spmc75变频评估套件配套例子

1、V1.0 Apr 29, 200619, InnovationRoad Science Park Hsin-Chu 300 R.O.C.: 886-3-578-6005 Fax: 886-3-578-4418 Web:SPMC75 基础例程FLASH 操作保留对此文件修改之权利且不另行通知。可靠之信息，但并不保证本文件中绝无错误。请于向所提供之信息相信为正确且提出订单前，自行确定所使用之相关技术文件及规格为之版本。若因贵公司使用本公司之文件或产品，而涉及第三人之专利或著作权等智能权之应用及配合时，则应由贵公司负责取得同意及，本公司仅单纯贩售产品，上述关于同意及，非属本公司应为保证之责任。又系统

2、及飞航等相关设备。之正式，本公司之所有产品不得使用于医疗器材，维持生命 Sunplus Technology Co.,.PAGE 1V1.0 Apr 29, 2006页概述4例子介绍4 硬件连接4 程序设计5 1.2.3.4. Sunplus Technology Co.,.PAGE 2V1.0 Apr 29, 2006目录修订 Sunplus Technology Co.,.PAGE 3V1.0 Apr 29, 2006版本日期作者修订内容V1.02006/4/29Peixing初始版本概述1.SPMC75 系列单片机内嵌 32K FLASH器。32K 的 FLASH 共分为 16 页，每页

3、2K 字，每页可再分为 8 块，每块 256 字。其中只有位于 0 xF0000XFF7F 区域内的页在运行模式下可设置为只读或可读可写，其他页不能设置为写模式。本例通过 C 语言和汇编语言两种方式让大家了解如何对 SPMC75 单片机的 FLASH 进行擦除、单字写入、多字写入等操作。例子介绍2.定义一个错误标志单元，并将错误标志单元初始化为 0 x0000。将 FLASH 位于0 xF0000XFF7F 区域内的 FLASH 中的一块（256 个字的空间）擦除（实现 FLASH 的擦除功能），然后对擦除的块进行校验，看是否有擦除错误的单元，若有擦除错误的单元，则错误标志单元第 0 位被置

4、1；然后利用单字写入方式向刚擦除完的 FLASH块里写入 10 个数（实现单字写入功能），而后写入的 10 个数据进行校验，若 10 个数据中有写入错误的，则错误标志单元第 1 位被置 1；然后通过多字写入模式向刚擦除完的 FLASH 块里写入 30 个数据（实现多字写入功能），而后对写入的 30 个数据进行校验，若 30 个数据中有写入错误的，则错误标志单元第 2 位被置 1。最后将错误标志单元数据送到主控板的 LED 显示，通过查看 LED 的点亮情况，就可以看出各功能的实现情况。 Sunplus Technology Co.,.PAGE 4V1.0 Apr 29, 2006FLASH 操

5、作硬件连接3.程序设计4.(1) 实现方法： 定义一个错误标志单元，并将错误标志单元初始化为 0 x0000。将 FLASH 位于 0 xF0000XFF7F 区域内的 FLASH 中的一块（256 个字的空间）擦除（实现 FLASH 的擦除功能），然后对擦除的块进行校验，看是否有擦除错误的单元，若有擦除错误的单元，则错误标志单元第 0 位被置 1；然后利用单字写入方式向刚擦除完的 FLASH 块里写入 10 个数（实现单字写入功能），而后写入的 10 个数据进行校验，若 10 个数据中有写入错误的，则错误标志单元第 1 位被置 1；然后通过多字写入模式向刚擦除完的 FLASH 块里写入 30

6、 个数据（实现多字写入功能），而后对写入的 30个数据进行校验，若 30 个数据中有写入错误的，则错误标志单元第 2 位被置 1。最后将 Sunplus Technology Co.,.PAGE 5V1.0 Apr 29, 2006IC1U1SER14 SERQA 15R2220 LED_A 11 ADIG1 12 1SRCLKQB 1R3220LED_B7 B2SRCLKQC 2R4220 LED_C 4 CDIG2 9 10 SRCLRQD 3R5220 LED_D 2 DRCLKQE 4R7220LED_E1 EDIG3 83RCLKQF 5R8220 LED_F 10 F 13 GQG

