模拟电子技术基础笔记

1、 TOC o 1-3 h z u HYPERLINK l _Toc363410834 第一章 常用半导体器件 PAGEREF _Toc363410834 h 1 HYPERLINK l _Toc363410835 Q&A: PAGEREF _Toc363410835 h 1 HYPERLINK l _Toc363410836 1.1 半导体基础知识 PAGEREF _Toc363410836 h 1 HYPERLINK l _Toc363410837 1.1.1 本征半导体 PAGEREF _Toc363410837 h 1 HYPERLINK l _Toc363410838 1.1.2 杂质

2、半导体 PAGEREF _Toc363410838 h 2 HYPERLINK l _Toc363410839 1.1.3 PN结 PAGEREF _Toc363410839 h 2 HYPERLINK l _Toc363410840 1.2 半导体二极管 PAGEREF _Toc363410840 h 4 HYPERLINK l _Toc363410841 1.2.1 二极管常见结构 PAGEREF _Toc363410841 h 4 HYPERLINK l _Toc363410842 1.2.3 二极管的主要参数 PAGEREF _Toc363410842 h 5 HYPERLINK l

3、_Toc363410843 1.2.5 稳压二极管 PAGEREF _Toc363410843 h 5 HYPERLINK l _Toc363410844 1.2.6 其他类型二极管 PAGEREF _Toc363410844 h 5 HYPERLINK l _Toc363410845 1.3 晶体三极管 PAGEREF _Toc363410845 h 6 HYPERLINK l _Toc363410846 1.3.1 晶体管的结构和类型 PAGEREF _Toc363410846 h 6 HYPERLINK l _Toc363410847 1.3.2 晶体管的放大作用 PAGEREF _To

4、c363410847 h 6 HYPERLINK l _Toc363410848 1.3.3 晶体管的共射特性曲线 PAGEREF _Toc363410848 h 7 HYPERLINK l _Toc363410849 1.3.4 晶体管的主要参数 PAGEREF _Toc363410849 h 7 HYPERLINK l _Toc363410850 1.4 场效应管 PAGEREF _Toc363410850 h 8 HYPERLINK l _Toc363410851 1.4.1结型场效应管 PAGEREF _Toc363410851 h 8 HYPERLINK l _Toc36341085

5、2 1.4.2 绝缘栅型场效应管 PAGEREF _Toc363410852 h 10 HYPERLINK l _Toc363410853 第二章 基本放大电路 PAGEREF _Toc363410853 h 13 HYPERLINK l _Toc363410854 2.1 放大的概念和放大电路的主要性能指标 PAGEREF _Toc363410854 h 13 HYPERLINK l _Toc363410855 2.3 放大电路的分析方法 PAGEREF _Toc363410855 h 14第一章 常用半导体器件Q&A:?1.1 半导体基础知识1.1.1 本征半导体导体形成电流：导体一般为低

6、价元素，最外层的点子极易挣脱原子核的束缚成为自由电子，在外电场的作用下产生定向移动而产生电流。高价元素对电子的束缚力强，外层电子很难挣脱，所以是绝缘体。半导体用的硅和锗属于4价元素，介于导体和绝缘体中间。共价键：共价键中的电子跑出来之后就成为自由电子，在原位置形成空穴。空穴电流和电子电流，自由电子的定向移动形成电子电流，电子的移动过程中，电子将以一定的方向依次的填补空穴导致空穴也定向产生移动，故而产生空穴电流，半导体相比导体的一个特殊性就是半导体有两种载流子，空穴和电子，而导体只有电子。本征半导体载流子的浓度公式：ni=pi=K1T32eEG02kT其中：ni和pi为电子和空穴的浓度k为波尔兹

