电子技术应用基础第一章基本半导体器件

1、电子技术应用基础第一章基本半导体器件第一节 半导体1.1.1 本征半导体 纯净的具有晶体结构的半导体导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。一、导体、半导体和绝缘体半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。光敏器件二极管+4+4+4+4+4+4+4+4+4 完全纯净的、不含其他杂质

2、且具有晶体结构的半导体称为本征半导体 将硅或锗材料提纯便形成单晶体，它的原子结构为共价键结构。价电子共价键图 1.1.1本征半导体结构示意图二、本征半导体的晶体结构当温度 T = 0 K 时，半导体不导电，如同绝缘体。+4+4+4+4+4+4+4+4+4图 1.1.2本征半导体中的 自由电子和空穴自由电子空穴 若 T ，将有少数价电子克服共价键的束缚成为自由电子，在原来的共价键中留下一个空位空穴。T 自由电子和空穴使本征半导体具有导电能力，但很微弱。空穴可看成带正电的载流子。三、本征半导体中的两种载流子四、本征半导体中载流子的浓度在一定温度下本征半导体中载流子的浓度是一定的，并且自由电子与空穴

3、的浓度相等。本征半导体中载流子的浓度公式：T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n = p =1.431010/cm3本征锗的电子和空穴浓度: n = p =2.381013/cm3本征激发复合动态平衡1. 半导体中两种载流子带负电的自由电子带正电的空穴 2. 本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现，称为 电子 - 空穴对。3. 本征半导体中自由电子和空穴的浓度用 ni 和 pi 表示，显然 ni = pi 。4. 由于物质的运动，自由电子和空穴不断的产生又不断的复合。在一定的温度下，产生与复合运动会达到平衡，载流子的浓度就一定了。5. 载流子的浓度与温度密切相关，它随着温度的升高

4、，基本按指数规律增加。小结：1.1.2杂质半导体杂质半导体有两种N 型半导体P 型半导体一、 N 型半导体(Negative)在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素，如磷、锑、砷等，即构成 N 型半导体(或称电子型半导体)。常用的 5 价杂质元素有磷、锑、砷等。 本征半导体掺入 5 价元素后，原来晶体中的某些硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个价电子，其中 4 个与硅构成共价键，多余一个电子只受自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。 自由电子浓度远大于空穴的浓度，即 n p 。电子称为多数载流子(简称多子)，空穴称为少数载流子(简称少子)。5 价杂质原子称为施主原子。+4+

5、4+4+4+4+4+4+4+4+5自由电子施主原子图 1.1.3N 型半导体二、 P 型半导体+4+4+4+4+4+4+4+4+4在硅或锗的晶体中掺入少量的 3 价杂质元素，如硼、镓、铟等，即构成 P 型半导体。+3空穴浓度多于电子浓度，即 p n。空穴为多数载流子，电子为少数载流子。3 价杂质原子称为受主原子。受主原子空穴图 1.1.4P 型半导体说明：1. 掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度；温度决定少数载流子的浓度。3. 杂质半导体总体上保持电中性。 4. 杂质半导体的表示方法如下图所示。2. 杂质半导体载流子的数目要远远高于本征半导体，因而其导电能力大大改善。(a)N 型半导体(b) P

6、 型半导体图 杂质半导体的的简化表示法 在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体，另一侧掺杂成为 N 型半导体，两个区域的交界处就形成了一个特殊的薄层，称为 PN 结。 PNPN结图 PN 结的形成一、PN 结的形成1.1.3PN结 PN 结中载流子的运动耗尽层空间电荷区PN1. 扩散运动2. 扩散运动形成空间电荷区电子和空穴浓度差形成多数载流子的扩散运动。 PN 结，耗尽层。PN3. 空间电荷区产生内电场PN空间电荷区内电场Uho空间电荷区正负离子之间电位差 Uho 电位壁垒； 内电场；内电场阻止多子的扩散 阻挡层。4. 漂移运动内电场有利于少子运动漂移。 少子的运动与多子运动方向相反

