LED产业化项目环评报告

1、.：.；建立工程根本情况工程称号光电科技LED产业化工程一期建立单位光电科技法人代表联络人通讯地址湖联络02传 真4邮政编码建立地点立项审批部门同意文号建立性质新建改扩建技术改造行业类别及代码C3971占地面积平方米3000绿化面积平方米510总投资万元7200其中：环保投资万元200环保投资占总投资比例2.8%评价经费1.2万元预期投产日期2007年5月一、工程内容及规模：1.1工程背景目前，国内外商用白光LED发光效率在3040流明/瓦，比白炽灯的光效15流明/瓦高出1倍以上，因此LED目前适用于以指示为主的运用领域，如手机背光源，全彩屏显示，交通指示灯，电器指示，城市景观亮化等。国际LE

2、D行业的市场表现平稳并稳步上升。我国的LED程度虽然在某些领域内曾经获得艰苦突破，但我国现阶段的整体行业程度与世界先进程度相比较还有很大的差距。主要表如今，我国LED技术大部分是跟踪国际程度，超高亮度的LED关键技术有待掌握，在产业上还没有构成规模化，产品在国际市场上所占的比例比较低，没有充分翻开市场，中低档产品所占份额较大，高档产品少，尤其是新产品研发才干比较弱，需求加强。我国在提高LED产业上有不少优势。首先，在市场拉动需求上，我国宏大的照明市场为LED产业的提升打下了良好的根底，具有扩展国内市场开发的潜力。其次，在我国的LED产业体系曾经有了一定的根底。具备了消费、开发大规模尖端LED产

3、品的条件，曾经初步构成从外延片消费、芯片制备、器件封装、集成运用的比较完好的产业链，产品封装在国际市场上占有较大的份额。第三，我国曾经具有较强的LED研发才干，863方案曾经使LED技术有了较大的突破，目前需求进一步将其转化为现实消费力。 光电科技成立于2006年4月。公司专业从事用于路灯、手机闪光灯和LCD背光源的半导体照明功率型发光二极管LED芯片的制造和销售，成为国内首家专业从事研发和消费照明瓦级功率芯片的企业。公司是由行业专家领军、留美归国博士胜利团队组成。该团队中心成员曾在美国LED公司AXT从事研发和消费，并曾胜利将国内LED公司上海蓝光扭亏为盈。他们对LED产业有深化的认识，具备

4、企业运营、市场、研发、消费和销售丰富的实践操作阅历。公司经过与国内外功率芯片封装厂如美国LedEngin、台湾亿光、南京汉德森光电、韩国Luxpid亲密协作，以性价比优良的产品奠定企业市场位置。公司除拥有国际一流水准的人才团队外，还具有良好的国际协作根底，与美国、新加坡、英国等及国内的相关研讨机构和公司，建立了亲密的产学研协作关系；目前拥有两项专有技术和四项发明专利。LED产品的技术特点如下：(1)电压：LED运用低压电源，供电电压在6-24V之间，根据产品不同而异，所以它是一个比运用高压电源更平安的电源，特别适用于公共场所。(2)效能：耗费能量较同光效的白炽灯减少80%。(3)适用性：每个单

5、元LED小片是3-5mm的正方形，体积很小，所以可以制备成各种外形的器件，并且适宜于易变的环境。(4)稳定性：10万小时，光衰为初始的50%。(5)呼应时间：普通白炽灯的呼应时间为毫秒级，LED灯的呼应时间为纳秒级。(6).对环境污染：无有害金属汞。(7)颜色：改动电流可以变色，发光二极管方便地经过化学修饰方法，调整资料的能带构造和带隙，实现红黄绿兰橙多色发光。如小电流时为红色的LED，随着电流的添加，可以依次变为橙色，黄色，最后为绿色。(8)价钱：相对于白炽灯，LED的价钱较贵，几只LED的价钱可以与一只白炽灯的价钱相当，而通常每组信号灯需由300500只二极管构成。根据和的有关规定， 光电

6、科技于2006年11月27日委托中钢集团武汉平安环保研讨院承当有关“ 光电科技LED产业化工程一期的环境影响评价任务，并编制环境影响报告表。1.2 工程建立概略1.2.1工程建立地点该工程拟在武汉光电国家实验室内建立，武汉光电国家实验室坐落于喻家山东麓，毗邻风景秀丽的东湖磨山，南接珞喻东路，西临喻家湖路，北枕喻家山东路。是由教育部、湖北省和武汉市共建，其依托单位是华中科技大学，另有三个组建单位：武汉邮电科学研讨院、中国科学院武汉物理与数学研讨所、华中光电技术研讨所。实验大楼总建筑面积45000平方米，其外型具有时代气味。已于2005年秋季开场投入运用。武汉光电国家实验室是国家科技创新体系的重要

