电力电子技术2

1、第2章 电力电子器件2.1 电力电子器件概述2.2 不可控器件二极管2.3 半控型器件晶闸管2.4 典型全控型器件2.5 其他新型电力电子器件1信息电子技术的基础 信息电子器件.电力电子电路的基础 电力电子器件.第2章 电力电子器件引言本章主要内容： 概述电力电子器件的概念、特点和分类等问题。 介绍常用电力电子器件的工作原理、基本特性、 主要参数以及选择和使用中应注意问题。2电力电子开关器件：一般专指以开关方式工作的电力半导体器件，它被直接应用在电力系统或电力设备的主电路中，实现电能的变换和控制任务。教学要求 1.了解电力电子开关器件的结构和工作原理； 2.掌握开关器件的基本特性和主要参数。第

2、2章 电力电子器件引言32.1.1 电力电子器件的概念和特征2.1.2 应用电力电子器件的系统组成2.1.3 电力电子器件的分类2.1 电力电子器件概述返回42.1.1 电力电子器件的概念和特征1）概念:电力电子器件（Power Electronic Device） 功率半导体开关器件，在主电路中通过控制其开关状态，能实现电能变换和控制的电子器件。主电路（Main Power Circuit） 电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路。电力电子器件返回52.1.1 电力电子器件的概念和特征图1-0 电力电子器件的理想开关模型2）电力电子器件基本模型它有三个电极：其中A和B代表开

3、关的两个主电极，K是控制开关通断的控制极；它只工作在“通态”和“断态”两种情况：通态时其电阻为零，断态时其电阻无穷大。返回6电力电子器件一般都工作在开关状态。主要进行电功率的处理，其能力一般远大于信息电子器件。电力电子器件往往需要由信息电子电路来驱动控制。电力电子器件功率损耗较大，远大于信息电子器件，一般都要安装散热器。2.1.1 电力电子器件的概念和特征3）电力电子器件基本特征（由模型分析出）：返回7通态损耗是器件功率损耗的主要成因。器件开关频率较高时，开关损耗可能成为器件功率损耗的主要因素。主要损耗通态损耗断态损耗开关损耗关断损耗开通损耗2.1.1 电力电子器件的概念和特征 电力电子器件的

4、损耗返回8电力电子系统：由控制电路、驱动电路、保护电路 和以电力电子器件为核心的主电路组成。图1-1 电力电子器件在实际应用中的系统组成控制电路检测电路驱动电路RL主电路V1V2保护电路在主电路和控制电路中附加一些电路，以保证电力电子器件和整个系统正常可靠运行2.1.2 应用电力电子器件系统组成电气隔离控制电路返回9按照器件能够被控制电路信号所控制的程度，分为以下三类：半控型器件绝缘栅双极晶体管（Insulated-Gate Bipolar TransistorIGBT）电力场效应晶体管（电力MOSFET）门极可关断晶闸管（GTO）不可控器件电力二极管（Power Diode）只有两个端子，器

5、件的通和断是由其在主电路中承受的电压和电 流决定的。通过控制信号既可控制其导通又可控制其关断，又称自关断器件。晶闸管（Thyristor）及其大部分派生器件器件的关断由其在主电路中承受的电压和电流决定全控型器件通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断。不能用控制信号来控制其通断, 因此也就不需要驱动电路。返回2.1.3 电力电子器件的分类10电流驱动型 通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者 关断的控制。电压驱动型 仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制。2.1.3 电力电子器件的分类 按照驱动电路信号的性质，分为两类：返回11 按照器件内部电子和空穴两种

6、载流子参与导电的情况分为三类： 1) 单极型器件电力电子器件的分类2.1.3 2) 双极型器件3) 复合型器件由一种载流子参与导电的器件。由电子和空穴两种载流子参与导电的器件。由单极型器件和双极型器件集成混合而成的器件。 返回122.1.4 如何考查电力电子器件导通压将(损耗)运行频率(恢复时间/开通时间/关断时间)器件容量(电能处理、变换的能力)可靠性(半控全控)返回132.2.1 PN结与电力二极管的工作原理2.2.2 电力二极管的基本特性2.2.3 电力二极管的主要参数2.2.4 电力二极管的主要类型2.2 不可控器件电力二极管（Power Diode）返回14 Power Diode结