7、阻挡层5. 扩散与漂移的动态平衡扩散运动使空间电荷区增大，扩散电流逐渐减小；随着内电场的增强，漂移运动逐渐增加；当扩散电流与漂移电流相等时，PN 结总的电流等于零，空间电荷区的宽度达到稳定。对称结即扩散运动与漂移运动达到动态平衡。PN不对称结二、 PN 结的单向导电性1. PN结 外加正向电压时处于导通状态又称正向偏置，简称正偏。外电场方向内电场方向耗尽层VRI空间电荷区变窄，有利于扩散运动，电路中有较大的正向电流。PN什么是PN结的单向导电性？有什么作用？在 PN 结加上一个很小的正向电压，即可得到较大的正向电流，为防止电流过大，可接入电阻 R。2. PN 结外加反向电压时处于截止状态(反偏

8、)反向接法时，外电场与内电场的方向一致，增强了内电场的作用；外电场使空间电荷区变宽；不利于扩散运动，有利于漂移运动，漂移电流大于扩散电流，电路中产生反向电流 I ；由于少数载流子浓度很低，反向电流数值非常小。耗尽层图 1.1.7PN 结加反相电压时截止 反向电流又称反向饱和电流。对温度十分敏感，随着温度升高， IS 将急剧增大。PN外电场方向内电场方向VRIS 当 PN 结正向偏置时，回路中将产生一个较大的正向电流， PN 结处于 导通状态； 当 PN 结反向偏置时，回路中反向电流非常小，几乎等于零， PN 结处于截止状态。综上所述：可见， PN 结具有单向导电性。IS ：反向饱和电流UT ：

9、温度的电压当量在常温(300 K)下， UT 26 mV三、 PN 结的电流方程PN结所加端电压u与流过的电流i的关系为公式推导过程略四、PN结的伏安特性i = f (u )之间的关系曲线。604020 0.002 0.00400.51.02550i/ mAu / V正向特性死区电压击穿电压U(BR)反向特性图 1.1.10PN结的伏安特性反向击穿齐纳击穿雪崩击穿五、PN结的电容效应当PN上的电压发生变化时，PN 结中储存的电荷量将随之发生变化，使PN结具有电容效应。电容效应包括两部分势垒电容扩散电容1. 势垒电容Cb是由 PN 结的空间电荷区变化形成的。(a) PN 结加正向电压（b) PN

10、 结加反向电压-N空间电荷区PVRI+UN空间电荷区PRI+-UV空间电荷区的正负离子数目发生变化，如同电容的放电和充电过程。势垒电容的大小可用下式表示：由于 PN 结 宽度 l 随外加电压 u 而变化，因此势垒电容 Cb不是一个常数。其 Cb = f (U) 曲线如图示。 ：半导体材料的介电比系数；S ：结面积；l ：耗尽层宽度。OuCb图 1.1.11（b)2. 扩散电容 CdQ是由多数载流子在扩散过程中积累而引起的。在某个正向电压下，P 区中的电子浓度 np(或 N 区的空穴浓度 pn)分布曲线如图中曲线 1 所示。x = 0 处为 P 与 耗尽层的交界处当电压加大，np (或 pn)会

11、升高，如曲线 2 所示(反之浓度会降低)。OxnPQ12Q当加反向电压时，扩散运动被削弱，扩散电容的作用可忽略。Q正向电压变化时，变化载流子积累电荷量发生变化，相当于电容器充电和放电的过程 扩散电容效应。PNPN 结综上所述：PN 结总的结电容 Cj 包括势垒电容 Cb 和扩散电容 Cd 两部分。Cb 和 Cd 值都很小，通常为几个皮法 几十皮法， 有些结面积大的二极管可达几百皮法。当反向偏置时，势垒电容起主要作用，可以认为 Cj Cb。一般来说，当二极管正向偏置时，扩散电容起主要作用，即可以认为 Cj Cd；在信号频率较高时，须考虑结电容的作用。一、判断下列说法是否正确,用“”和“”表示判断

12、结果填入空内。(1)在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为 P 型 半导体。( )(2)因为 N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。( )二、选择正确答案填入空内。 （1）PN 结加正向电压时,空间电荷区将。变窄 B. 基本不变 C. 变宽（2）在本征半导体中加入（ ）元素可形成 N 型半导体,加入元素（ ）可形成 P 型半导体。A. 五价 B. 四价 C. 三价 第二节 半导体二极管二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型图1.2.1二极管的

