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文档简介

础础3单级放3单级放大共源共源（源跟随器共栅放M1RD因为NMOS衬当从0开始增加且小于1截止=.当接近时，1开始导通，电流流经当从0开始增加且小于1截止=.当接近时，1开始导通，电流流经减小，1饱和导通= 1 2+V= -12 = 1 A +V当VinVin1时，M1工作在饱和区-输入输出特1+V当VinVin1时，M1工作在饱和区-输入输出特1=2 A当Vin足够高，M1进入线性区MOS管工性区等效= +=1+ 增益推= 增益推= = = 其输出电阻为 +Vg rR1oD- 12= 1+ 212 = 1+2+Vg rR1oD- 12= 1+ 212 = 1+2= 1 2 = 2由于= 1 = = +1+越大，1的沟道长度调制其输出电阻为/: = : = = 将这里表示= 增大W/L、或增大、或减小，都可以提高较大的器件尺寸，即增大W/L较高的若保持常数，减小，则必须增大感！感！

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