7、 6R9220 LED_G 5 GDIG4 64QH 7R10 220 LED_H 3 DP+5VQH 9S_DA DPY -7SEGX474HC595R14 4.7KR15 4.7K+5V+5VR16 4.7K1R17 4.7K1LED_CS1Q1LED_CS2Q2PNPPNP3132R18 4.7KR19 4.7K+5V+5VR20 4.7K1R21 4.7K1LED_CS3Q3LED_CS4Q4PNPPNP3334D2D3D4ARUNErr12LED_A12LED_C12LED_E2LED_FIC4R24 4.7KS_DA14 SERQA 15 LED_CS1+5V1 LED_CS2SR

8、CLK11QB 2 LED_CS3 10 SRCLKQC 3 LED_CS4R25 4.7K1SRCLRQD 4LED_CS5Q5RCLK12QE 5PNP 13 RCLKQF 65GQG 7VCC3+5VQHQH974HC595+5VDisplay25D5Hz12LED_BD6 SET12LED_DD7 V12222错误标志单元数据送到主控板的 LED 显示，通过查看 LED 的点亮情况，就可以看出各功能的实现情况。(2)程序流程图：开始系统初始化 ui_Err = 0 xff无擦除校验-有错？有无单字写入校验-有错？有无多字写入校验-有错？有while(1); Sunplus Techno

9、logy Co.,.PAGE 6V1.0 Apr 29, 2006显示错误状态ui_Err第2位置1FLASH写功能多字写入方式写入30个数据ui_Err第1位置1单字字写入方式写入写入10个数据ui_Err第0位置1将FLASH第14页第一块擦除FLASH写使能(3)程序代码：C 语言格式 Sunplus Technology Co.,.PAGE 7V1.0 Apr 29, 2006/=/工程名称： Exa09_Flash_C/编者：/功能描述： Flash 模式设置、擦除操作、写单字操作/以及写多字操作的子程序段/组成文件： main.c/Spmc75_regs.h, unspmacro.

10、h/硬件连接： 新版评估套件/完成日期： 2006-4-29/=#include Spmc75_regs.h #include unspmacro.h/=/语法格式： void Flash_RW_Disable(void)/功能描述： FLASH区写/返回值：无/=void Flash_RW_Disable(void)P_Flash_RW-W = 0 x5a5a;/第一次写入控制命令 P_Flash_RW-W = 0 x4000;/第二次写入设置字,只读/=/语法格式： void Flash_RW_Enable(void)/功能描述： FLASH区写使能/返回值：无/=void Flash_R

11、W_Enable(void)P_Flash_RW-W = 0 x5a5a;/第一次写入控制命令P_Flash_RW-W = 0 x0000;/第二次写入设置字，读写/=/void FlashErase(unsigned*sectorAddress)语法格式：/擦除一块 flash功能描述：/参数：sectorAddress-要擦除的块中的任意一个地址/返回值：无/注意：每擦除一次要延时 20ms 以上，才能再次对该块进行操作/本函数不包括延时，延时程序需另行编写/=void FlashErase(unsigned*sectorAddress)P_Flash_CMD-W = 0 xAAAA;/写

12、入控制命令P_Flash_CMD-W = 0 x5511;/写入擦除命令*sectorAddress = 0;/向要擦除块中的 sectorAddress 地址写入 0/=/语法格式：void FlashWrite(unsigned*sectorAddress,word)/功能描述：向指定地址写入指定的数/参数：sectorAddress-要写入数据的块地址,word-要写入的数据/返回值：无/注意：写入前保证对应地址已擦除/=void FlashWriteWord(unsigned*sectorAddress,word) Sunplus Technology Co.,.PAGE 8V1.0