7、组成部分，也是“武汉中国光谷的创新研讨基地。1.2.2建立规模与内容本工程拟引进国外消费设备、技术和国内的配套设备，采用先进的消费工艺及加工方式，工程一期拟建立一条瓦级LED消费线，进展研发和初试，估计年产量为12000只每只上含LED300500粒。工程投资总额为7200万元人民币，其中资金投入4200万元人民币，同时由国家光电实验室无偿提供折合3000万元人民币的设备及厂房，包括2000平方米的超净实验室。工程所需的外延片采取外购方式，其后续制备工艺主要是在基底上经过堆积或生长等方法制备一层掩模层，然后经过光刻等手段将需求在基底上刻蚀出的图形先加工到掩模上，接着运用刻蚀液进展刻蚀，最后去除

8、掩模层，在基底上得到所需的图形和构造。经薄膜、磨片、划片、裂片并经老化测试后，分拣出合格的芯片包装入库，消费出的芯片约为501000nm，检测合格后外销。该工程符合2004年修订鼓励类第三类制造业第二十条第3款：大屏幕彩色投影显示器用光学引擎、光源、投影屏、高明晰度投影管和LCOS硅基液晶，一种数码成像技术模块等关键件制造。1.2.3主要消费工艺清洗薄膜磨片测试分拣包装O2、Cl2、Ar、N2等裂片入库划片光刻研磨液酸、碱、丙酮、乙醇等光刻胶显影液超纯水图1 主要消费工艺流程图1.2.4主要消费设备选型LED工程消费过程中所运用的主要设备详见下表：表1 LED消费用主要设备一览表序号设备称号规

9、格型号台数产地1ICP-RIE等离子刻蚀系统Cirie-2001台湾 2ITO电子束蒸发台Peva-60011台湾3Metal电子束蒸发台Peva-600E1台湾4PECVD气相辅助堆积系统Cede-1001台湾5研削机SGM-63011日本6抛光机SW072日本7贴片压力机SKM1001日本8激光划片机OLSM-90TP-Y1日本9裂片机OBM-90YP-Y1日本106晶粒扩张机6晶粒扩张机1台湾11大功率LED测试仪LED Tester 617HC4台湾12半自动点测机Probe StationLEDA-8SEVA-3G4台湾13LED Mapping SorterLS-325C4台湾1.

10、2.5 工程建立主要原辅资料及动力耗费表2 主要原辅资料表序号资料称号单位耗费量供应及协作厂家1外延片片/天184进口3金g/d48国产4光刻胶kg/d0.12国产6显影剂kg/d16.7国产7硫酸l/d10国产8硝酸l/d3国产10去胶剂cc/d500国产12抛光液l/d2.8国产13扩展膜m2/d5.28国产14乙醇l/d30国产15丙酮l/d15国产16盐酸l/d5国产17特种气体kg/d0.2国产表3 动力耗费表动力称号单位用量质 量 指 标备注电kW600220/380V，50HZ本期氮气Nm3/h5压力0.60.7MPa，纯度99.995%本期纯水m3/h2电阻率18Mcm颗粒50

11、个/ml0.1m细菌1个/100ml压力：0.350.05 Mpa运用温度：222本期1.2.6 车间平面布置本工程建立地点位于国家光电实验室内，消费过程中所需求水电依托武汉国家光电实验室现有设备。消费车间主要运用国家光电实验室内大约2000平方米的超净实验室，其详细布置图见附图2。1.2.7公用工程(1)给排水本工程可依托国家光电实验室现有的公用设备工程，因此，供水直接运用光电实验室的供水管网。本工程运营期间产生一定量废水，经处置后与国家实验室污水一同排入城市污水管网，最终由龙王咀污水处置厂处置后排入南湖。拟建工程产生的废水主要有工艺废水及生活污水。工艺废水先后进入均质池、中和池和沉淀池进展

12、絮凝沉淀，上清液与生活污水一同排入城市污水管网，由龙王咀污水处置厂处置达标后排放。(2)供电工程直接运用国家光电实验室现有的供电设备，本工程建立年电耗费量为18万千瓦时。1.2.8 劳动定员与任务制度 拟建工程建成后，劳动定员为46人，其中办公管理人员为14人，车间任务人员为32人。年任务制度为300天 。1.2.9投资估算工程投资总额为7200万元人民币，其中资金投入4200万元人民币，同时由国家光电实验室无偿提供折合3000万元人民币的设备及厂房。与本工程有关的原有污染情况及主要环境问题：1废水国家光电实验室科研过程中产生的污水为实验污水主要为无机酸碱废水和生活污水。实验污水经中和、沉淀处置后与生活污水一同排入城市下水管网。2废气国家光电实验室产生的废气为微量酸性废气主要为HCl、HNO3等、微量碱性废气NH3以及有机溶剂废气主要为VOC。这些废气经由集气罩搜集，经过耐腐蚀性风管送入酸废气净化器和碳纤维废气净化器。其中，WSJ-3A型新型吸附剂酸废气净化器对微量酸性废气HCl、HNO3等处置效率达95%以上。WFJ-4A型碳纤维废气净化器对有机溶剂废气净化效率可达为95%99%，对微量碱性废气NH3处置效果也很好，可以到达85%以上，综上，净化后的废气浓度很低，经由屋顶的排气筒排放，排气筒高度高于周围其他建筑物排气筒高度大于20米，对评价区域内的环境空气质