Foundry工厂专业名词解释-chapter1

1、Founndryy工厂专专业名词词解释chaapteer11 Acctivve AAreaa 有源源区（工工作区）有源晶体体管（AACTIIVE TRAANSIISTOOR）被被制造的的区域即即所谓的的有源区区（ACCTIVVE AAREAA）。在在标准之之MOSS制造过过程中AACTIIVE AREEA是由由一层氮氮化硅光光罩即等等接氮化化硅蚀刻刻之后的的局部场场区氧化化所形成成的，而而由于利利用到局局部场氧氧化之步步骤，所所以ACCTIVVE AAREAA会受到到鸟嘴（BIRRDSS BEEAK）之影响响而比原原先之氮氮化硅光光罩所定定义的区区域来的的小，以以长0.6UMM之场区区氧化而而

2、言，大大概会有有0.55UM之之BIRRDSS BEEAK存存在，也也就是说说ACTTIVEE ARREA比比原在之之氮化硅硅光罩所所定义的的区域小小0.55UM。2 ACCETONNE 丙丙酮 11. 丙丙酮是有有机溶剂剂的一种种，分子子式为CCH3CCOCHH3。2. 性质为为无色，具刺激激性及薄薄荷臭味味之液体体。3. 在FABB内之用用途，主主要在于于黄光室室内正光光阻之清清洗、擦擦拭。44. 对对神经中中枢具中中度麻醉醉性，对对皮肤黏黏膜具轻轻微毒性性，长期期接触会会引起皮皮肤炎，吸入过过量之丙丙酮蒸汽汽会刺激激鼻、眼眼结膜及及咽喉黏黏膜，甚甚至引起起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不不

3、明等。5. 允许浓浓度10000PPPM。3 ADDI 显显影后检检查 11.定义义：Affterr Deevellopiing Insspecctioon 之之缩写22.目的的：检查查黄光室室制程；光阻覆覆盖对准曝光显影。发现缺缺点后，如覆盖盖不良、显影不不良等即予予修改，以维护护产品良良率、品品质。33.方法法：利用用目检、显微镜镜为之。4 AEEI 蚀蚀刻后检检查 11. 定定义：AAEI即即Aftter Etcchinng IInsppecttionn，在蚀蚀刻制程程光阻去去除前及及光阻去去除后，分别对对产品实实施全检检或抽样样检查。2.目的的：2-1提高高产品良良率，避避免不良良品外

4、流流。2-2达到到品质的的一致性性和制程程之重复复性。22-3显显示制程程能力之之指针22-4阻阻止异常常扩大，节省成成本3.通常AEEI检查查出来之之不良品品，非必必要时很很少作修修改，因因为重去去氧化层层或重长长氧化层层可能造造成组件件特性改改变可靠靠性变差差、缺点点密度增增加，生生产成本本增高，以及良良率降低低之缺点点。5 AIIR SSHOWWER 空气洗洗尘室进进入洁净净室之前前，需穿穿无尘衣衣，因在在外面更更衣室之之故，无无尘衣上上沾着尘尘埃，故故进洁净净室之前前，需经经空气喷喷洗机将将尘埃吹吹掉。6 ALLIGNNMENNT 对对准 11. 定定义：利利用芯片片上的对对准键，一般

5、用用十字键键和光罩罩上的对对准键合合对为之之。2. 目的的：在IIC的制制造过程程中，必必须经过过6110次左左右的对对准、曝曝光来定定义电路路图案，对准就就是要将将层层图图案精确确地定义义显像在在芯片上上面。33. 方方法：AA.人眼眼对准BB.用光光、电组组合代替替人眼，即机械械式对准准。7 ALLLOYY/SIINTEER 熔熔合 AAllooy之目目的在使使铝与硅硅基(SSiliiconn Suubsttratte)之之接触有有Ohmmic特特性，即即电压与与电流成成线性关关系。AAllooy也可可降低接接触的阻阻值。8 ALL/SII 铝/硅靶此为金金属溅镀镀时所使使用的一一种金属属