7、曼常数（8.63*10-5eV/K）EG0为热力学零度时破坏共价键所需的能量，又称禁断宽度（硅为1.21eV，锗为0.785eV）K1是与半导体材料载流子有效质量，有效能级密度有关的常量（硅为1.87*1016cm-3*k-3/2, 锗为1.76*）常温时（T=300K），硅材料ni=pi=1.43*1010cm-3， 锗材料ni=pi=2.38*1013cm-3本征半导体对温度敏感，既可以用来做热敏和光敏器件，有是造成半导体温度稳定性差的原因。从浓度公式可以看出，本征半导体的载流子浓度只和温度有关，温度越高，浓度越大。1.1.2 杂质半导体N型半导体：参杂5价元素（如磷），则在共价键之外形成

8、了自由电子。P型半导体：参杂3价元素（如硼），则共价键上形成空穴。参杂的浓度越高，则多子的浓度越高，导电能力越强。1.1.3 PN结PN结：将P型半导体和N型半导体制作在同一硅片上，就形成了PN结。PN结的平衡：PN结合在一起的时候，电子用N扩散到P，空穴相反。同时会形成空间电荷区（耗尽层），此电荷区的方向正好和电子扩散的方向相反，会使载流子形成漂移运动，当漂移运动和扩散运动一样的时候，就形成了平衡。PN结正偏：正电压加到P，加大了扩散运动，削弱了内电场，所以PN结导通，靠电子的运动形成电流。PN结反偏：正电压加到N，加大了内电场从而加大了漂移运动，削弱了扩散运动，但是少子的数量极少（本征半导

9、体激发，又被参杂的综合），所以漂移电流极少，所以PN结截止。PN结电流方程：i = Is(equkT1)其中 Is 为反向饱和电流 q为电子电量 k为波尔兹曼常数如果将kT/q 用UT代替，则i = Is(euUT1)室温的时候，T=300K，UT=26mVu为正，即PN正偏的时候，u UT，则i = IseuUT, 即i和u成指数变化。u为负，即PN结反偏的时候，u UT，则I = - IsPN结伏安特性图：反向击穿电压（UBR）：反向击穿有两种，齐纳击穿：高浓度参杂时，耗尽区窄，不大的反向电压就可以在耗尽层形成大电场，直接破坏共价键，产生电子空穴对，导致电流极具增大。雪崩击穿：低浓度参杂是

10、，耗尽层宽，但当电压加到一定的程度是，电场使少数电子加速漂移，与共价键中的价电子碰撞，产生电子空穴对，新产生的电子空穴对又去碰撞其他价电子，引起雪崩效应，导致电流大大增加。从以上分析可知，高浓度参杂的击穿电压比较低。PN结的结电容：一种是势垒电容，一种是扩散电容。势垒电容是耗尽层根据偏置电压的变化而变化产生的。扩散电容是耗尽层电容浓度梯队变化产生的。1.2 半导体二极管1.2.1 二极管常见结构二极管就是PN结+引线PN结面积越大，允许通过的电流越大。二极管的伏安特性： 温度升高，正向特性左移，反向特性下移硅的导通电压为0.60.8，锗的导通电压为0.10.31.2.3 二极管的主要参数最大整

11、流电流：长期运行时允许通过的最大正向平均电流，和PN结面积有关最高反向工作电压UR：二极管工作中允许的最大反向电压，一般为UBR的一半反向电流IR：二极管未击穿时的反向电流。IR越小，二极管的单向导电性越好截止频率FM： 二极管上限截止频率，超过此值时，由于结电容的作用，二极管不能体现单向导通性1.2.5 稳压二极管稳压二极管工作在击穿区，在一定的功耗范围内，电流的变化几乎不会引起电压的变化。当然需要限制电流，比如加限流电阻，否则电流太大会烧坏管子。主要参数有：稳定电流IZ：小与IZ将没有限流作用。大没关系，只要不烧坏管子。额定功耗PZM：稳定电压与最大稳定电流的沉积。动态电阻rZ：rZ越小，

