α射线能谱测量有算能量刻度哦

1、-. z.*西南科技大学射线能谱测量报告 设计名称 射线能谱测量 学 院班 级学生学 号设计日期 2014年12月 2014年10月 制目 录1实验目的.12实验容.13实验原理.1 3.1能谱. 1 3.2放射源. 2 3.3放谱仪.3 3.4探测器测量射线能谱相关原理. 4 3.5谱仪的能量刻度和能量分辨率.44实验仪器、器材. 55实验步骤. 56实验数据记录、处理.67实验结论.81实验目的衰变中发射的粒子能量及辐射几率的测量，对于核构造研究具有重要意义。这些核数据的测量通常是用磁谱仪或半导体谱仪。而本实验主要从以下几个方面进展：了解谱仪工作原理与特性掌握能谱测量原理及测量方法3、测量

2、获取表中各种放射源在不同探源距下能谱的数据与图像记录并进展刻度2实验容测定谱仪在不同源距下能谱的数据，并通过计算获得相关能量分辨率。同时，进展能量刻度。3实验原理3.1能谱粒子通过物质时，主要是与物质的原子的壳层电子相互作用发生电离损失，使物质产生正负离子对，对于一定物质，在其部产生一对离子所需的平均能量是一定的即平均电能w，所以在物质中产生的正负离子对数与粒子损失的能量成正比，即：N=公式中N为粒子在物质 中产生的正负离子对数目，E是在物质中损失的粒子能量。如果粒子将其全部能量损失在物质，E就是粒子的能量。由于粒子在空气中的射程很短在T=15，P=1大气压时，天然放射性核素衰变产生的粒子，射

3、程最大为Thc(212Po) 为8.62cm，能量最小232Th为2.5cm，所以测量室应采用真空室，如上图1所示，采用真空泵将测量室抽成真空，这样与探测器接触的粒子的能量才近似等于放射性核素经过粒子放出的粒子的初始能量近似是因为不可能将测量室抽成绝对真空。粒子在探测器中因电离、激发由于粒子的质量很大，所以与物质的散射作用很不明显。粒子在空气中的径迹是一条直线，这种直线很容易在威尔逊云室中看到。等效应而产生电流脉冲，其幅度与粒子能量成正比。电流信号经前置放大器、主放大器放大，出来的电信号通过多道分析器进展数据采集，最后通过计算机采集并显示其仪器谱实验用谱仪硬件连接及部构造框图如图1所示。仪器谱

4、以粒子的能量即脉冲幅度为横坐标，*个能量段粒子数或计数率为纵坐标，即可计算样品中各单个核素发射的粒子的能量与活度。理论上，单能粒子谱是线状谱，应是位于相应能量点处垂直于横坐标轴的单一直线，但由于粒子入射方向、空气吸收、样品源自吸收的差异和低能粒子的叠加等原因，实际测得的是具有一定宽度的单个峰，其峰顶位置相应于粒子的能量，谱线以下的面积为相应能量的粒子的总计数率，峰的半高宽与峰顶能量比值的百分数则为谱仪的能量分辨率。谱仪硬件连接及部构造框图图一所示。图一谱仪硬件连接及部构造框图3.2放射源放射源是以发射粒子为根本特征的放射源。粒子能量一般为4-8MeV，在空气中的射程为2.5-7.5cm，在固体

5、中的射程为10-20um。由于粒子穿透物质的能力弱，为此，设计制备放射源时必须考虑源的自吸收。目前工业用的放射源主要有241Am、238Pu、239Pu、244Cm(锔)和210Po(钋)等，用量最大的是241Am源。因为241Am容易生产，价格廉价，而且半衰期长。常用放射源核素数据如表一。本次实验，所用源：Am241的5.486MeV和Pu239的5.155MeV。核素半衰期主要粒子能量(MeV)及分支比(%)比活度(GBq/g)来源210Po138.4d5.3051001.67105233U1.59105a4.82484.44.78313.2235U7.1108a4.21664.36812