7、构和原理简单，工作可靠，自20世纪50年代初期就获得应用。快恢复二极管和肖特基二极管，分别在中、高频整流和逆变，以及低压高频整流的场合，具有不可替代的地位。2.2 不可控器件电力二极管引言整流二极管及模块151617基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管一样。由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的。图1-2 电力二极管的外形、结构和电气图形符号 a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理AKAKa)IKAPNJb)c)AK返回18正向导通状态 即PN结外加正向电压时，处于导通状态，表现为低阻态。 但维持有1V左右的压降。反向截止状态 即PN结

8、外加反向电压时，处于截止状态，表现为高阻态。 但维持有微弱的漏电流流通，也称反向饱和电流，一般为微安级，几乎为零。电容效应 PN结的电荷量随外加电压而变化，故呈现电容效应。2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理返回PN结特性：电容效应PN结的工作频率，尤其是高速的开关状态。19主要指其伏安特性门槛电压UTO，正向电流IF开始明显增加所对应的电压。与IF对应的电力二极管两端的电压即为其正向电压降UF 。承受反向电压时，只有微小而数值恒定的反向漏电流。图1-4 电力二极管的伏安特性2.2.2 电力二极管的基本特性1) 静态特性IOIFUTOUFU返回202) 动态特性 二极管的电压-电流特性随时

9、 间变化的特性； 是因为有结电容的存在。2.2.2 电力二极管的基本特性b)UFPuiiFuFtfrt02Va)IFUFtFt0trrtdtft1t2tURURPIRPdiFdtdiRdt图1-5 电力二极管的动态过程波形 a) 正向偏置转换为反向偏置 b) 零偏置转换为正向偏置延迟时间：td= t1- t0, 电流下降时间：tf= t2- t1反向（阻断）恢复时间：trr= td+ tf。返回21在指定的管壳温度和散热条件下，其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。在此电流下，因管子的正向压降引起的损耗造成的结温升高不会超过所允许的最高工作结温。IF(AV)是按照电流的发热效应来定义的，使

10、用时应按有效值相等的原则来选取电流定额，并应留有一定的裕量。2.2.3 电力二极管的主要参数1) 正向平均电流IF(AV) -额定电流返回222.2.3 电力二极管的主要参数1) 正向平均电流IF(AV)返回23例如:某电力二极管的额定电流是100A，则可求得允许通过正弦半波的幅值电流Im314A,允许通过任意波形的的有效值为I=157A,即说明额定电流为100A的二极管可通过幅值为314A的正弦半波电流,可以全周期内通过任意波形的有效值为157A电流,其功耗不超过允许值。引入波形系数2.2.3 电力二极管的主要参数返回242.2.3 电力二极管的主要参数3）正向压降UF返回在指定温度下，流过

11、某一指定的稳态正向电流时，对应的正向导通压降。选择UF小的管子可以降低损耗。2） 反向重复峰值电压URRM对电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压。使用时，应当留有两倍的裕量。 4）反向恢复时间trr trr= td+ tf25结温是指管芯PN结的平均温度，用TJ表示。TJM是指在PN结不致损坏的前提下所能承受的最高平均温度。TJM通常在125175C范围之内。6) 浪涌电流IFSM指电力二极管所能承受最大的连续一个或几个工频周期的过电流。 1.2.3 电力二极管的主要参数5）最高工作结温TJM返回261) 普通二极管（General Purpose Diode）又称整流二极管（Rectif

12、ier Diode）;多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路;其反向恢复时间较长（5US以上）;正向电流定额和反向电压定额可以达到很高;2.2.4 电力二极管的主要类型返回27从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。前者trr为数百纳秒或更长，后者则在100ns以下，甚至达到2030ns。快恢复外延二极管 （Fast Recovery Epitaxial DiodesFRED），其trr更短（可低于50ns）， UF也很低（0.9V左右），但其反向耐压多在1200V以下。2.2.4 电力二极管的主要类型2) 快恢复二极管(快速二极管) （Fast Recovery DiodeFRD）

13、返回2829肖特基二极管的弱点反向耐压提高时正向压降会提高很多，多用于200V以下场合。反向稳态损耗不能忽略，必须严格地限制其工作温度。肖特基二极管的优点反向恢复时间很短（可小于10ns）。正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲。反向耐压较低时其正向压降（0.4-0.5V）明显低于快恢复二极管(0.8-1V )。效率高，其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还小。2.2.4 电力二极管的主要类型3. 肖特基二极管 以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode SBD）。返回30二极管的典型应用312.3 半控器件晶闸管2.3.1 晶