12、稳压管稳压性能越好，因为电流的变化引起的电压变动小。温度系数a：UZ7V的管子属于雪崩击穿，温度越高，UZ越大，4VUZUON），发射区参杂浓度高，所以大量自由电子扩散运动到达基区。扩散运动形成了发射极电流IE。其中空穴从基极往发射极移动，但是因为基极参杂浓度低，这个电流可以忽略。基极电流IB：基区很薄，杂质浓度很低，集电极又加了反向电压，所以电子偏向于往集电极移动。只有极少部分和空穴复合产生基极电流IB。集电极电流IC：集电结反偏，反偏的作用就是吸引从发射区扩散到基极的电子（漂移运动），形成了集电极电流ICB = iCiB, a = iCiE = BB+11.3.3 晶体管的共射特性曲线输入

13、特性曲线：UCE一定的情况下，iB和uBE直接的关系。UCE=0是，和PN结的伏安特性类似。UCE增大，伏安特性右移，即相同的UBE，iB减少，因为UCE变大，集电区收集电子能力加强，导致一部分电子越过基区到集电区，导致基区电流变小。另外当UCE达到一定程度，收集电子能力饱和之后，UCE再增大就不会使特性曲线右移了。（UCE得比UBE大吧，这样才能算是集电结反偏吧？）输出特性曲线：IB为常量时， iC和uCE之间的关系。截止区：uBEuBE 。认为iC=0。放大区：uBEuon且uCEuBE, uCE足够大，集电区收集电子能力饱和，iC只和iB有关，这个有个概念不能混淆，工作在放大区反而是集电

14、区收集电子能力饱和，而工作在饱和区反而是集电区收集电子能力没饱和，要注意。饱和区：uBEuon且uCEUGS（off）,注意，此处UGS为负的。UGDUGS，表面负的少。测试电流和UDS成线性关系。恒流区：UDSUGS-UGS(off)(UGDUGS(off)，此时，ID基本受UGS控制，场效应管做放大器用时，应工作在恒流区。夹断区：s端相比g端高太多（UGSUGS(off)），导致夹断了沟道，iD为0，转移特性：UDS为常量时，漏极电流iD于UGS的关系。iD=IDSS（1- -uGSUGS(off)）, (UGS(off)uGS0)1.4.2 绝缘栅型场效应管一共有4种：N沟道增强型管，N

15、沟道耗尽型管，P沟道增强型管，P沟道耗尽型管。UGS加正电压，吸引正离子靠近绝缘层，正离子排斥空穴从而加宽耗尽层，而正离子吸引电子从而形成反型层，成为导电沟道。UGS达到一定程度（UGS（th），则会形成导电沟道。然后再加UDS电压，则电子从S到D，电流从D到S，而且，越靠近D端，反偏电压越高，则耗尽层越宽，UDS高到使UGD=UGS(th)时沟道关闭，这是管子进入恒流去，因为继续增大UDS，不会让电流增加，因为加大的电压和沟道关闭导致的阻力抵消，电流不变。此时，电流的大小仅和UGS相关三个工作区：夹断区，可变电阻区和恒流区。可变电阻和恒流区的临界点是UGD=UGS（th）iD= IDO(uG

16、SUGS(th)1)2IDO 是UGS=2UGS(th)时的电流N沟道耗尽型管就是在绝缘层加了正离子，不需要UGS的情况下就可以形成反型层，所以就是N沟道增强型管子的转移特性往左移就是了。第二章 基本放大电路2.1 放大的概念和放大电路的主要性能指标输入电阻：输入电阻越大，表明放大电路从信号源索取的电流越小，放大电路所得到的输入电压越接近信号源，换言之，信号源内阻上的压降越小，信号的损失越小。输出电阻：输出电阻越小，负载电阻变化时，负载的电压变化越小，成为放大电路的带负载能力越强。2.3 放大电路的分析方法放大电路分析的目的就是求解静态工作点和各项动态参数（AU，RI，RO）直流通路：1. 电

17、容为开路 2. 电感为短路 3.信号源当短路，但要保留电阻交流通路：1. 容量大的电容（如耦合电容）视为短路 2. 无内阻的直流电源视为短路分析放大电路时，应先静态，后动态，静态工作点用直流通路，动态参数用交流通路。简化的h参数模型rbe= rbb + BUTICQ ， rbb手册上会写出， UT=26mvrbe有动态电阻的概念，在电流越大的情况下，发射结的动态电阻越小基本共射放大电路动态参数：1. Au=Uo/Ui = - BRcRb+rbe2. Ri = Ui/Ri = Rb+rbe3. Ro= Rc对电子电路输出电阻进行分析时，可令信号源电压Us=0，但保留内阻Rs，然后在输出端加一正弦