6、合金材材料利用用Ar游离离的离子子，让其其撞击此此靶的表表面，把把Al/Si的的原子撞撞击出来来，而镀镀在芯片片表面上上，一般般使用之之组成为为Al/Si (1%)，将将此当作作组件与与外界导导线连接接。9 ALL/SII/CUU 铝/硅 /铜金属溅溅镀时所所使用的的原料名名称，通通常是称称为TAARGEET，其其成分为为0.55铜，1硅及988.5铝，一一般制程程通常是是使用999铝1硅，后后来为了了金属电电荷迁移移现象（ELEEC TTROMMIGRRATIION）故渗加加0.55铜，以以降低金金属电荷荷迁移。10 AALUMMINUUN 铝铝此为金金属溅镀镀时所使使用的一一种金属属材料，

7、利用AAr游离离的离子子，让其其撞击此此种材料料做成的的靶表面面，把AAl的原原子撞击击出来，而镀在在芯片表表面上，将此当当作组件件与外界界导线之之连接。11 AANGLLE LLAPPPINGG 角度度研磨 Anggle Lapppinng 的的目的是是为了测测量Juuncttionn的深度度，所作作的芯片片前处理理，这种种采用光光线干涉涉测量的的方法就就称之AAnglle LLapppingg。公式式为Xjj=/2 NNF即Junnctiion深深度等于于入射光光波长的的一半与与干涉条条纹数之之乘积。但渐渐渐的随着着VLSSI组件件的缩小小，准确确度及精精密度都都无法因因应。如如SRPP(

8、Sppreaadinng RResiistaancee Prrqbiing)也是应应用Annglee Laappiing的的方法作作前处理理，采用用的方法法是以表表面植入入浓度与与阻值的的对应关关系求出出Junnctiion的的深度，精确度度远超过过入射光光干涉法法。12 AANGSSTROON 埃埃是一个个长度单单位，其其大小为为1公尺的百百亿分之之一，约约为人的的头发宽宽度之五五十万分分之一。此单位位常用于于IC制程程上，表表示其层层（如SSiO22，Polly，SiNN.）厚度时时用。13 AAPCVVD（ATMMOSPPRESSSURRE）常压化化学气相相沉积 APCCVD为为Atmm

9、osppherre(大大气)，Preessuure(压力)，Cheemiccal(化学)，Vappor(气相)及Depposiitioon(沉沉积)的缩写写，也就就是说，反应气气体（如如SiHH4(gg)，B2HH6(gg)，和和O2(g)）在常压压下起化化学反应应而生成成一层固固态的生生成物（如BPPSG）于芯片片上。14 AAS755 砷自然界界元素之之一；由由33个质质子，442个中中子即775个电电子所组组成。半半导体工工业用的的砷离子子（Ass）可可由AssH3气气体分解解得到。砷是NN-TYYPE DOPPANTT 常用用作N-场区、空乏区区及S/D植入入。15 AASHIING，

10、STRRIPPPINGG 电浆浆光阻去去除 11. 电电浆预处处理，系系利用电电浆方式式（Pllasmma），将芯片片表面之之光阻加加以去除除。2. 电浆浆光阻去去除的原原理，系系利用氧氧气在电电浆中所所产生只只自由基基（Raadiccal）与光阻阻（高分分子的有有机物）发生作作用，产产生挥发发性的气气体，再再由帮浦浦抽走，达到光光阻去除除的目的的。3. 电浆浆光组的的产生速速率通常常较酸液液光阻去去除为慢慢，但是是若产品品经过离离子植入入或电浆浆蚀刻后后，表面面之光阻阻或发生生碳化或或石墨化化等化学学作用，整个表表面之光光阻均已已变质，若以硫硫酸吃光光阻，无无法将表表面已变变质之光光阻加以以

11、去除，故均必必须先以以电浆光光阻去除除之方式式来做。16 AASSEEMBLLY 晶晶粒封装装以树酯酯或陶瓷瓷材料，将晶粒粒包在其其中，以以达到保保护晶粒粒，隔绝绝环境污污染的目目的，而而此一连连串的加加工过程程，即称称为晶粒粒封装（Asssembbly）。封装装的材料料不同，其封装装的作法法亦不同同，本公公司几乎乎都是以以树酯材材料作晶晶粒的封封装，制制程包括括：芯片片切割晶粒目目检晶粒上上架（导线线架，即即Leaad fframme）焊线模压封封装稳定烘烘烤（使使树酯物物性稳定定）切框、弯脚成成型脚沾锡锡盖印完成。以树酯酯为材料料之ICC，通常常用于消消费性产产品，如如计算机机、计算算器，