13、几种外形将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。小功率二极管大功率二极管稳压二极管发光二极管1 点接触型二极管(a)点接触型 二极管的结构示意图半导体二极管的几种常见结构 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。3 平面型二极管 往往用于集成电路制造工艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。2 面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。(b)面接触型(c)平面型4二极管的代表符号D材料开启电压导通电压反向饱和电流硅Si0.5V0.50.8V1A以下锗Ge0.1V0.10.3V几十A开启电压反向饱和电流击穿电压温度的电压当量二极管的电流与其端电压的关系称为

14、伏安特性。二极管的伏安特性二极管的伏安特性曲线可用下式表示硅二极管2CP10的伏安特性正向特性反向特性反向击穿特性开启电压：0.5V导通电压：0.7伏安特性锗二极管2AP15的伏安特性UonU(BR)开启电压：0.1V导通电压：0.2V二、温度对二极管伏安特性的影响在环境温度升高时，二极管的正向特性将左移，反向特性将下移。二极管的特性对温度很敏感。 50I / mAU / V0.20.4 25510150.010.020温度增加T（）在电流不变情况下管压降u 反向饱和电流IS，U(BR) T（）正向特性左移，反向特性下移 1.2.3 二极管等效电路理想二极管近似分析中最常用理想开关导通时 UD

15、0截止时IS0导通时UDUon截止时IS0导通时i与u成线性关系应根据不同情况选择不同的等效电路！1. 将伏安特性折线化 二、二极管的微变等效电路 二极管工作在正向特性的某一小范围内时，其正向特性可以等效成一个微变电阻。即根据得Q点处的微变电导则常温下（T=300K）图1.2.7二极管的微变等效电路 二极管的参数(1) 最大整流电流IFM ： 最大平均值(2) 最大反向工作电压URM：最大瞬时值(3) 最大反向电流IRM(4) 最高工作频率fM：因PN结有电容效应在实际应用中，应根据管子所用的场合，按其所承受的最高反向电压、最大正向平均电流、工作频率、环境温度等条件，选择满足要求的二极管。 应

16、用举例 二极管的静态工作情况分析理想模型（R=10k）VDD=10V 时恒压模型（硅二极管典型值）折线模型（硅二极管典型值）设写出图示各电路的输出电压值,设二极管导通电压UD=0.7V。电路如图所示,已知ui=10sint(v),试画出ui与uO的波形。设 二极管正向导通电压可忽略不计。1.2.5 稳压二极管(a)符号(b)2CW17 伏安特性 利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态，反向电压应大于稳压电压。DZ1. 伏安特性进入稳压区的最小电流不至于损坏的最大电流 由一个PN结组成，反向击穿后在一定的电流范围内端电压基本不变，为稳定电压。2. 主要参数稳定电压U

17、Z、稳定电流IZ最大功耗PZmax IZmax UZ动态电阻rzUZ /IZ 若稳压管的电流太小则不稳压，若稳压管的电流太大则会因功耗过大而损坏，因而稳压管电路中必需有限制稳压管电流的限流电阻！限流电阻斜率？1.2.5 稳压二极管最大稳定工作电流 IZmax 已知稳压管的稳压值UZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA。求图示电路中UO1和UO2各为多少伏。稳压二极管的应用解： ui和uo的波形如图所示 （UZ3V）uiuODZR(a)(b)uiuORDZ一、发光二极管 LED (Light Emitting Diode)1. 符号和特性工作条件：正向偏置一般工作电流几十 mA， 导通电压

18、 (1 2) V符号u /Vi /mAO2特性1.2.6其它类型的二极管发光类型：可见光：红、黄、绿显示类型： 普通 LED ，不可见光：红外光点阵 LED七段 LED ,二、光电二极管符号和特性符号特性uiOE = 200 lxE = 400 lx工作原理：三、变容二极管四、隧道二极管(请同学们上网查找有关资料，写在作业本上）五、肖特基二极管(请同学们上网查找有关资料，写在作业本上）无光照时，与普通二极管一样。有光照时，分布在第三、四象限。 一、晶体管的结构和符号多子浓度高多子浓度很低，且很薄面积大晶体管有三个极、三个区、两个PN结。小功率管中功率管大功率管为什么有孔？第三节 半导体三极管1