18、波测试信号Uo，必然产生动态电流Io,则Ro= Uo/Io。由于rbe和Q点紧密相关，所以动态参数和Q点紧密相关。另外要指出，放大电路输入电阻和信号源内阻无关，输出电阻和负载无关。2.4 放大电路静态工作点的稳定温度上升，B增大，IC增大，所谓的稳定Q点，通常指在环境温度发生变化时静态集电极电流ICQ和管压降UCEQ基本不变。可以引入反馈网络来达到目的。典型如下：这种将输出量通过一定的方式引回到输入回路来影响输入量的措施成为反馈，由于此反馈的结果使输出量的变化减少，故称为负反馈，Re为反馈电阻。当发射极的电阻放到输入段来算的时候要乘1+B,同理，基极的电阻放到发射极来算的时候要除以1+B,这是

19、因为算电阻的时候通常用到电压的加减，而两端的电流有1+B的关系，所以电阻也要相应的变化。2.5 晶体管单管放大的三种基本接法附录资料：不需要的可以自行删除超宽超深地下连续墙施工工艺一、概述武林广场站位于杭州市中心广场武林广场东北角，是地铁1号线与3号线的换乘车站，车站长161.75m，标准段宽36.6 m,底板埋深约26.4m, 车站为地下三层四柱五跨三层结构，采用盖挖逆作法施工。车站围护结构采用1200mm厚地下连续墙，墙幅宽度为6.0m，深度为48m左右，十字钢板接头形式，单幅钢筋笼重约70t，设计要求进入中风化岩0.5m。二、工法特点地下连续墙工法问世以来，迅速的占有了广阔的市场，地下连

20、续墙工法主要有以下几方面的优点。1、施工时振动小，噪声低，非常适于在城市施工；2、墙体刚度大，用于基坑开挖时，极少发生地基沉降或塌方事故；3、防渗性能好；4、可以贴近施工，由于上述几项优点，我们可以紧贴原有建筑物施工；5、可用于逆作法施工；6、适用于多种地基条件；7、可用作刚性基础；8、占地少，可以充分利用建筑红线以内有限的地面和空间，充分发挥投资效益；9、功效高、工期短，质量可靠。当然，所有的事物都有两面性，地连墙工法也存在以下缺点：1、在一些特殊的地质条件下（如很软的淤泥质土，含漂石的冲积层和超硬岩石等），施工难度很大；2、如果施工方法不当或地质条件特殊，可能出现相邻槽段不能对齐和漏水的问

21、题。3、地下连续墙如果用作临时的挡土结构，比其他方法的费用高；4、在城市施工时，废弃泥浆的处理比较麻烦。三、施工方法及操作控制要点1、施工优化控制的要点1.1 地下连续墙一般宽为6m，墙厚1.2m属于超宽地连墙，在施工技术方面还不是很成熟，机械方面相应的成槽机、反力箱、大型起重设备等的应用都是经过反复计算在经济安全的前提下确定的。1.2 在成槽过程中机械自身的垂直控制系统1.3 由于采用十字钢板对刷壁造成一定难度，在经过研究后采用在成槽机抓斗上安装侧铲进行刷壁然后再用钢刷刷壁器进行刷壁。1.4 在地连墙施作过程中要穿越承压水层，为防止开挖过程中承压水绕流，在地连墙内预埋注浆管，在地连墙全部达到