12、而而以陶瓷瓷作封装装材料之之IC，属属于高性性赖度之之组件，通常用用于飞弹弹、火箭箭等较精精密的产产品上。17 BBACKK GRRINDDINGG 晶背背研磨利利用研磨磨机将芯芯片背面面磨薄以以便测试试包装，着重的的是厚度度均匀度度及背面面之干净净度。一一般6吋芯片片之厚度度约200mill30 mill左右，为了便便于晶粒粒封装打打线，故故需将芯芯片厚度度磨薄至至10 mill 15mmil左左右。18 BBAKEE, SSOFTT BAAKE,HARRD BBAKEE 烘烤烤，软烤烤，预烤烤烘烤（Bakke）：在集成成电路芯芯片上的的制造过过程中，将芯片片至于稍稍高温（602500）的烘

13、烘箱内或或热板上上均可谓谓之烘烤烤，随其其目的的的不同，可区分分微软烤烤（Sooft bakke）与与预烤（Harrd bbakee）。软软烤（SSoftt baake）：其使使用时机机是在上上完光阻阻后，主主要目的的是为了了将光阻阻中的溶溶剂蒸发发去除，并且可可增加光光阻与芯芯片之附附着力。预烤（Harrd bbakee）：又又称为蚀蚀刻前烘烘烤（ppre-etcch bbakee），主主要目的的为去除除水气，增加光光阻附着着性，尤尤其在湿湿蚀刻（wett ettchiing）更为重重要，预预烤不全全长会造造成过蚀蚀刻。19 BBF2 二氟化化硼 一种供供做离子子植入用用之离子子。BBF2

14、是由由BF33 气气体晶灯灯丝加热热分解成成：B110、B111、F199、B10FF2、B11FF2 。经经Exttracct拉出出及质谱谱磁场分分析后而而得到。是一种种P-ttypee 离子子，通常常用作VVT植入入（闸层层）及SS/D植植入。20 BBOATT 晶舟舟 Booat原原意是单单木舟，在半导导体ICC制造过过程中，常需要要用一种种工具作作芯片传传送、清清洗及加加工，这这种承载载芯片的的工具，我们称称之为BBoatt。一般般Boaat有两两种材质质，一是是石英、另一是是铁氟龙龙。石英英Boaat用在在温度较较高（大大于3000）的场场合。而而铁氟龙龙Boaat则用用在传送送或酸

15、处处理的场场合。21 BB.O.E 缓缓冲蚀刻刻液 BBOE是是HF与NH4FF依不同同比例混混合而成成。6:1 BBOE蚀蚀刻即表表示HFF：NH4FF=1：6的成分分混合而而成。HHF为主主要的蚀蚀刻液，NH4FF则作为为缓冲剂剂使用。利用NNH4FF固定H的的浓度，使之保保持一定定的蚀刻刻率。HHF会浸浸蚀玻璃璃及任何何含硅石石的物质质，对皮皮肤有强强烈的腐腐蚀性，不小心心被溅到到，应用用大量水水冲洗。22 BBONDDINGG PAAD 焊焊垫焊垫垫晶利利用以连连接金线线或铝线线的金属属层。在在晶粒封封装（AAsseemblly）的的制程中中，有一一个步骤骤是作“焊线”，即是是用金线线

16、（塑料料包装体体）或铝铝线（陶陶瓷包装装体）将将晶粒的的线路与与包装体体之各个个接脚依依焊线图图（Boondiing Diaagraam）连连接在一一起，如如此一来来，晶粒粒的功能能才能有有效地应应用。由由于晶粒粒上的金金属线路路的宽度度即间隙隙都非常常窄小，（目前前SIMMC所致致的产品品约是微微米左右右的线宽宽或间隙隙），而而用来连连接用的的金线或或铝线其其线径目目前由于于受到材材料的延延展性即即对金属属接线强强度要求求的限制制，祇能能做到11.01.33mill（25.433jj微米）左右，在此情情况下，要把二二、三十十微米的的金属线线直接连连接到金金属线路路间距只只有3微米的的晶粒上上