19、.3.1晶体管的结构及类型常用的三极管的结构有硅平面管和锗合金管两种类型。a三极管的结构(a)平面型(NPN)(b)合金型(PNP)ebbecPNPe 发射极，b基极，c 集电极。NcNP二氧化硅发射区集电区基区基区发射区集电区图 1.3.2(b)三极管结构示意图和符号NPN 型ecb符号集电区集电结基区发射结发射区集电极 c基极 b发射极 eNNP集电区集电结基区发射结发射区集电极 c发射极 e基极 bcbe符号NNPPN图 1.3.2三极管结构示意图和符号(b)PNP 型1.3.2晶体管的电流放大作用以 NPN 型三极管为例讨论cNNPebbec表面看三极管若实现放大，必须从三极管内部结构

20、和外部所加电源的极性来保证。不具备放大作用三极管内部结构要求：NNPebcNNNPPP1. 发射区高掺杂。2. 基区做得很薄。通常只有几微米到几十微米，而且掺杂较少。三极管放大的外部条件：外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态，而集电结处于反向偏置状态。3. 集电结面积大。becRcRb一、晶体管内部载流子的运动I EIB发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流发射区的电子越过发射结扩散到基区，基区的空穴扩散到发射区形成发射极电流 IE (基区多子数目较少，空穴电流可忽略)。2. 扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基极电流电子到达基区，少数与空穴复合形成基极电流 Ibn，复合掉的空穴由

21、 VBB 补充。多数电子在基区继续扩散，到达集电结的一侧。晶体管内部载流子的运动becI EI BRcRb3.集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流Ic 集电结反偏，有利于收集基区扩散过来的电子而形成集电极电流 Icn。其能量来自外接电源 VCC 。I C另外，集电区和基区的少子在外电场的作用下将进行漂移运动而形成反向饱和电流，用ICBO表示。ICBO晶体管内部载流子的运动beceRcRb二、晶体管的电流分配关系IEpICBOIEICIBIEnIBnICnIC = ICn + ICBO IE=ICn + IBn + IEp = IEn+ IEpIE =IC+IB图1.3.4晶体管内部载流子的

22、运动与外部电流IB=IEP+ IBNICBO IBNICBO三、晶体管的共射电流放大系数电流分配： IEIBIC IE扩散运动形成的电流 IB复合运动形成的电流 IC漂移运动形成的电流穿透电流集电结反向电流直流电流放大系数交流电流放大系数1.3.3 晶体管的共射特性曲线uCE = 0VuBE /V iB=f(uBE) UCE=const(2) 当uCE1V时， uCB= uCE - uBE0，集电结已进入反偏状态，开始收 集电子，基区复合减少，在同样的uBE下 IB减小，特性曲线右移。(1) 当uCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。一. 输入特性曲线uCE = 0VuCE 1VuBE

23、 /V+-bce共射极放大电路UBBUCCuBEiCiB+-uCE饱和区：iC明显受uCE控制的区域，该区域内，一般uCE0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。iC=f(uCE) IB=const二、输出特性曲线输出特性曲线的三个区域:截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， uBE小于死区电压，集电结反偏。放大区：iC平行于uCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。三极管的参数分为三大类: 直流参数、交流参数、极限参数一、直流参数1.共发射极直流电流放大系数=（ICICEO）/IBIC / IB vCE=const1.3.4晶体

24、管的主要参数2.共基直流电流放大系数3.集电极基极间反向饱和电流ICBO集电极发射极间的反向饱和电流ICEOICEO=（1+ ）ICBO二、交流参数1.共发射极交流电流放大系数 =iC/iBUCE=const2. 共基极交流电流放大系数 =iC/iE UCB=const3.特征频率 fT值下降到1的信号频率1.最大集电极耗散功率PCM PCM= iCuCE 三、 极限参数2.最大集电极电流ICM3. 反向击穿电压 UCBO发射极开路时的集电结反向击穿电压。 U EBO集电极开路时发射结的反向击穿电压。 UCEO基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。几个击穿电压有如下关系 UCBOUCEOUEB

