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文档简介

1、石墨相氮化碳（g-C3N4）材料介绍1/20 引言 g-C3N4合成制备 g-C3N4材料改性 g-C3N4应用领域 展望2/201. 引言FujishimaTiO2 光解水示意图19673/201. 引言常见半导体在pH=0时禁带宽度以及与标准氢电极电位、真空能级相对位置带隙较宽对可见光响应弱或无响应 （如TiO2、ZnO） 带隙较窄部分光腐蚀现象严重（如CdS）均含有过渡金属元素4/201. 引言王心晨NC5/201. 引言优点：非金属半导体、原料丰富价格低、带隙适当、化学稳定且无毒缺点：比表面积比较低、有限可见光吸收、光生载流子易复合2.7 eVe-h+Ef6/202. g-C3N4合成

2、制备主流方法：热聚合简单、快捷、大批量其它方法：CVD、溶剂热复杂、耗时、产量低7/202. g-C3N4合成制备1.2.3.CyanamideDicyanamideMelamineTri-s-triazine8/202. g-C3N4合成制备4.5.UreaThiourea异原子 Urea : 58 m2/g Thiourea: 18 m2/gDicyanamide: 10 m2/g9/202. g-C3N4合成制备nanoflowernanorodhollow nanospheresmesoporousTemplates: SiO2 AAO CaCO3ionic liquids surfa

3、ctants 10/203. g-C3N4材料改性增加比表面积增加可见光吸收范围抑制光生电子-空穴简单复合目：11/203. g-C3N4材料改性I. g-C3N4剥离石墨石墨烯Bulk g-C3N4g-C3N4 nanosheet0.9-2.1 nm 3-6 layers12/203. g-C3N4材料改性II. 元素掺杂金 属 元 素：Fe、Cu、Zn、Ni等非金属元素：O、P、S、B、I、F等P133.1 eVCBVBMidgap states2.2 eV2.68 eV13/203. g-C3N4材料改性III. 有机分子共聚嘧啶噻吩吡啶14/203. g-C3N4材料改性IV. 构建异

4、质结与其它半导体与金属与光敏剂15/204. g-C3N4应用领域I. 光解水: 100mol/h/g : 10mmol/h/g16/204. g-C3N4应用领域NO、NO2 NO3- Cr(VI)Cr(III)Bacterial Disinfection II. 光降解污染物/杀菌H+OHPollutantsDegradation productsOHOH-PollutantsDegradation products水相中17/204. g-C3N4应用领域III. CO2还原目标产物选择性取决于g-C3N4纳米结构设计以及能带位置构建18/205.展望开发可量产剥离方法来制备单（几）层g-C3N4纳米片寻找有效水分解及CO2还原助催化剂，尤其是非贵金属助催化剂提升光催化反应

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