22、强度后进行墙趾注浆1.5 本工程反力箱放置深度达到4352m，混凝土浇筑时间也长达8小时左右，反力箱自重、混凝土的握裹力和土体的摩擦力极大，为顺利拔出反力箱在混凝土浇筑完34小时后，先用液压油顶对其进行松动，在混凝土初凝后在进行起拔。2、关键工序施工方法及控制要点2.1 道路硬化因地下连续墙施工过程中，成槽机械及吊运钢筋笼的大型履带式起重机需要在场地内来回行走，我单位根据以往的经验并结合本工程的实际情况，对结构内侧及导墙外侧1m的范围内浇筑30cm厚C20钢筋混凝土路面，配筋采用16的螺纹钢横向间距200 mm、纵向200mm，双层双向布置，并与导墙筑成一体。2.2 导墙的施工导墙采用钢筋混凝

23、土结构，壁厚20cm，配筋为单层双向14200mm，导墙净宽1250mm，导墙应和附近路面一体浇捣.导墙沟（放坡比为1:0.5）采用挖掘机开挖，人工配合修整清底，导墙开挖好一段后，在沟槽底按地连墙尺寸制作木模，架立模板，经测量检查位置符合规范偏差要求后，进行C20混凝土灌筑，泵送入仓。如果导墙施作过程中遇到障碍物、软弱地层或其它废弃管线导致开挖深度过大，则可把导墙加深以满足施工要求。导墙施工工艺流程图见下图。平整场地测量定位挖 槽绑扎钢筋浇 灌 砼支立模板拆 模设横支撑 导墙施工工艺流程图导墙施工注意要点A. 在导墙施工全过程中，保持导墙沟内不积水。B. 横贯或靠近导墙沟的废弃管道需封堵密实，

24、以免成为漏浆通道。C. 导墙沟侧壁土体是导墙浇捣混凝土时的外侧土模，防止导墙沟宽度超挖或土壁坍塌。D. 现浇导墙分段施工，水平钢筋应预留连接钢筋与邻接段导墙的水平钢筋相连接。E. 必须保证导墙的内净宽度尺寸与内壁面的垂直精度达。F. 导墙立模结束之后，应对导墙放样成果进行最终复核。G. 导墙混凝土强度达到50时，方可进行成槽作业，在此之前禁止车辆和起重机等重型机械靠近导墙。2.3泥浆制备与管理泥浆在地下连续墙成槽过程中起到护壁作用，泥浆护壁是地下连续墙施工的基础，其质量好坏直接影响到地下连续墙的质量与施工安全，泥浆系统工艺流程见下图。新鲜泥浆贮存施 工 槽 段新鲜泥浆配制加料拌制再生泥浆回收槽

25、内泥浆净化泥浆劣化泥浆再生泥浆贮存振动筛分离泥浆沉淀池分离泥浆旋流器分离泥浆粗筛分离泥浆劣化泥浆废弃处理净化泥浆性能测试泥浆系统工艺流程图A. 泥浆配合比根据地质条件，泥浆采用膨润土制备，泥浆配合比如下：（每立方米泥浆材料用量Kg）膨润土:80 纯碱:4 水:950 CMC:5上述配合比在施工中根据试验槽段及实际情况可进行适当调整。泥浆制备的性能指标如下泥浆性能新配制循环泥浆废弃泥浆检验方法比重（g/cm3）1.06-1.081.151.35比重法粘度（s）25-303560漏斗法含砂率（%）4711洗砂瓶PH值8-9814PH试纸泥浆配制的方法见下图“泥浆配制流程图”。原 料 试 验称 量

26、投 料CMC和纯碱加水搅拌5分钟膨润土加水冲拌5分钟混合搅拌3分钟泥浆性能指标测定溶胀24小时后备用泥浆配制流程图B. 泥浆储存泥浆储存采用半埋式砖砌泥浆池储存。C. 泥浆循环泥浆循环采用3LM型泥浆泵输送，4PL型泥浆泵回收，由泥浆泵和软管组成泥浆循环管路。D. 泥浆的分离净化在地下墙施工过程中，因为泥浆要与地下水、泥土、砂石、混凝土接触，其中难免会混入细微的泥沙颗粒、水泥成分与有害离子，必然会使泥浆受到污染而变质。因此，泥浆使用一个循环之后，要对泥浆进行分离净化，提高泥浆的重复使用率。槽内回收泥浆的分离净化过程是：先经过土碴分离筛，把粒径大于10mm的泥土颗粒分出来，防止其堵塞旋流除碴器下

