_dly_value可用来提高单 VT波形的ibis模型的精度。取值0-1 ,默认值为单VT波形非fwf_pu_dly = fwf_pu_dly_value 开关时间与 VT波形整个转换时间之间的比值。Use fwf_pu_dly only when ramp_fwf=1A rwf_pd_dly parameter is used with a rwf_tune parameter to provide a more real pulldown circuit turn off transition for a rising edge (

56、_pd_dly 丁 Figure 69 Pulldown Circurt Turn Off Transition And fnterni De/ay ClculAtion详见si_253pd_scal=pd_scal_value这四个放大因子可放大相关buffer的I-V 曲线。pu_scal=pu_scal_value放大I-V曲线能有效地放大驱动强度pc_scal=pc_scal_valuegc_scal=gc_scal_valuerwf_scal=rwf_scal_value这两个放大因子可以放大上升/下降V-T曲线的。会影响上升/下降时间，与bufferfwf_scal=fwf_sca

57、l_value延迟ss_state = on|off开启/关闭ibis文件中的状态电气模型，默认为on,仅适用于series switch buffermodelrm_dly_rwf=default | rdly_time_value这四个语句用来移除ibis模型中VT曲线模型中的非开关时间rm_dly_fwf=default | fdly_time_valuedly移除最开始的上升 /T降延迟，最好保证两值一样rm_tail_rwf=default | rtail_time_valuetail 语句用来移去上升 /下降拖尾部分rm_tail_fwf=default | ftail_time_

58、value每个都取正值， 见si_255c_com_pu = c_com_pu_value这四个如果不设置， 那为默认的C_comp_die_capacitancec_com_pd = c_com_pd_value为了模拟电源/地弹噪声，要用这 4个寄生电容选项(-node_out )。c_com_pc = c_com_pc_valueexpected that c_com_pu+ c_com_pd + c_com_pc +c_com_gc = c_com_gc_valuec_com_gc = 1. V_out_of_in 根据 input_buffer 规贝Ll计算得出detect_oti_

59、mid=1|0仅用于input (io) buffer默认为1,为0时，用作接受器时，1nowarn不提示warning,不要用作nodes list的第一个关键词,V_out_of_in does not take the value 0.5 if V_in is between Vinl andVinh,仍取上次的值。time_control=1|0默认为1 ,使能ibis的时间步进控制.OPTION D_IBIS指明旧IS文件的路径。Tsbfe 23 IBIS Buffer Types and NumbersBuffer TypeBuffer No.Number of nodes (no

60、min.al or mirVmax)INPUT14OUTPUT2476INPUT_OUTPUT3THREE_SW4WOPEN_ 口 RAIN5于6IO_OPEN_DRAIN6&8OPEN_SINK7IO_OPEN_SINK86/8OPEN_SOURCE9476lO.OPENSOURCE106/8INPUT_ECL114OUTPUT.ECL123/5IO_ECL135/7THREE_STATE_ECL14E6SERIES152SERIES_SWITCH162Butter TypeBuffer NdNumber of nodes (nominal or min/max)TERMINATOR173d