17、，一定定会造成成多条铝铝线的接接桥，故故晶粒上上的铝路路，在其其末端皆皆设计成成一个约约4miil见方方的金属属层，此此即为焊焊垫，以以作为接接线使用用。焊垫垫通常分分布再晶晶粒之四四个外围围上（以以粒封装装时的焊焊线作业业），其其形状多多为正方方形，亦亦有人将将第一焊焊线点作作成圆形形，以资资辨识。焊垫因因为要作作接线，其上得得护层必必须蚀刻刻掉，故故可在焊焊垫上清清楚地看看到“开窗线线”。而晶晶粒上有有时亦可可看到大大块的金金属层，位于晶晶粒内部部而非四四周，其其上也看看不到开开窗线，是为电电容。23 BBOROON 硼硼自然元元素之一一。由五五个质子子及六个个中子所所组成。所以原原子量是

18、是11。另另外有同同位素，是由五五个质子子及五个个中子所所组成原原子量是是10（B100）。自自然界中中这两种种同位素素之比例例是4：1，可由由磁场质质谱分析析中看出出，是一一种P-typpe的离离子（BB 111），用来作作场区、井区、VT及S/DD植入。24 BBPSGG 含硼硼及磷的的硅化物物 BPPSG乃乃介于PPolyy之上、Mettal之之下，可可做为上上下两层层绝缘之之用，加加硼、磷磷主要目目的在使使回流后后的Sttep较较平缓，以防止止Mettal linne溅镀镀上去后后，造成成断线。25 BBREAAKDOOWN VOLLTAGGE 崩崩溃电压压反向P-N接面面组件所所加之

19、电电压为PP接负而而N接正，如为此此种接法法则当所所加电压压通在某某个特定定值以下下时反向向电流很很小，而而当所加加电压值值大于此此特定值值后，反反向电流流会急遽遽增加，此特定定值也就就是吾人人所谓的的崩溃电电压（BBREAAKDOOWN VOLLTAGGE）一一般吾人人所定义义反向PP - N接面面之反向向电流为为1UAA时之电电压为崩崩溃电压压，在PP - N或 N-P之接接回组件件中崩溃溃电压，随着NN（或者者P）之浓浓度之增增加而减减小。26 BBURNN INN 预烧烧试验预烧（Buurn in）为可靠靠性测试试的一种种，旨在在检验出出哪些在在使用初初期即损损坏的产产品，而而在出货货

20、前予以以剔除。预烧试试验的作作法，乃乃是将组组件（产产品）至至于高温温的环境境下，加加上指定定的正向向或反向向的直流流电压，如此残残留在晶晶粒上氧氧化层与与金属层层之外来来杂质离离子或腐腐蚀性离离子将容容易游离离而使故故障模式式（Faailuure Modde）提提早显现现出来，达到筛筛选、剔剔除早早期夭折折产品品之目的的。预烧烧试验分分为静静态预烧烧（SStattic Burrn iin）与与动态态预烧（Dyynammic Burrn iin）两两种，前前者在试试验时，只在组组件上加加上额定定的工作作电压即即消耗额额定的功功率，而而后者除除此外并并有仿真真实际工工作情况况的讯号号输入，故较接

21、接近实际际状况，也较严严格。基基本上，每一批批产品在在出货前前，皆须须作百分分之百的的预烧试试验，馾馾由于成成本及交交货其等等因素，有些产产品旧祇祇作抽样样（部分分）的预预烧试验验，通过过后才出出货。另另外对于于一些我我们认为为它品质质够稳定定且够水水准的产产品，亦亦可以抽抽样的方方式进行行，当然然，具有有高信赖赖度的产产品，皆皆须通过过百分之之百的预预烧试验验。27 CCAD 计算机机辅助设设计 CCAD：Commputter Aidded Dessignn计算机机辅助设设计，此此名词所所包含的的范围很很广，可可泛称一一切计算算机为工工具，所所进行之之设计；因此不不仅在IIC设计计上用得得到