27、泄口，然后依次经过沉淀池、旋流除碴器、双层振动筛多级分离净化，使泥浆的比重与含砂量减小，如经第一循环分离后的泥浆比重仍大于1.15，含砂量仍大于4%，则用旋流除碴器和双层振动筛作第二、第三循规蹈矩环分离，直至泥浆比重小于1.15，含砂量小于4%为止。E. 泥浆池设计泥浆池容量设计（以成槽开挖宽度6m计）地下墙的标准槽段挖土量：V1=长6m深47m厚1.2m=339m3新浆储备量：V2=V180%=271m3泥浆循环再生处理池容量：V3=V11.5=509m3砼灌筑产生废浆量：V4=6m4m1.2m =29m3泥浆池总容量：VV3+V4=538m32.3 连续墙成槽施工成槽是地连续墙施工的关键工

28、序，成槽约占地下连续墙工期的一半，因此提高成槽的效率是缩短工期的关键。同时，槽壁形状决定墙体的外形，所以成槽的精度和质量是保证地下连续墙质量的关键，单元槽段之间的接头尽量避免设在转角处。A. 成槽施工连续墙施工采用跳槽法，施工根据槽段长度与成槽机的开口宽度，确定出首开幅和闭合幅，保证成槽机挖土时两侧邻界条件的均衡性，以确保槽壁垂直，部分槽段采取两钻一抓。成槽后用超声波检测仪检查成槽质量。在成槽过程中，严格控制抓斗的垂直度和平面位置，在开挖槽段时，操作手要仔细观察成槽机的监测系统，当X，Y轴任一方向偏差超过允许值时，立即进行纠偏，抓斗贴基坑侧导墙入槽，机械操作要平稳,抓斗出入导墙口时要轻放慢提，

29、防止泥浆掀起波浪，影响导墙下面和后面的土层稳定,并及时补入泥浆，维持槽段中泥浆液面稳定。成槽施工见下图“成槽施工图”。成槽施工图： B. 成槽注意事项及操作要领a根据设计图纸确定的地连墙位置，在导墙顶面上测量放线并按编号分段。b将抓斗就位，就位前要求场地平整坚实，以满足施工垂直度要求，吊车履带与导墙垂直，抓斗要对准导墙中心线,为减少抓斗施工的循环时间，提高功效，每台成槽机配置2台短驳车，将泥渣运至堆料场暂存。c成槽垂直度控制是关键，成槽施工中注意观察车载测斜仪器图形，发现偏斜随时采用纠偏导板来纠偏，遇到严重不均匀的地层，或纠偏困难的地层时，回填槽孔，重新挖掘。d边开挖边向导墙内泵送泥浆，保持液

30、面在导墙顶面下30cm-50cm，挖槽过程中随着孔深的向下延伸，要随时向槽内补浆，使泥浆面始终位于泥浆面标高，直至成槽完成。e灌筑砼前，要测定泥浆面下1m及槽底以上1m处泥浆比重和含砂量，若比重大于1.20，则采取置换泥浆清孔，成槽后沉淀30分钟，然后用抓斗直接捞渣清淤。f为避免对新浇槽段的混凝土产生扰动，开挖采取跳槽施工。g成槽过程中，导杆应垂直槽段，抓斗张开，照准标志徐徐入槽抓土，严禁迅速下斗，快速提升，以防破坏槽壁和坍塌，垂直度应控制在设计要求之内，抓斗挖出土直接卸到自卸车上，转运到堆土场。随着开挖深度增加，连续不断向槽内供给新鲜泥浆，保证泥浆高度，各项泥浆指标要符合技术要求，使泥浆起到