14、闸管的结构与工作原理2.3.2 晶闸管的基本特性2.3.3 晶闸管的主要参数2.3.4 晶闸管的派生器件返回322.3 半控器件晶闸管引言1956年美国贝尔实验室发明了晶闸管。1957年美国通用电气公司开发出第一只晶闸管产品。1958年商业化。开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代。20世纪80年代以来，开始被全控型器件取代。能承受的电压和电流容量最高，工作可靠，在大容量的场合具有重要地位。电力电子技术诞生的标志性器件。晶闸管（Thyristor）：晶体闸流管、可控硅整流器（Silicon Controlled RectifierSCR）33图1-6 晶闸管的外形、结构和电气图形符号a

15、) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号2.3.1 晶闸管的结构与工作原理外形有螺栓型和平板型两种封装。有三个联接端。螺栓型封装，通常螺栓是其阳极，能与散热器紧密联接且安装方便。平板型晶闸管可由两个散热器将其夹在中间。返回342.3.1 晶闸管的结构与工作原理常用晶闸管的结构螺栓型晶闸管返回351）平板型 2）螺栓型)返回363） SL16螺栓型散热器4） 模块散热器2）SS11型水冷散热器1） SF11型风冷散热器返回37如何控制灯泡亮、灭（暗）？晶闸管导通关断实验原理图2.3.1 晶闸管的结构与工作原理返回38实验顺序实验前灯的情况实验时晶闸管情况实验后灯的情况阳极电压门极电压导通实验12

16、3暗暗暗反向反向反向反向零正向暗暗暗123暗暗暗正向正向正向反向零正向暗暗亮关断实验123亮亮亮正向正向正向正向 零反向亮亮亮4亮正向减小到零(任意)暗39实验结论：晶闸管在反向阳极电压作用下，不论门极为何种电压，都处于关断状态；晶闸管仅在正向阳极电压与正向门极电压同时作用下，才能导通；已导通的晶闸管在正向阳极电压作用下，门极失去控制作用；晶闸管在导通状态时，当Ea(正向阳极电压)减小到接近零时，晶闸管关断。2.3.1 晶闸管的结构与工作原理返回402.3.2 晶闸管的基本特性承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。晶

17、闸管一旦导通，门极就失去控制作用。要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值（IH）以下 。晶闸管正常工作时的特性总结如下：返回41 晶闸管关断条件：使流过晶闸管的阳极电流（IA） 小于晶闸管规定的维持电流。实现关断的具体措施？ 去掉阳极所加的正向电压； 给阳极加反向电压； 增大回路阻抗，使流过阳极电流（IA）小于维持电流IH；2.3.1 晶闸管的结构与工作原理返回42工作原理与特性 一、晶闸管触发导通原理： 晶闸管的三个PN结可等效看成由两个晶体管V1(P1-N1-P2)与V2(N1-P2-N2)组成。AGKP1N1J1P2N2J2J3P1N1N1P2P2N22.3.1 晶闸管

18、的结构与工作原理返回43AGKRdEaEgIaIkIgIcov1v2由图可知，v1的集电极电流同时又是v2的基极电流，v2的集电极电流同时又是v1的基极电流，当晶闸管阳极加正向电压，一旦有足够的门极电流流入时，就形成强烈的正反馈。使两晶体管饱和导通即晶闸管导通IgIb2Ic2=Ib1Ic12.3.1 晶闸管的结构与工作原理电流驱动型返回442.3.1 晶闸管的结构与工作原理1-V1管电流增益；2- -V2管电流增益；ICBO1- V1管漏电流；ICBO2-V2管漏电流。图1-7 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理a) 双晶体管模型 b) 工作原理（1-2）（1-1）（1-3）（1-4）返回452

19、.3.1 晶闸管的结构与工作原理图1-7 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理a) 双晶体管模型 b) 工作原理（1-2）（1-1）（1-3）（1-4）（1-5）由以上式可得 ：返回462.3.1 晶闸管的结构与工作原理在低发射极电流下 是很小的，而当发射极电流建立起来之后， 迅速增大。 阻断状态：IG=0，1+2很小。流过晶闸管的漏电流稍大于两个晶体管漏电流之和。开通状态：注入触发电流使晶体管的发射极电流增大以致1+2趋近于1的话，流过晶闸管的电流IA，将趋近于无穷大，实现饱和导通。IA实际由外电路决定。不可能无穷大（1-5）返回472.3.1 晶闸管的结构与工作原理阳极电压升高至相当高的数值造