13、Apr 29, 2006P_Flash_CMD-W = 0 xAAAA;/写入控制命令P_Flash_CMD-W = 0 x5533;/写入单字编程命令*sectorAddress = word;/向 sectorAddress 地址写入数据 word/=/语法格式：void FlashWrite(unsigned*sectorAddress,*Pword,unsigned char n)/功能描述：向指定地址写入多个数据/sectorAddress-要写入数据的块地址,Pword-要写入的数据的首地址参数：/n-要写入数据的个数/返回值：无/注意：写入前保证对应地址已擦除/=void Fla

14、shWritePage(unsigned*sectorAddress,*Pword,unsigned char n)nt i;P_Flash_CMD-W = 0 xAAAA;/写入控制命令for(i=0;iW = 0 x5544;/写入多字编程命令*(sectorAddress + i) = *(Pword + i);/将数据写入目标地址P_Flash_CMD-W = 0 xF;/结束连续字写入操作/=/主函数/=nt main(void)i_str_W255; Sunplus Technology Co.,.PAGE 9V1.0 Apr 29, 2006汇编语言格式 Sunplus Tech

15、nology Co.,.PAGE 10V1.0 Apr 29, 2006/=/工程名称： Exa09_Flash_ASM/编者：/功能描述： Flash 模式设置、擦除操作、写单字操作/以及写多字操作的子程序段/组成文件： main.asm/spmc75f2313a.inc/硬件连接： 新版评估套件/完成日期： 2006-4-29/=/=.INCLUDE spmc75f2313a.inc.CODE/=/主函数unsignedi,ui_delay;for(i=0;i=254;i+)i_str_Wi = i;/要写入 FLASH 的数组初始化，255 个数据Flash_RW_Enable();/F

16、LASH 写使能FlashErase(0 xf000);/将 FLASH 第 14 页第一块擦除 for(ui_delay=0;ui_delay=5000;ui_delay+); /延时 FlashWritePage(0 xf000,i_str_W,255); /将擦除的块写入 255 个数据FlashWriteWord(0 xf0ff,255);/ 向擦 除的块的最后一个单元写 入255(0 x00ff)Flash_RW_Disable();/FLASH 写功能while(1); Sunplus Technology Co.,.PAGE 11V1.0 Apr 29, 2006/=.PUBLI

17、C _main_main:r1 = 0 x0700P_IOB_Dir = r1/IOB 口设置为输出 P_IOB_Attrib = r1 /IOB 口设置为非反向 r1 = 0 x0000P_IOB_Buffer = r1/IOB 口输出为低r5 = 0 x0000/出错标志位初始化 call _Flash_RW_Enable /FLASH 写使能设置r1 = 0 xf000/擦除块的首地址call _FlashErase/擦除第 14 页第一块r1 = 0 xf000/擦除块的首地址r3 = 256/读出的数据个数寄存器?_VerifyErase:/擦除块中数据读出校验 r4 = r1/读数

18、据cmp r4,0 x f/判断是否擦除jz ?_ReadErase/对了则跳转r5 |= 0 x0001/错了则错误标志位第 00?_ReadErase: /没有写错 r1 += 1/地址加 1r3 -= 1/读出数据计数器减 1jnz ?_VerifyErase/256 个数据没读完则跳转r1 = 0 xf000/要写入数据的 Flash 首地址r2 = 0/要写入的数据r3 = 10/写入数据个数计数器?_WriteWord:/单字写入call _FlashWriteWord/将 r2 里面的数据写入 r1 地址中r1 += 1/地址加 1r2 += 1/数据加 1r3 -= 1/写入数