6、4.37464.40056天然放射性核素238Pu87.75a5.44528.75.49971.1636.4239Pu2.44104a5.103115.142155.155732.28241Am432a5.44312.75.48686126.9238U屡次中子俘获生成241Pu242Cm162.5d6.07126.36.11573.71.25105238U屡次中子俘获加衰变表一常用放射源核素数据3.3谱仪放射性样品的粒子与探测器相互作用，经前置放大器输出正比于粒子能量的脉冲信号，经线性放大后输入多道脉冲分析器分析，得到的计数按照能量(道址)分布的粒子能谱，实现核素的识别和活度测定。 本次试验仪

7、器拟采用西南科技大学国防重点试验室能谱仪，该谱仪为美国ORTEC公司生产的8通道能谱仪，型号为：ALPHA-ENSEMBLE.ORTEC在谱仪上采用超低本底和PIPS工艺外表钝化、离子注入、可擦洗硅探测器，同时真空舱室也为超低本底材料。面积上提供300、450、490、600、900和1200平方毫米的选择，有效耗尽层100m。构造特性与性能指标：样品直径可从13mm至51mm。探测器与被测样品之间有10档距离可选，相邻两档之间的距离差为4mm，最大距离可达44mm。真空计：围10mTorr到20Torr1 Torr 133.322 Pa。探测器偏压：围0100V，大小和正负极性可调节。漏电流

8、检测器：围0到10,000nA，显示分辨率3nA。脉冲产生器；围0到10MeV，稳定性50ppm/C，脉冲的幅度可调。数字化MCA(多道脉冲幅度分析仪)：通过软件可设置系统转换增益(道数)为256、512、1024、2048或者4096道，细调增益为0.25到1；增益稳定性：150ppm/C；每个事件的转换时间(死时间)：2s。数字化稳谱、ADC的零点(ZERO)和下阈(LLD)均由计算机调节设置。谱仪的探测器偏压、漏电流均可在软件相关界面上以数字和图形显示出来。输入电源：120/240 V ac， 50/60 Hz输入功率50W。通讯：USB2.0接口。每一个Alpha Ensemble最终

9、提供一条电缆给PC。应用软件：MAESTRO-32或AlphaVision工作条件:温度0C到50C，相对湿度 95%。分辨率与本底：基于使用450mm2 ULTRA-AS探测器和高质量的241Am点源，能量分辨率(FWHM)：20KeV (探测器到源的距离等于探测器的直径)，探测器效率：25% (探测器到源的距离小于10mm)，本底：在3MeV以上，每小时计数1。所有型号均可选择用于反冲抑制保护的样品盘选项。主要特点：探测室、前放、主放和多道一体化，系统具有高度的可靠性；全部功能由计算机通过仿真软件控制；每一路都完全独立、互不干扰或影响；每一路谱仪可配不同规格型号探测器；容纳样品直径最大可达

10、51mm，探测器面积最大可达1200mm2；系统可以扩展至8台共64路探测器。3.4探测器测量射线能谱相关原理因离子注入PIPS谱仪相关资料缺乏，故本实验报告以金硅面垒探测器为例加以说明。金硅面垒探测器是用一片N型硅，蒸上一薄层金100-200，接近金膜的那一层硅具有P型硅的特性，这种方式形成的PN结靠近外表层，结区即为探测粒子的灵敏区。探测器工作加反向偏压。粒子在灵敏区损失能量转变为与其能量成正比的电脉冲信号，经放大并由多道分析器测出幅度的分布，从而给出带电粒子的能谱。偏置放大器的作用是当多道分析器的道数不够用时，利用它切割、展宽脉冲幅度，以利于脉冲幅度的准确分析。为了提高谱仪的能量分辨率，