20、成雪崩效应；阳极电压上升率du/dt过高；结温较高；光触发。光触发可以保证控制电路与主电路之间的良好绝缘而应用于高压电力设备中，称为光控晶闸管（Light Triggered ThyristorLTT）。只有门极触发是最精确、迅速而可靠的控制手段。其他几种可能导通的情况：非正常控制正常控制返回48 Ig=0时，当阳极电压足够大时，晶闸管会“硬开通”，此电压称为正向转折电压UbO。正向导通Ig0=0IaUaABIHUROIg增加时，正向转折电压减小. 3.晶闸管一旦导通，门极失去控制作用. 4.当晶闸管加反向电压而且此电压足够大时，晶闸管反向击穿。UbOIg1Ig2Ig2Ig1Ig02.3.2

21、晶闸管的基本特性1） 静态特性返回492.3.2 晶闸管的基本特性1) 开通过程延迟时间td (0.51.5s)上升时间tr (0.53s)开通时间tgt： tgt=td+ tr （1-6）100%90%10%uAKttO0tdtrtrrtgrURRMIRMiA2) 关断过程反向阻断恢复时间trr正向阻断恢复时间tgr关断时间tq：tq=trr+tgr （1-7)普通晶闸管的关断时间约几百微秒2） 动态特性图1-9 晶闸管的开通和关断过程波形返回502.3.3 晶闸管的主要参数断态重复峰值电压UDRM 在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压。反向重复峰值电压URRM 在门

22、极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。通态（峰值）电压UT 晶闸管通以某一规定倍数的额定通态平均电流时的瞬态峰值电压。通常取晶闸管的UDRM和URRM中较小的标值作为该器件的额定电压。选用时，一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压23倍。使用注意：1）电压定额返回512.3.2 晶闸管的基本特性图1-8 晶闸管的伏安特性IG2IG1IG正向导通雪崩击穿O+UA-UA-IAIAIHIG2IG1IG=0UboUDSMUDRMURRMURSM返回522.3.3 晶闸管的主要参数通态平均电流 IT(AV）在环境温度为40C和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流

23、过的最大工频正弦半波电流的平均值。标称其额定电流的参数。使用时应按有效值相等的原则来选取晶闸管。维持电流 IH 使晶闸管维持导通所必需的最小电流。擎住电流 IL 晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后， 能维持导通所需的最小电流。对同一晶闸管来说，通常IL约为IH的24倍。浪涌电流ITSM指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流 。2）电流定额返回532.3.3 晶闸管的主要参数 除开通时间tgt和关断时间tq外，还有：断态电压临界上升率du/dt 指在额定结温和门极开路的情况下，不导致晶闸管从断态到通 态转换的外加电压最大上升率。 电压上升率过大，使充电电流足够

24、大，就会使晶闸管误导通 。 通态电流临界上升率di/dt 指在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。 如果电流上升太快，可能造成局部过热而使晶闸管损坏。3）动态参数返回542.3.4 晶闸管的派生器件有快速晶闸管和高频晶闸管。开关时间以及du/dt和di/dt耐量都有明显改善。普通晶闸管关断时间数百微秒，快速晶闸管数十微秒，高频晶闸管10s左右。高频晶闸管的不足在于其电压和电流定额都不易做高。由于工作频率较高，工作时不能忽略其开关损耗的发热效应。1）快速晶闸管（Fast Switching Thyristor FST)返回552.3.4 晶闸管的派生器件2）双向晶闸管（Tr

25、iode AC SwitchTRIAC或Bidirectional triode thyristor）图1-10 双向晶闸管的电气图形符号和伏安特性a) 电气图形符号 b) 伏安特性a)b)IOUIG=0GT1T2可认为是一对反并联联接的普通晶闸管的集成。有两个主电极T1和T2，一个门极G。在第和第III象限有对称的伏安特性。不用平均值而用有效值来表示其额定电流值。返回562.3.4 晶闸管的派生器件逆导晶闸管（Reverse Conducting ThyristorRCT）a)KGAb)UOIIG=0图1-11 逆导晶闸管的电气图形符号和伏安特性a) 电气图形符号 b) 伏安特性将晶闸管反并

26、联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件。具有正向压降小、关断时间短、高温特性好、额定结温高等优点。可用于不需要阻断反向电压的电路中。额定电流有两个：一个是晶闸管电流、一个是二极管电流。返回572.3.4 晶闸管的派生器件光控晶闸管（Light Triggered ThyristorLTT）图1-12 光控晶闸管的电气图形符号和伏安特性a)小功率外形 b) 电气图形符号 c) 伏安特性又称光触发晶闸管，是利用一定波长的光照信号触发导通的晶闸管。光触发保证了主电路与控制电路之间的绝缘，且可避免电磁干扰的影响。因此目前用在高压大功率的场合。光强度强弱c)OUIA返回58KK-快速晶闸管KP-普通

