双因素方差分析模型在霍尔测量中的应用

1、双因素方差分析模型在霍尔测量中的应用论文导读:：因此我们通过使用双因素方差分析来对数据进行分析。在测量半导体材料的霍尔效应实验和霍尔元件测量【1】中。这个电势差就是霍尔电压。论文关键词：双因素方差分析，霍尔效应，霍尔电压一.引言在测量半导体材料的霍尔效应实验和霍尔元件测量【1】中，我们经常需要判断不同的温度和不同的磁场强度对霍尔电压这一指标有无显著影响，以选取适宜条件。为此，我们在不同温度和不同磁场强度下做实验，在某一段温度范围和某一段磁场范围内，实验数据总是呈现波动状态。引起波动的原因可以分为两类：一类是由实验条件不同引起的，这是可以控制的因素，因此由实验条件引起的波动是系统波动；另一类是由

2、随机因素引起的，这是不可控制的因素，因此由随机因素引起的波动是偶然波动。这两类波动总是混杂在一起，使实验数据呈现总的波动状态。我们的目的是要对实验数据进行分析，把总的波动分为两局部：一局部是由实验条件引起的系统波动，另一局部是由随机因素引起的偶然波动，并对这俩局部加以比拟，判断不同的实验条件对实验结果是否有显著影响。因此我们通过使用双因素方差分析来对数据进行分析。二.霍尔效应【2】如图1所示，样品通以电流I，如果在垂直于样品外表且与电流垂直的方向上加一磁场，如下图样品就会产生一个与电流和磁场方向垂直的电势差，这个电势差就是霍尔电压图1与样品厚度d成反比，与磁感应强度和电流I成正比霍尔电压，比例

3、系数叫做霍尔系数。霍尔电势差是这样产生的：当电流通过样品其中为水平组合为由定义知，满足因此判断因素T的影响是否显著等价于检验判断因素B的影响是否显著等价于检验对上述假设构造检验统计量采用离差平方和分解的方法，当不存在交互作用时，总离差平方和分解为三局部：温度因素T的平方和，场强因素B的平方和及随机因素的误差平方和。记为，将总离差平方和进行分解其中如果假设与是正确的，那么所有的样本，可以看成根据定理:设总体U服从正态分布霍尔电压，从总体U中抽取样本,，样本均值和样本方差分别为和，那么:2与相互独立。可知，由于，且所以由于，且，所以此外，可以证明,相互独立，并且把，及分别除以相应的自由度，得到因素

4、T，因素B及误差的平均离差平方和,由F分布的定义可知，当、不为真时，,有偏大的趋势。于是对于给定的显著水平 ，查得临界值，当时拒绝,认为温度因素T的不同水平差异显著；当时拒绝,认为因素B的不同水平差异显著；否那么接受。四.总结文章通过建立双因素方差分析模型对霍尔电压在一定温度和场强条件下的实验数据进行分析，判断温度因素和场强因素在一定条件下对霍尔电压是否有显著影响。双因素方差分析模型还可以应用到其它的物理实验中【5】，如应用到考虑气流大小和气垫导轨的倾斜度对加速度的影响的牛顿第二定律验证的实验中。把双因素方差分析模型应用到物理实验中，判断实验条件中，哪些是主要影响因素，哪些是次要因素，判断两方面实验因素对实验结果是否有显著的影响很有帮助。参考文献1卢文科，朱长纯，方建安.霍尔元件与电子检测应用电路M.北京：中国电力出版社，2005:112-1192李学慧.大学物理实验M.北京：高等教育出版社，2005:76-783邓远北，周润兰.应用概率统计M.北京：科学出版社,2001:187-1894张国权.应用概