31、良好的护壁作用，防止槽壁坍塌，在遇到含砂量较大的土层，槽壁易塌时，注意加大泥浆比重，适当加入加重剂，当接近槽底时，放慢开挖速度，仔细测量槽深，防止超挖和欠挖。h挖槽机操作要领抓斗出入导墙口时要轻放慢提，防止泥浆掀起波浪，影响导墙下面、后面的土层稳定。不论使用何种机具挖槽，在挖槽机具挖土时，悬吊机具的钢索不能松驰，定要使钢索呈垂直张紧状态，这是保证挖槽垂直精度必需做好的关键动作。挖槽作业中，要时刻关注测斜仪器的动向，及时纠正垂直偏差。单元槽段成槽完毕或暂停作业时，即令挖槽机离开作业槽段。C. 成槽开挖精度槽段开挖精度表项目允许偏差检验方法槽段厚度10mm5m精密钢尺墙体垂直度L/300超声波测斜

32、仪槽段长度50mm超声波测斜仪墙顶中心线允许偏差30mm全站仪2.5 刷壁施工成槽完成后在相邻一幅已经完成地下墙的接头上必然有黏附的淤泥，如不及时清除会产生夹泥现象，造成基坑开挖过程中地下墙渗水，为此必须采取刷壁措施，首先采用成槽机上的侧铲进行清除，然后采用刷壁器，用吊车吊入槽内紧贴接头混凝土面上下刷2-3遍，认真仔细地清刷干净，清刷应在清槽换浆前进行，使新老混凝土接合处干净，确保砼密实。成槽完成后利用履带吊，起吊专用的刷壁器，在接头上上下反复清刷，确保接头干净，防止渗漏水现象的发生。十字钢板接头刷壁器及施工2.4 清底换浆清槽先采用泵吸反循环法清底，而后采用导管吸泥浆，循环清底，确保清槽质量

33、，清底后槽底泥浆比重小应于1.20，沉渣厚度不大于100mm。 清槽结束后1h，测定槽底沉淀物淤积厚度不大于10cm，槽底0.5-1.0cm处泥浆密度不大于1.2为合格。在清底换浆全过程中，控制好吸浆量和补浆量的平衡，不能让泥浆溢出槽外或让浆面落低到导墙顶面以下30厘米，清槽结束后，需请监理工程师检验槽深和泥浆比重，合格后方可下钢筋笼。2.5 钢筋笼施工钢筋笼根据地下连续墙墙体设计配筋和单元槽段的划分来制作。钢筋笼制作在专门搭设的加工平台上进行，拟搭设50m7.5m的一个加工平台，且保证平台面水平，四个角成直角，并在四个角点作好标志，以保证钢筋笼加工时钢筋能准确定位，钢筋间距符合规范和设计的要

34、求。钢筋笼施工要点A.纵向钢筋的底端50cm范围内稍向内侧弯折以避免吊放钢筋笼时擦伤槽壁，但向内侧弯折的程度不影响浇灌混凝土的导管插入。B.在密集的钢筋中预留出导管仓位置，以便于灌筑水下混凝土时插入导管，同时周围增设箍筋和连接筋进行加固。为防止横向钢筋有时会阻碍导管插入，钢筋笼制作时把主筋放在内侧，横向钢筋放在外侧，槽段的每幅预留两个砼浇注的导管通道口，两根导管相距23m，导管距两边11.5m，每个导管口设4根通长的16mm导向筋，以利于砼灌筑时导管上下顺利。A. 预埋件控制a钢板预埋件支撑在基坑开挖时架设在预埋钢板焊接后的钢牛腿上。支撑预埋钢板尺寸为1300mm1300mm和1000mm1000mm两种，壁厚20mm， b接驳器预埋件地下连续墙施工在连续墙钢筋笼加工时预埋连续墙与内衬墙连接钢筋，连续墙与混凝土围檩钢筋，钢筋接头均采用接驳器连接方式连接。由于接驳器及预埋筋位置要求精度高，在钢筋笼制作过程中，根据吊筋位置，测出吊筋处导墙高程，确定出吊筋长度，以此作为基点，控制预埋件位置。在接驳筋后焊一道水平筋，以便固定接驳筋，水平筋与主筋间通过短筋连接。接驳器或预埋筋处钢筋笼的水平筋及中间加设的固定水平筋按3%坡度设置，以确保接驳