27、晶闸管KA-高频晶闸管补充.晶闸管常见型号认识KS-双向晶闸管返回59K P 表示晶闸管普通反向阻断型额定通态平均电流正反向重复峰值电压等级通态平均电压组别补充.晶闸管常见型号（KP型）认识返回60 1.型号为KP100-3，维持电流IH=4mA的晶闸管使用 在下图中电路里，问是否合理？为什么（暂不考虑电压电流裕量）？补充.思考题返回61 2.电路如下图所示，假设变压器T，晶闸管VT为理想元器件，现在电源的30 相位处给晶闸管一个可靠触发脉冲信号，试画出负载电压R上的电压波形图？补充.思考题返回62 2.电路如下图所示，假设变压器T，晶闸管VT为理想元器件，且在电源的30 相位处给晶闸管一个可

28、靠触发脉冲信号，试画出负载电压R上的电压波形图？补充.思考题返回633.用万用表怎样区分晶闸管阳极、阴极与门极？如何初步判断晶闸管的好坏？解：用万用表测量晶闸管三个极间的电阻。阳极A与阴极K间的正反向电阻接近无穷大，门极与阴极间电阻约为几百欧，并且G-K间的阻值略小于K-G间的阻值。补充.思考题返回64 3.电路如下图所示，假设变压器T，晶闸管VT为理想元器件，且在电源的30 相位处给晶闸管一个可靠触发脉冲信号，试画出负载电压R上的电压波形图？补充.思考题返回651）平板型 2）螺栓型)返回66螺栓式器件 返回673） SL16螺栓型散热器4） 模块散热器2）SS11型水冷散热器1） SF11

29、型风冷散热器返回68平板式器件 返回69三相桥 返回70功率半导体模块 返回71返回72返回73返回74返回75返回76KA型高频晶闸管参数表型号ITAVVDRMVTMVGTIGTtqtgtdi/dtdv/dtRjcf mSine wave10 kHzat 3ITAV(at 10kHz)Sine waveTc=65VRRM2525251252525125Tc=65（A）（V）（V）(V)(mA)(s)(s)(A/s)(V/s)(/W)kHzKA2020300 12003.22120102.5605000.420KA353521202.5800.2KA505021502.5800.11KA100

30、10021502.51000.08返回77KA型高频晶闸管参数表型号ITAVVDRMVTMVGTIGTtqtgtdi/dtdv/dtRjcf mSine wave10 kHzat 3ITAV(at 10kHz)Sine waveTc=65VRRM2525251252525125Tc=65（A）（V）（V）(V)(mA)(s)(s)(A/s)(V/s)(/W)kHzKA10001000300 16003.232502043008000.02010（6）KA12001200325043000.015KA16001600325043000.012KA20002000325043000.010返回78

31、KA型高频晶闸管参数表1）表中di/dt是在10kHz下测试的高频di/dt； 2）表中f m为最高工作频率；3）当fm为6kHz以下时，可以提供VDRM、VRRM高达1600V的元件；4）以上为清华川普公司产品。返回79双向晶闸管（KS）系列参数上海正力整流器有限公司返回80返回81返回822.4 典型全控型器件2.4.1 门极可关断晶闸管（GTO）2.4.2 电力晶体管_(GTR/BJT)2.4.3 电力场效应晶体管(P-MOSFET)2.4.4 绝缘栅双极晶体管(IGBT)返回831.4 典型全控型器件引言门极可关断晶闸管在晶闸管问世后不久出现;20世纪80年代以来，电力电子技术进入了一

32、个崭新时代;典型代表门极可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。842.4 典型全控型器件引言常用的典型全控型器件电力MOSFETIGBT单管及模块852.4.1 门极可关断晶闸管晶闸管的一种派生器件;可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断;GTO的电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用。门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor GTO）返回862.4.1 门极可关断晶闸管结构：与普通晶闸管的相同点： PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极。和普通晶闸管的不同点：GTO是一种多元的功率集成器件。图

