文本案例电路图910tpc inet-k90rev

1、SScheme Schematics MLC, 1.8V NEXT,PREV,Vol+, Vol-,UP,DOWN, ENTER,UBOOT DCIN， 5V，2A；BAT，3.7V，3600mAHSDIO ER TREEBESIDE-GPS,FM, hone, MIC, G-er SupplNotes：Unless Otherwise 更改了电源电2011-07-更改了电源滤波电容2011-07-增加了陀螺仪和SScheme Schematics MLC, 1.8V NEXT,PREV,Vol+, Vol-,UP,DOWN, ENTER,UBOOT DCIN， 5V，2A；BAT，3.7V，

2、3600mAHSDIO ER TREEBESIDE-GPS,FM, hone, MIC, G-er SupplNotes：Unless Otherwise 更改了电源电2011-07-更改了电源滤波电容2011-07-增加了陀螺仪和马达的2011-07-电源名称输出电压最大供电能力预计谁在用AXP209AXP209AXP209AXP209AXP209AXP209SY8008BSY8008BSY8008BUSB0G-USB1USB2erconnecter256MBX2DDR3MicroUSB0G-USB1USB2erconnecter256MBX2DDR3MicroPIO PIO E GS- E

3、 E 0E E 0123451GS- PIO PIO E GS- E E 0E E 0123451GS- ER LAYOUT：ACIN、BATT、IPSOUT输入或输出线，从PMU管脚处就要保证尽量粗for（5V-RTC-CSI0-CSI1-LCD LCD DRAM-USB SWL-ER ER LAYOUT：ACIN、BATT、IPSOUT输入或输出线，从PMU管脚处就要保证尽量粗for（5V-RTC-CSI0-CSI1-LCD LCD DRAM-USB SWL-ER Equilong Z0=100Differential Z0=100Equilong Z0=100Differential Z

4、0=100S靠近LDO3IN放靠近VIN1放置 ER靠近LDO3IN放靠近VIN1放置 ERER-ER-BESIDETWI-BESIDE BESIDETWI-BESIDE Z0= 100 ohm-前置低分辨输出1.5V: R90=27K1%,R89=30K1%。输出1.8V: R90=20K1%,R89=16K1%Z0= 100 ohm-前置低分辨输出1.5V: R90=27K1%,R89=30K1%。输出1.8V: R90=20K1%,R89=16K1%-hone&此按键对应模具上的隐蔽小用于固件升级，必须保留按键可删除，但名称不能修改hone&此按键对应模具上的隐蔽小用于固件升级，必须保留

5、按键可删除，但名称不能修改，电阻不可删除MHP-KEY-MIC-IR-ForIlim(A)=6800/RsetZ0= 90 ohmForIlim(A)=6800/RsetZ0= 90 ohmUSB-背光背光不用FT5402DQT，此部分不贴片 不用COF，此部分不贴片 DDR38bitxDDR38bitxNAND注：只贴一片TOSP NAND时，请贴在TSOP-48 Both eMMC NAND and TSOP NAND layout NAND注：只贴一片TOSP NAND时，请贴在TSOP-48 Both eMMC NAND and TSOP NAND layout 接1片单片选Nand 时，NSR2、NSR1断接1片双片选Nand 时，连接NSR2，断开接1选Nand 时，连接NSR1，断开接2片单片选或接2片双片选Nand时，连接NSR1，断开el、Toshiba、Samsung 2xnm TSOP Nand时， NSR4连接，NSR5