11、探测器要放在真空室中。另外金硅面垒探测器一般具有光敏的特性，在使用过程中，应有光屏蔽措施。金硅面垒型半导体谱仪具有能量分辨率高、能量线性围宽、脉冲上升时间快、体积小和价格廉价等优点，在粒子及其它重带电粒子能谱测量中有着广泛的应用。3.5谱仪的能量刻度和能量分辨率图一峰位-偏压曲线谱仪的能量刻度就是确定粒子能量与脉冲幅度大小以谱线峰位在多道分析器中的道址表示。谱仪系统的能量刻度有两种方法： 用一个239Pu、241Am、244Cm混合的刻度源，各核素粒子的能量，测出该能量在多道分析器上所对应的道址，作能量对应道址的刻度曲线，并表示为：E=Gd+EO图二能量分辨率-偏压曲线E为粒子能量keV,d为

12、对应E谱峰所在道址，G是直线斜率keV/每道，称为刻度常数。E0是直线截距keV，它表示由于粒子穿过探测器金层外表所损失的能量。4实验仪器、器材ALPHA-ENSEMBLE谱仪探测器PC机真空泵3GcB T44、所用源：Am241的5.486MeV和Pu239的5.155MeV 5实验步骤翻开PC机、8路谱仪和真空泵点击PC桌面上MAESTRO for Windows测量源也可测本底3.1点MAESTRO for Windows的Acquire3.1.0 设置3.1.1设置高压，点 high voltage 的可控按钮on，出现标志On说明高压设置ok3.2点MAESTRO for Windo

13、ws的Alpha3.2.1Target设为300小于1000即可3.2.2vacuum设置APump抽真空，通过actual看是否抽真空BVent放弃真空Chold保持真空3.2.3ADC：设置为40963.2.4点击presets ，设置live time测量活时间源小则时间设置长，反之则短3.2.5假设本来存在有谱，则在input图上点右键，点clear3.2.6input图上点右键，点start或菜单栏上go3.3点calculate，realtime设置为3003.3.1寻峰peak search3.3.2选中该峰，右键，点peak infoGross area：总计数，net are

14、a：净计数能量分辨率=FWHM/peak位3.3calibration：设置能量刻度，可默认3.4截图，打印关闭4.1去高压4.2去真空4.3去源4.4关机6实验数据记录、处理 6.1数据记录数据一源距4mm实验数据记录表一Peak Peak(Kev)FWHMFW组 Gross AreaNet Area239Pu2357.095155178241Am2514.7554140数据二源距8mm实验数据记录表二Peak Peak(Kev)FWHMFW组 Gross AreaNet Area239Pu 2356.305155 35.19 35.19 40452 28967544241Am2514.57

15、 5486 40.32 40.322850828241187 6.2数据处理6.2.1能量分辨率：能量分辨率源距4mm)：=0.0060=0.60%能量分辨率源距4mm)：=0.0056=0.56%能量分辨率源距8mm)：=0.0068=0.68%能量分辨率源距8mm)：=0.0073=0.73%6.2.2能量刻度： 即通过所得信号的分析得出相应的谱形和数据，处理后得到的道址与能量的对应关系。利用能量刻度曲线得出能量与道址的关系：E(keV)=a*+b*为道址。表一:能量刻度数据记录道址道址误差+ -能量Kev2357.090750.1475486能量刻度曲线一：由上图得出公式E(keV)=a*+b中A、B的值分别为：a=2.099 b=205.1即E(keV)=2.099*+205.1表二：能量刻度数据记录道址道址误差+ -能量Kev 2356.300.1415155 2514.570.1115486能量刻度曲线一：由上图得出公式E(keV)=a*+b中A、B的值分别为：a=2.091 b=228.0即E(keV)=2.091*+228.06.2.3不同探源距：不同探源距使得所得图谱中谱峰有所不同，探源距越长，谱峰的低能尾部越明显，使分辨率越差。因此，应尽可能缩小探源距即将放