33、1-13 GTO的内部结构和电气图形符号 a) 各单元的阴极、门极间隔排列的图形 b) 并联单元结构断面示意图 c) 电气图形符号1）GTO的结构和工作原理返回871.4.1 门极可关断晶闸管工作原理：与普通晶闸管一样，可以用图1-7所示的双晶体管模型来分析。 图1-7 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理 1+2=1是器件临界导通的条件。由P1N1P2和N1P2N2构成的两个晶体管V1、V2分别具有共基极电流增益1和2 。返回882.4.1 门极可关断晶闸管GTO能够通过门极关断的原因是其与普通晶闸管有如下区别：设计2较大，使晶体管V2控 制灵敏，易于GTO。导通时1+2更接近1，导通时接近临界

34、饱和，有利门极控制关断，但导通时管压降增大。 多元集成结构，使得P2基区横向电阻很小，能从门极抽出较大电流。 图1-7 晶闸管的工作原理返回892.4.1 门极可关断晶闸管GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度较浅。GTO关断过程中有强烈正反馈使器件退出饱和而关断。多元集成结构还使GTO比普通晶闸管开通过程快，承受di/dt能力强 。 由上述分析我们可以得到以下结论：返回902.4.1 门极可关断晶闸管开通过程：与普通晶闸管相同关断过程：与普通晶闸管有所不同储存时间ts，使等效晶体管退出饱和。下降时间tf 尾部时间tt 残存载流子复合。通常tf比ts小得多，而tt比ts要长。门极负

35、脉冲电流幅值越大，ts越短。Ot0tiGiAIA90%IA10%IAtttftstdtrt0t1t2t3t4t5t6 图1-14 GTO的开通和关断过程电流波形GTO的动态特性返回912.4.1 门极可关断晶闸管GTO的主要参数 延迟时间与上升时间之和。延迟时间一般约12s，上升时间则随通态阳极电流的增大而增大。 一般指储存时间和下降时间之和，不包括尾部时间。下降时间一般小于2s。（2） 关断时间toff（1）开通时间ton 不少GTO都制造成逆导型，类似于逆导晶闸管，需承受反压时，应和电力二极管串联 。 许多参数和普通晶闸管相应的参数意义相同，以下只介绍意义不同的参数。返回922.4.1 门

36、极可关断晶闸管（3）最大可关断阳极电流IATO（4） 电流关断增益off off一般很小，只有5左右，这是GTO的一个主要缺点。1000A的GTO关断时门极负脉冲电流峰值要200A 。 GTO额定电流。 最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值IGM之比称为电流关断增益。（1-8）返回932.4.2 电力晶体管电力晶体管（Giant TransistorGTR，直译为巨型晶体管） 。耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction TransistorBJT），英文有时候也称为Power BJT。20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前又大多被IGBT和电力

37、MOSFET取代。返回94与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的。主要特性是耐压高、电流大、开关特性好。通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构。采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成 。2.4.2 电力晶体管1）GTR的结构和工作原理图1-15 GTR的结构、电气图形符号和内部载流子的流动 a) 内部结构断面示意图 b) 电气图形符号 c) 内部载流子的流动返回952.4.2 电力晶体管在应用中，GTR一般采用共发射极接法。集电极电流ic与基极电流ib之比为（1-9） GTR的电流放大系数，反映了基极电流对集电极电流的控制能力 。当考虑到集电极和发射极间的漏电流Iceo时，ic和i

38、b的关系为 ic= ib +Iceo （1-10）单管GTR的 值比小功率的晶体管小得多，通常为10左右，采用达林顿接法可有效增大电流增益。空穴流电子流c)EbEcibic=bibie=(1+b )ib1）GTR的结构和工作原理返回962.4.2 电力晶体管 (1) 静态特性共发射极接法时的典型输出特性：截止区、放大区和饱和区。在电力电子电路中GTR工作在开关状态。在开关过程中，即在截止区和饱和区之间过渡时，要经过放大区。截止区放大区饱和区OIcib3ib2ib1ib1ib2 BUcex BUces BUcer Buceo。实际使用时，最高工作电压要比BUceo低得多。3）GTR的主要参数返回

39、992.4.2 电力晶体管通常规定为hFE下降到规定值的1/21/3时所对应的Ic 。实际使用时要留有裕量，只能用到IcM的一半或稍多一点。 3) 集电极最大耗散功率PcM最高工作温度下允许的耗散功率。产品说明书中给PcM时同时给出壳温TC，间接表示了最高工作温度 。 2)集电极最大允许电流IcM返回1002.4.2 电力晶体管一次击穿：集电极电压升高至击穿电压时，Ic迅速增大。只要Ic不超过限度，GTR一般不会损坏，工作特性也不变。 二次击穿：一次击穿发生时，Ic突然急剧上升，电压陡然下降。常常立即导致器件的永久损坏，或者工作特性明显衰变 。安全工作区（Safe Operating Area