25、O 由PCM、 ICM和UCEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区。 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区 PCM= iCuCE U (BR) CEOUCE/V1.3.5温度对晶体管特性及参数的影响一、温度对ICBO的影响温度每升高100C ， ICBO增加约一倍。反之，当温度降低时ICBO减少。硅管的ICBO比锗管的小得多。二、温度对输入特性的影响温度升高时正向特性左移，反之右移60402000.40.8I / mAU / V温度对输入特性的影响200600三、温度对输出特性的影响温度升高将导致 IC 增大iCuCEOiB200600温度对输出特性的影响三极管工作状态的判断例1：

26、测量某NPN型BJT各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域？（1） VC 6V VB 0.7V VE 0V（2） VC 6V VB 4V VE 3.6V（3） VC 3.6V VB 4V VE 3.4V解：原则：正偏反偏反偏集电结正偏正偏反偏发射结饱和放大截止对NPN管而言，放大时VC VB VE 对PNP管而言，放大时VC VB VE （1）放大区（2）截止区（3）饱和区例2某放大电路中BJT三个电极的电流如图所示。 IA-2mA,IB-0.04mA,IC+2.04mA,试判断管脚、管型。解：电流判断法。电流的正方向和KCL。IE=IB+ ICABC IAIBICC为发射极B为基极

27、A为集电极。管型为NPN管。管脚、管型的判断法也可采用万用表电阻法。参考实验。例3：测得工作在放大电路中几个晶体管三个电极的电位U1、U2、U3分别为： （1）U1=3.5V、U2=2.8V、U3=12V （2）U1=3V、U2=2.8V、U3=12V （3）U1=6V、U2=11.3V、U3=12V （4）U1=6V、U2=11.8V、U3=12V判断它们是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？并确定e、b、c。（1）U1 b、U2 e、U3 c NPN 硅 （2）U1 b、U2 e、U3 c NPN 锗 （3）U1 c、U2 b、U3 e PNP 硅 （4）U1 c、U2 b、U3 e P

28、NP 锗原则：先求UBE，V，V，为锗管。发射结正偏，集电结反偏。 NPN管UBE0， UBC0，即UC UB UE 。 PNP管UBE0， UBC0，即UC UB UE 。解：1.3.6光电三极管一、等效电路、符号二、光电三极管的输出特性曲线ceceiCuCEO图1.3.11光电三极管的输出特性E1E2E3E4E0第一章 半导体器件复习1.BJT放大电路三个 电流关系 ？IE =IC+IB2.BJT的输入、输出特性曲线？uCE = 0VuCE 1VuBE /V3.BJT工作状态如何判断？1、稳压管的稳压区是其工作在（ ） 。 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿2、当晶体管工作在放大区时,发

29、射结电压和集电结电压应为（ ） 。 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏3、测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子,并分别说明它们是硅管还是锗管。第四节场效应管场效应管：一种载流子参与导电，利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的三极管，又称单极型三极管。场效应管分类结型场效应管绝缘栅场效应管特点单极型器件(一种载流子导电)； 输入电阻高；工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低。N沟道P沟道增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道（耗尽型）FET场效应管JFET结型MOSFET绝缘栅型(IGFET)场效应管分类：DSGN符号1.4.1结

30、型场效应管Junction Field Effect Transistor结构图 1.4.1N 沟道结型场效应管结构图N型沟道N型硅棒栅极源极漏极P+P+P 型区耗尽层(PN 结)在漏极和源极之间加上一个正向电压，N 型半导体中多数载流子电子可以导电。导电沟道是 N 型的，称 N 沟道结型场效应管。P 沟道场效应管P 沟道结型场效应管结构图N+N+P型沟道GSD P 沟道场效应管是在 P 型硅棒的两侧做成高掺杂的 N 型区(N+)，导电沟道为 P 型，多数载流子为空穴。符号GDS一、结型场效应管工作原理 N 沟道结型场效应管用改变 UGS 大小来控制漏极电流 ID 的。(VCCS)GDSNN型