19、据个数计数器减 1jnz ?_WriteWord/写完 10 个数据了吗r1 = 0 xf000/写入数据的块的首地址r2 = 0/校验数据初始化r3 = 10/读出的数据个数寄存器?_VerifyWord:/单字写入的数据读出校验r4 = r1/读数据cmp r4,r2/判断是否写错jz ?_ReadWord/写对了则跳转r5 |= 0 x0002/写错了则错误标志第 10?_ReadWord:/没有写错r1 += 1/地址加 1r2 += 1/数据加 1r3 -= 1/读出数据计数器减 1jnz ?_VerifyWord/单字写入的 10 个数据没读完r1 = 0 xf00a/多字写入的首

20、地址r2 = 10/写入数据初始化r3 = 30/要写入的数据个数寄存器call _FlashWritePage/多字写入 Sunplus Technology Co.,.PAGE 12V1.0 Apr 29, 2006 Sunplus Technology Co.,.PAGE 13V1.0 Apr 29, 2006call _Flash_RW_Disable/Flash 些功能r1 = 0 xf00a/多字写入的数据读出校验 r2 = 10r3 = 30?_VerifyPage:r4 = r1cmp r4,r2jz ?_Reager5 |= 0 x0004/错误则错误标志第 20?_Reag

21、e: r1 += 1r2 += 1r3 -= 1jnz ?_VerifyPager1 = r5r1 |= 0 x0fc0call _LED_Display/显示错误状态，没有错误则 LED?_Loop:nopjmp ?_Loop/=/ 汇编格式: _Flash_RW_Disable/ 实现功能: FLASH 卸功能/参数: 无/ 出口参数: 无/ 破坏寄存器:无/=.PUBLIC _Flash_RW_Disable_Flash_RW_Disable:push r1 to spr1 = 0 x5a5aP_Flash_RW = r1/第一次写入控制命令r1 = 0 x4000P_Flash_RW

22、= r1/第二次写入设置字,只读pop r1 from spretf/=/汇编格式:_Flash_RW_Disable/实现功能:FLASH 卸功能使能/参数:无/出口参数:无/破坏寄存器:无/=.PUBLIC _Flash_RW_Enable_Flash_RW_Enable:push r1 to spr1 = 0 x5a5aP_Flash_RW = r1/第一次写入控制命令r1 = 0 x0000 Sunplus Technology Co.,.PAGE 14V1.0 Apr 29, 2006P_Flash_RW = r1/第二次写入设置字，读写pop r1 from spretf/=/语法

23、格式：_FlashErase/擦除一块 flash功能描述：/参数：r1-要擦除的块中的任意一个地址/返回值：无/出口参数:无/破坏寄存器:无/=.PUBLIC _FlashErase_FlashErase:push r2 to spr2 = 0 xAAAAP_Flash_Cmd = r2/写入控制命令r2 = 0 x5511P_Flash_Cmd = r2/写入擦除命令r2 = 0 x fr1 = r1/向要擦除块中任一地址地址写入 0pop r2 from spretf/=/_FlashWrite语法格式：/功能描述：向指定地址写入指定的数/参数：r1-要写入数据的地址,r2-要写入的数据

24、/返回值：无 Sunplus Technology Co.,.PAGE 15V1.0 Apr 29, 2006/破坏寄存器:无/注意：写入前保证对应地址已擦除/=.PUBLIC _FlashWriteWord_FlashWriteWord:push r4 to spr4 = 0 xAAAAP_Flash_Cmd = r4/写入控制命令r4 = 0 x5533P_Flash_Cmd = r4/写入单字编程命令r1 = r2/向 sectorAddress 地址写入数据 wordpop r4 from spretf/=/语法格式：_FlashWrite/功能描述：向指定地址写入多个数据/r1-要写入的数据块的首地址,参数：/r2-要连续写入数据的初值/r3-要写入数据的个数/返回值：无/破坏寄存器:无/注意：写入前保证对应地址已擦除/=.PUBLIC _FlashWritePage_FlashWritePage: push r4 to sp Sunplus Technology Co.,.PAGE 16V1.0 Apr 29, 2006r4