40、SOA）最高电压UceM、集电极最大电流IcM、最大耗散功率PcM、二次击穿临界线限定。SOAOIcIcMPSBPcMUceUceM图1-18 GTR的安全工作区GTR的二次击穿现象与安全工作区返回1012.4.3 电力场效应晶体管分为结型和绝缘栅型通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）简称电力MOSFET（Power MOSFET）结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction TransistorSIT）特点用栅极电压来控制漏极电流驱动电路简单，需要的驱动功率小。开关速度快，工作频率高。热稳定性优于GTR。

41、电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置 。电力场效应晶体管返回1022.4.3 电力场效应晶体管电力MOSFET的种类按导电沟道可分为P沟道和N沟道。 耗尽型当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。 增强型对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道。电力MOSFET主要是N沟道增强型。1）电力MOSFET的结构和工作原理返回1032.4.3 电力场效应晶体管电力MOSFET的结构是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别。采用多元集成结构，不同的生产厂家采用了不同设计。图1-19 电力MOSFET的结构和电气图形符号返回104

42、2.4.3 电力场效应晶体管小功率MOS管是横向导电器件。电力MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET）。按垂直导电结构的差异，分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET）。这里主要以VDMOS器件为例进行讨论。电力MOSFET的结构返回1052.4.3 电力场效应晶体管截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。导电：在栅源极间加正电压UGS当UGS大于UT时，P型半导体反

43、型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电 。图1-19 电力MOSFET的结构和电气图形符号电力MOSFET的工作原理返回1062.4.3 电力场效应晶体管(1) 静态特性漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性。ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs。010203050402468a)10203050400b)1020305040饱和区非饱和区截止区ID/AUTUGS/VUDS/VUGS=UT=3VUGS=4VUGS=5VUGS=6VUGS=7VUGS=8VID/A图1-20 电力MOSFET的转移特性和输出

44、特性 a) 转移特性 b) 输出特性2）电力MOSFET的基本特性返回1072.4.3 电力场效应晶体管截止区（对应于GTR的截止区）饱和区（对应于GTR的放大区）非饱和区（对应GTR的饱和区）工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。图1-20电力MOSFET的转移特性和输出特性 a) 转移特性 b) 输出特性MOSFET的漏极伏安特性：010203050402468a)10203050400b)1020305040饱和区非饱和区截止区ID/AUTUGS/VUDS/VUGS=UT=3

45、VUGS=4VUGS=5VUGS=6VUGS=7VUGS=8VID/A返回1082.4.3 电力场效应晶体管开通过程开通延迟时间td(on) 上升时间tr开通时间ton开通延迟时间与上升时间之和关断过程关断延迟时间td(off)下降时间tf关断时间toff关断延迟时间和下降时间之和a）b)RsRGRFRLiDuGSupiD信号+UEiDOOOuptttuGSuGSPuTtd(on)trtd(off)tf图1-21 电力MOSFET的开关过程a) 测试电路 b) 开关过程波形up脉冲信号源，Rs信号源内阻，RG栅极电阻，RL负载电阻，RF检测漏极电流(2) 动态特性返回1092.4.3 电力场效

46、应晶体管 MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系。可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度。不存在少子储存效应，关断过程非常迅速。开关时间在10100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的。场控器件，静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。开关频率越高，所需要的驱动功率越大。MOSFET的开关速度返回1102.4.3 电力场效应晶体管3) 电力MOSFET的主要参数 电力MOSFET电压定额(1)漏极电压UDS (2)漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值IDM电力MOSFET电流定额(3) 栅源电压UGS UGS2

47、0V将导致绝缘层击穿 。 除跨导Gfs、开启电压UT以及td(on)、tr、td(off)和tf之外还有： (4)极间电容极间电容CGS、CGD和CDS返回1112.4.4 绝缘栅双极晶体管两类器件取长补短结合而成的复合器件Bi-MOS器件绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar TransistorIGBT或IGT）GTR和MOSFET复合，结合二者的优点。1986年投入市场，是中小功率电力电子设备的主导器件。继续提高电压和电流容量，以期再取代GTO的地位。 GTR和GTO的特点双极型，电流驱动，有电导调制效应，通流能力很强，开关速度较低，所需驱动功率大，驱动电路复杂。