22、，建建筑上之之设计，飞机、船体之之设计，都可能能用到。在以往往计算机机尚未广广泛应用用时，设设计者必必须以有有限之记记忆、经经验来进进行设计计，可是是有了所所谓CAAD后，我们把把一些常常用之规规则、经经验存入入计算机机后，后后面的设设计者，变可节节省不少少从头摸摸索的工工作，如如此不仅仅大幅地地提高了了设计的的准确度度，使设设计的领领域进入入另一新新天地。28 CCD MMEASSUREEMENNT 微微距测试试 CDD: CCritticaal DDimeensiion之之简称。通常于于某一个个层次中中，为了了控制其其最小线线距，我我们会制制作一些些代表性性之量测测图形于于晶方中中，通常常

23、置于晶晶方之边边缘。简简言之，微距测测量长当当作一个个重要之之制程指指针，可可代表黄黄光制程程之控制制好坏。量测CCD之层层次通常常是对线线距控制制较重要要之层次次，如氮氮化硅、POLLY、CONNT、METT等，而目前前较常用用于测量量之图形形有品字字型，LL-BAAR等。29 CCH3CCOOHH 醋酸酸 ACCETIIC AACIDD 醋酸酸澄清、无色液液体、有有刺激性性气味、熔点116.663、沸点点1188。与水水、酒精精、乙醚醚互溶。可燃。冰醋酸酸是999.8以上之之纯化物物，有别别于水容容易的醋醋酸食入入或吸入入纯醋酸酸有中等等的毒性性，对皮皮肤及组组织有刺刺激性，危害性性不大，

24、被溅到到用水冲冲洗。30 CCHAMMBERR 真空空室,反应室室专指一一密闭的的空间，常有特特殊的用用途：诸诸如抽真真空、气气体反应应或金属属溅度等等。针对对此特殊殊空间之之种种外外在或内内在环境境：例如如外在粒粒子数（parrticcle）、湿度度及内在在温度、压力、气体流流量、粒粒子数等等加以控控制。达达到芯片片最佳反反应条件件。31 CCHANNNELL 信道道当在MOOS晶体体管的闸闸极上加加上电压压（PMMOS为为负，NNMOSS为正），则闸闸极下的的电子或或电洞会会被其电电场所吸吸引或排排斥而使使闸极下下之区域域形成一一反转层层（Innverrsioon LLayeer），也就是

25、是其下之之半导体体P-ttypee变成N-typpe SSi，N-ttypee变成P-typpe SSi，而而与源极极和汲极极，我们们旧称此此反转层层为“信道”。信道道的长度度“Chhannnel Lenngthh”对MOSS组件的的参数有有着极重重要的影影响，故故我们对对POLLY CCD的控控制需要要非常谨谨慎。32 CCHIPP ,DDIE 晶粒一片片芯片（OR晶圆圆，即WWafeer）上上有许多多相同的的方形小小单位，这些小小单位及及称为晶晶粒。同同一芯片片上每个个晶粒都都是相同同的构造造，具有有相同的的功能，每个晶晶粒经包包装后，可制成成一颗颗颗我们日日常生活活中常见见的ICC，故每

26、每一芯片片所能制制造出的的IC数量量是很可可观的，从几百百个到几几千个不不等。同同样地，如果因因制造的的疏忽而而产生的的缺点，往往就就会波及及成百成成千个产产品。33 CCLT（CARRRIEER LLIFEE TIIME）截子生生命周期期一、定义义少数戴戴子再温温度平均均时电子子被束缚缚在原子子格内，当外加加能量时时，电子子获得能能量，脱脱离原子子格束缚缚，形成成自由状状态而参参与电流流岛通的的的工作作，但能能量消失失后，这这些电子子/电洞将将因在结结合因素素回复至至平衡状状态，因因子当这这些载子子由被激激发后回回复平衡衡期间，称之为为少数载载子“LLIFEE TIIME“二、应用用范围11

27、.评估估卢管和和清洗槽槽的干净净度2.针对芯芯片之清清洁度及及损伤程程度对CCLT值值有影响响为A.芯片中中离子污污染浓度度及污染染之金属属种类BB.芯片片中结晶晶缺陷浓浓度34 CCMOSS 互补补式金氧氧半导体体金属氧氧化膜半半导体（MOSS，METTAL-OXIIDE SEMMICOONDUUCTOOR）其其制程程程序及先先在单晶晶硅上形形成绝缘缘氧化膜膜，再沉沉积一层层复晶硅硅（或金金属）作作为闸极极，利用用家到闸闸极的电电场来控控制MOOS组件件的开关关（导电电或不导导电）。按照导导电载子子的种类类，MOOS，又又可分成成两种类类型：NNMOSS（由电电子导电电）和PPMOSS（由电

