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文档简介

1、场效应管及其基本放大电路场效应管及其基本放大电路1. 工作原理(1)栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用1. 工作原理(1)栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用（2）漏-源电压对漏极电流的影响预夹断uGDUGS（off）uGDUGS（off）uGD UGS（th）uGD VT ， VT 0N沟道耗尽型MOSFET ： vGS VT ， VT 0P沟道增强型MOSFET ： vGS VT ， VT 0P沟道耗尽型MOSFET ： vGS 04种MOSFET导通时有如下不同特点：2种JFET导通时有如下特点：N沟道JFET ： VT vGS 0 ， VT 0P沟道JFET ： 0 vGS 0iD(mA

2、 )vGS (V )30(a)(a)N沟道增强型MOSFET解：iD(mA )vGS (V )-20(b)(b)N沟道耗尽型MOSFETN沟道增强型MOSFET： vGS VT ， VT 0iD(mA )vGS (V )-30(c)iD(mA )vGS (V )-30(d)iD(mA )vGS (V )20(e)iD(mA )vGS (V )30(f)(c)N沟道JFET(d)P沟道增强型MOSFET(e)P沟道耗尽型MOSFET(f)P沟道JFETiD(mA )vGS (V )-30(c)iD(mA )vG5.2.1 场效应管静态工作点的设置方法1. 基本共源放大电路5.2 场效应管基本放大

3、电路5.2.1 场效应管静态工作点的设置方法1. 基本共源放大2. 自给偏压电路由正电源获得负偏压称为自给偏压2. 自给偏压电路由正电源获得负偏压3. 分压式偏置电路典型的Q点稳定电路3. 分压式偏置电路典型的Q点稳定电路例2：满足VDS VGS -VT ，假设成立，结果即为所求。解：可见VGS VT ，假设工作在饱和区。例2：满足VDS VGS -VT ，假设成立，结果即为所近似分析时可认为其为无穷大！根据iD的表达式或转移特性可求得gm。5.2.2 场效应管的交流等效模型近似分析时可认为其为无穷大！根据iD的表达式或转移特性可求得例：基本共源放大电路的动态分析例：基本共源放大电路的动态分析例

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