48、 MOSFET的优点单极型，电压驱动，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单。返回1122.4.4 绝缘栅双极晶体管1) IGBT的结构和工作原理三端器件：栅极G、集电极C和发射极E图1-22 IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号a) 内部结构断面示意图 b) 简化等效电路 c) 电气图形符号返回1132.4.4 绝缘栅双极晶体管图1-22aN沟道VDMOSFET与GTR组合N沟道IGBT。IGBT比VDMOSFET多一层P+注入区，具有很强的通流能力。简化等效电路表明，IGBT是GTR与MOSFET组成的达林顿结构，一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管

49、。RN为晶体管基区内的调制电阻。图1-22 IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号a) 内部结构断面示意图 b) 简化等效电路 c) 电气图形符号 IGBT的结构返回1142.4.4 绝缘栅双极晶体管 驱动原理与电力MOSFET基本相同，场控器件，通断由栅射极电压uGE决定。导通：uGE大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。通态压降：电导调制效应使电阻RN减小，使通态压降减小。关断：栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。 IGBT的原理返回115a)b)O有源区正向阻断区饱和区反向阻

50、断区ICUGE(th)UGEOICURMUFMUCEUGE(th)UGE增加2.4.4 绝缘栅双极晶体管2) IGBT的基本特性 (1)IGBT的静态特性图1-23 IGBT的转移特性和输出特性a) 转移特性 b) 输出特性转移特性IC与UGE间的关系(开启电压UGE(th)输出特性分为三个区域：正向阻断区、有源区和饱和区。返回1162.4.4 绝缘栅双极晶体管ttt10%90%10%90%UCEIC0O0UGEUGEMICMUCEMtfv1tfv2tofftontfi1tfi2td(off)tftd(on)trUCE(on)UGEMUGEMICMICM图1-24 IGBT的开关过程IGBT的

51、开通过程 与MOSFET的相似开通延迟时间td(on) 电流上升时间tr 开通时间tonuCE的下降过程分为tfv1和tfv2两段。 tfv1IGBT中MOSFET单独工作的电压下降过程； tfv2MOSFET和PNP晶体管同时工作的电压下降过程。 (2)IGBT的动态特性返回1172.4.4 绝缘栅双极晶体管图1-24 IGBT的开关过程关断延迟时间td(off）电流下降时间 关断时间toff电流下降时间又可分为tfi1和tfi2两段。tfi1IGBT器件内部的MOSFET的关断过程，iC下降较快。tfi2IGBT内部的PNP晶体管的关断过程，iC下降较慢。 IGBT的关断过程ttt10%9

52、0%10%90%UCEIC0O0UGEUGEMICMUCEMtfv1tfv2tofftontfi1tfi2td(off)tftd(on)trUCE(on)UGEMUGEMICMICM返回1182.4.4 绝缘栅双极晶体管3) IGBT的主要参数正常工作温度下允许的最大功耗 。(3) 最大集电极功耗PCM包括额定直流电流IC和1ms脉宽最大电流ICP 。 (2) 最大集电极电流由内部PNP晶体管的击穿电压确定。(1) 最大集射极间电压UCES返回1192.4.4 绝缘栅双极晶体管IGBT的特性和参数特点可以总结如下：开关速度高，开关损耗小。 相同电压和电流定额时，安全工作区比GTR大，且 具有耐

53、脉冲电流冲击能力。通态压降比VDMOSFET低。输入阻抗高，输入特性与MOSFET类似。与MOSFET和GTR相比，耐压和通流能力还可以进一步提高，同时保持开关频率高的特点 。 返回1202.4.4 绝缘栅双极晶体管擎住效应或自锁效应： IGBT往往与反并联的快速二极管封装在一起，制成模块，成为逆导器件 。最大集电极电流、最大集射极间电压和最大允许电压上升率duCE/dt确定。 反向偏置安全工作区（RBSOA）最大集电极电流、最大集射极间电压和最大集电极功耗确定。 正偏安全工作区（FBSOA）动态擎住效应比静态擎住效应所允许的集电极电流小。擎住效应曾限制IGBT电流容量提高，20世纪90年代中后期开始逐渐解决。NPN晶体管基极与发射极之间存在体区短路电阻，P形体区的横向空穴电流会在该电阻上产生压降，相当于对J3结施加正偏压，一旦J3开通，栅极就会失去对集电极电流的控制作用，电流失控。返回1212.5 其他新型电力电子器件(了解)2.5.1 MOS控制晶闸管MCT2.5.2 静电感应晶体管SIT2.5.3 静电感应晶闸管SITH2.5.4 集成门极换流晶闸管IGC