28、电洞导电电）。而而互补式式金氧半半导体（CMOOSCOOMPLLEMEENTAARY MOSS）则是是由NMMOS及及PMOOS组合合而成，具有省省电、抗抗噪声能能力强、-PPARTTICLLE免疫疫力好等等许多优优点，是是超大规规模集成成电路（VLSSI）的的主流。35 CCOATTINGG 光阻阻覆盖将将光阻剂剂以浸泡泡、喷雾雾、刷怖怖、或滚滚压等方方法加于于芯片上上，称为为光阻覆覆盖。目目前效果果最佳的的方法为为旋转法法；旋转转法乃是是将芯片片以真空空吸附于于一个可可旋转的的芯片支支持器上上，适量量的光阻阻剂加在在芯片中中央，然然后芯片片开始转转动，芯芯片上的的光阻剂剂向外流流开，很很均

29、匀的的散在芯芯片上。要得到到均匀的的光阻膜膜，旋转转速度必必须适中中稳定。而旋转转速度和和光阻剂剂黏滞性性绝应所所镀光阻阻剂的厚厚度。光光阻剂加加上后，必须经经过软烤烤的步骤骤，以除除去光阻阻剂中过过多的溶溶剂，进进而使光光阻膜较较为坚硬硬，同时时增加光光阻膜与与芯片的的接合能能力的主主要方法法就是在在于适当当调整软软烤温度度与时间间。经过过了以上上的镀光光阻膜即即软烤过过程，也也就是完完成了整整个光阻阻覆盖的的步骤。36 CCROSSS SSECTTIONN 横截截面 IIC的制制造基本本上是由由一层一一层的图图案堆积积上去，而为了了了解堆堆积图案案的构造造，以改改善制程程或解决决制程问问题

30、，经经常会利利用破坏坏性切割割方式以以电子显显微镜（SEMM）来观观察，而而切割横横截面、观察横横截面的的方式是是其中较较为普遍遍之一种种。37 CC-V PLOOT 电电容,电压圆圆译意为为电容、电压图图：也就就是说当当组件在在不同状状况下，在闸极极上施以以某一电电压时，会产生生不同之之电容值值（此电电压可为为正或负负），如如此组件件为理想想的组件件；也就就是闸极极和汲极极间几乎乎没有杂杂质在里里面（CCOMTTAMIINATTIONN）。当当外界环环境改变变时（温温度或压压力），并不太太会影响响它的电电容值，利用此此可MOONITTOR MOSS 组件件之好坏坏，一般般V0.22为正常常。

31、38 CCWQCC 全公公司品质质管制以以往有些些经营者者或老板板，一直直都认为为品质管管制是品品管部门门或品管管主管的的责任，遇到品品质管制制做不好好时，即即立即指指责品质质主管，这是不不对的。品质管管制不是是品质部部门或某某一单位位就可以以做好的的，而是是全公司司每一部部门全体体人员都都参与才才能做好好。固品品质管制制为达到到经营的的目的，必须结结合公司司内所有有部门全全体人员员协力合合作，构构成一个个能共同同认识，亦于实实施的体体系，并并使工作作标准化化，且使使所定的的各种事事项确实实实行，使自市市场调查查、研究究、开发发、设计计、采购购、制造造、检查查、试验验、出货货、销售售、服务务为

32、止的的每一阶阶段的品品质都能能有效的的管理，这就是是所谓的的全公司司品质管管制（CComppanyy Wiide Quaalitty CConttroll）。实实施CWWQC的的目的最最主要的的就是要要改善企企业体质质；即发发觉问题题的体质质、重视视计划的的体质、重点指指向的体体质、重重视过程程的体质质，以及及全员有有体系导导向的体体质。39 CCYCLLE TTIMEE 生产产周期时时间指原原料由投投入生产产线到产产品于生生产线产产生所需需之生产产/制造时时间。在在TI-ACEER，生生产周期期有两种种解释：一为“芯片产产出周期期时间”（WAFFER-OUTT CYYCLEE TIIME），