31、沟道栅极源极漏极P+P+耗尽层*在栅极和源极之间加反向电压，耗尽层会变宽，导电沟道宽度减小，使沟道本身的电阻值增大，漏极电流 ID 减小，反之，漏极 ID 电流将增加。 *耗尽层的宽度改变主要在沟道区。1. 当UDS = 0 时， uGS 对导电沟道的控制作用ID = 0GDSN型沟道P+P+ (a) UGS = 0UGS = 0 时，耗尽层比较窄，导电沟比较宽UGS 由零逐渐减小，耗尽层逐渐加宽，导电沟相应变窄。当 UGS = UGS（Off)，耗尽层合拢，导电沟被夹断.ID = 0GDSP+P+N型沟道(b) UGS(off) UGS UGS（Off) ，iD 较大。GDSP+NiSiDP

32、+P+VDDVGG uGS UGS（Off) ，iD 更小。GDSNiSiDP+P+VDD注意：当 uDS 0 时，耗尽层呈现楔形。(a)(b)uGD uGS uDS GDSP+NiSiDP+P+VDDVGGuGS 0,uGD = UGS(off), ,沟道变窄预夹断uGS 0 ,uGD uGS(off),夹断，iD几乎不变GDSiSiDP+VDDVGGP+P+(1) 改变 uGS ，改变了 PN 结中电场，控制了 iD ，故称场效应管； (2)结型场效应管栅源之间加反向偏置电压，使 PN 反偏，栅极 基本不取电流，因此，场效应管输入电阻很高。(c)(d)3.当uGD uGS(off),时，

33、, uGS 对漏极电流iD的控制作用场效应管用低频跨导gm的大小描述栅源电压对漏极电流的控制作用。场效应管为电压控制元件(VCCS)。在uGD uGS uDS uGS(off)情况下, 即当uDS uGS -uGS(off) 对应于不同的uGS ，d-s间等效成不同阻值的电阻。(2)当uDS使uGD uGS(off)时，d-s之间预夹断(3)当uDS使uGD uGS(off)时， iD几乎仅仅决定于uGS ，而与uDS 无关。此时， 可以把iD近似看成uGS控制的电流源。二、结型场效应管的特性曲线1. 转移特性(N 沟道结型场效应管为例)O uGSiDIDSSUGS(off)图 1.4.6转移

34、特性uGS = 0 ，iD 最大；uGS 愈负，iD 愈小；uGS = UGS(off) ，iD 0。两个重要参数饱和漏极电流 IDSS(UGS = 0 时的 ID)夹断电压 UGS(off) (ID = 0 时的 UGS)UDSiDVDDVGGDSGV+V+uGS特性曲线测试电路+mA 转移特性O uGS/VID/mAIDSSUP图 1.4.6转移特性2. 输出特性曲线当栅源 之间的电压 UGS 不变时，漏极电流 iD 与漏源之间电压 uDS 的关系，即 结型场效应管转移特性曲线的近似公式：IDSS/ViD/mAuDS /VOUGS = 0V-1 -2 -3 -4 -5 -6 -7 预夹断轨

35、迹恒流区 可变电阻区漏极特性也有三个区：可变电阻区、恒流区和夹断区。(b)漏极特性输出特性（漏极特性）曲线夹断区UDSiDVDDVGGDSGV+V+uGS图 1.4.5(a)特性曲线测试电路+mA击穿区结型P 沟道的特性曲线SGD转移特性曲线iDUGS（Off）IDSSOuGS输出特性曲线iDUGS= 0V+uDS+o栅源加正偏电压，(PN结反偏)漏源加反偏电压。绝缘栅型场效应管MOSFEMetal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 由金属、氧化物和半导体制成。称为金属-氧化物-半导体场效应管，或简称 MOS 场效应管。特点：输入电阻可达1

36、010(有资料介绍可达1014）以上。类型N 沟道P 沟道增强型耗尽型增强型耗尽型UGS = 0 时漏源间存在导电沟道称耗尽型场效应管；UGS = 0 时漏源间不存在导电沟道称增强型场效应管。一、N 沟道增强型 MOS 场效应管 结构P 型衬底N+N+BGSDSiO2源极 S漏极 D衬底引线 B栅极 G图 1.4.7N 沟道增强型MOS 场效应管的结构示意图SGDB1. 工作原理 绝缘栅场效应管利用 UGS 来控制“感应电荷”的多少，改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，以控制漏极电流 ID。2.工作原理分析(1)UGS = 0 漏源之间相当于两个背靠背的 PN 结，无论漏源之间加何种极