33、一一为“制程周周期时间间”（PROOCESSS CCYCLLE TTIMEE）“芯片产产出周期期时间”乃指单单一批号号之芯片片由投入入到产出出所需之之生产/制造时时间。“制程周周期时间间”则指所所有芯片片于单一一工站平平均生产产/制造时时间，而而各工站站（从头头至尾）平均生生产/制造之之加总极极为该制制程之制制程周期期时间。目前TTI-AACERR LIINE REPPORTT 之生生产周期期时间乃乃采用“制程周周期时间间”。一般般而言，生产周周期时间间可以下下列公式式概略推推算之：生产周周期时间间=在制品品（WIIP）/产能（THRROUGGHOUUT）40 CCYCLLE TTIMEE 生

34、产产周期 IC制制造流程程复杂，且其程程序很长长，自芯芯片投入入至晶圆圆测试完完成，谓谓之Cyyclee Tiime。由于IIC生命命周期很很短，自自开发、生产至至销售，需要迅迅速且能能掌握时时效，故故Cyccle Timme越短短，竞争争能力就就越高，能掌握握产品上上市契机机，就能能获取最最大的利利润。由由于Cyyclee Tiime 长，不不容许生生产中的的芯片因因故报废废或重做做，故各各项操作作过程都都要依照照规范进进行，且且要做好好故障排排除让产产品流程程顺利，早日出出FIBB上市销销售。41 DDEFEECT DENNSITTY 缺缺点密度度缺点点密度系指芯芯片单位位面积上上（如每每

35、平方公公分、每每平方英英吋等）有多少少缺点点数之之意，此此缺点数数一般可可分为两两大类：A.可视视性缺点点B.不可可视性缺缺点。前前者可藉藉由一般般光学显显微镜检检查出来来（如桥桥接、断断线），由于芯芯片制造造过程甚甚为复杂杂漫长，芯片上上缺点数数越少，产品量量率品质质必然越越佳，故故缺点点密度常备用用来当作作一个工工厂制造造的产品品品质好好坏的指指针。42 DDEHYYDRAATIOON BBAKEE 去水水烘烤目目的：去去除芯片片表面水水分，增增加光阻阻附着力力。以免免芯片表表面曝光光显影后后光阻掀掀起。方方法：在在光阻覆覆盖之前前，利用用高温（1200或1500）加热热方式为为之。43

36、DDENSSIFYY 密化化 CVVD沉积积后，由由于所沈沈积之薄薄膜（TTHINN FIILM之之密度很很低），故以高高温步骤骤使薄膜膜中之分分子重新新结合，以提高高其密度度，此种种高温步步骤即称称为密化化。密化化通常以以炉管在在8000以上的的温度完完成，但但也可在在快速升升降温机机台（RRTP；RAPPID THEERMAAL PPROCCESSS）完成成。44 DDESCCUM 电浆预预处理 1.电电浆预处处理，系系利用电电浆方式式（Pllasmma），将芯片片表面之之光阻加加以去除除，但其其去光阻阻的时间间，较一一般电浆浆光阻去去除（SStriippiing）为短。其目的的只是在在于

37、将芯芯片表面面之光阻阻因显影影预烤等等制程所所造成之之光阻毛毛边或细细屑（SScumm）加以以去除，以使图图形不失失真，蚀蚀刻出来来之图案案不会有有残余。2. 有关电电浆去除除光阻之之原理，请参阅阅电浆浆光阻去去除（Ashhingg）。3. 通常常作电浆浆预处理理，均以以较低之之力，及及小之功功率为之之，也就就是使光光阻之蚀蚀刻率降降低得很很低，使使得均匀匀度能提提高，以以保持完完整的图图形，达达到电浆浆预处理理的目的的。45 DDESIIGN RULLE 设设计规范范由于半半导体制制程技术术，系一一们专业业、精致致又复杂杂的技术术，容易易受到不不同制造造设备制制程方法法（REECIPPE）的的影响，故在考考虑各项项产品如如何从事事制造技技术完善善，成功功地制造造出来时时，需有有一套规规范来做做有关技技术上之之规定，此即“DESSIG