37、性电压，总是不导电。SBD(2) UDS = 0，0 UGS UT)导电沟道呈现一个楔形。漏极形成电流 ID 。b. UDS= UGS UT， UGD = UT靠近漏极沟道达到临界开启程度，出现预夹断。c. UDS UGS UT， UGD UT由于夹断区的沟道电阻很大，UDS 逐渐增大时，导电沟道两端电压基本不变， iD因而基本不变。a. UDS UTP 型衬底N+N+BGSDVGGVDDP 型衬底N+N+BGSDVGGVDDP 型衬底N+N+BGSDVGGVDD夹断区DP型衬底N+N+BGSVGGVDDP型衬底N+N+BGSDVGGVDDP型衬底N+N+BGSDVGGVDD夹断区图 1.4.

38、9UDS 对导电沟道的影响(a) UGD UT(b) UGD = UT(c) UGD UGS UT时，对应于不同的uGS就有一个确定的iD 。此时， 可以把iD近似看成是uGS控制的电流源。3. 特性曲线与电流方程(a)转移特性(b)输出特性UGS UT 时)三个区：可变电阻区、恒流区(或饱和区)、夹断区。UT 2UTIDOuGS /ViD /mAO图 1.4.10 (a)图 1.4.10 (b)iD/mAuDS /VO预夹断轨迹恒流区 可变电阻区夹断区。UGS增加二、N 沟道耗尽型 MOS 场效应管P型衬底N+N+BGSD+制造过程中预先在二氧化硅的绝缘层中掺入正离子，这些正离子电场在 P

39、型衬底中“感应”负电荷，形成“反型层”。即使 UGS = 0 也会形成 N 型导电沟道。+UGS = 0，UDS 0，产生较大的漏极电流；UGS 0；UGS 正、负、零均可。iD/mAuGS /VOUP(a)转移特性IDSS耗尽型 MOS 管的符号SGDB(b)输出特性iD/mAuDS /VO+1VUGS=0-3 V-1 V-2 V43215101520N 沟道耗尽型MOSFET三、P沟道MOS管1.P沟道增强型MOS管的开启电压UGS(th) 0当UGS U(BR)GS ，PN 将被击穿，这种击穿与电容击穿的情况类似，属于破坏性击穿。1.最大漏极电流IDM 已知某管子的输出特性曲线如图所示。

40、试分析该管是什么类型的场效应管（结型、绝缘栅型、N沟道、P沟道、增强型、耗尽型）。分析：N沟道增强型MOS管，开启电压UGS(th) 4V电路如左图所示，其中管子T的输出特性曲线如右图所示。试分析ui为0V、8V和10V三种情况下uo分别为多少伏？分析：N沟道增强型MOS管，开启电压UGS(th) 4V解：(1) ui为0V ，即uGSui0，管子处于夹断状态所以u0 VDD 15V(2) uGSui8V时，从输出特性曲线可知，管子工作 在恒流区， iD 1mA， u0 uDS VDD - iD RD 10V(3) uGSui10V时，若工作在恒流区， iD 2.2mA。因而u0 15- 2.

41、2*5 4V但是， uGS 10V时的预夹断电压为uDS= uGS UT=(10-4)V=6V可见，此时管子工作在可变电阻区从输出特性曲线可得uGS 10V时d-s之间的等效电阻(D在可变电阻区，任选一点，如图)所以输出电压为晶体管场效应管结构NPN型、PNP型结型耗尽型 N沟道 P沟道绝缘栅增强型 N沟道 P沟道绝缘栅耗尽型 N沟道 P沟道C与E一般不可倒置使用D与S有的型号可倒置使用载流子 多子扩散少子漂移 多子运动输入量 电流输入 电压输入控制电流控制电流源CCCS()电压控制电流源VCCS(gm)1.4.4 场效应管与晶体管的比较噪声 较大 较小温度特性 受温度影响较大 较小，可有零温度系数点输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上静电影响 不受静电影响 易受静电影响集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和超大规模集成晶体管场效应管 小 结第 一 章一、两种半导体和两种载流子两种载流子的运动电子空穴两 种半导体N 型 (多电子)P 型 (多空穴)二、二极管1. 特性 单向导电正向电阻小(理想为 0)，反向电阻大()。iDO uDU (BR)I FURM2. 主要参数