CMOS集成电路工艺流程(-54张)课件

1、章CMOS集成电路工艺流程1章1多晶硅栅CMOS工艺流程可用器件工艺扩展提纲2多晶硅栅CMOS工艺流程提纲2多晶硅栅CMOS工艺流程3多晶硅栅CMOS工艺流程3初始材料重掺杂P型(100)衬底硅，P+减小衬底电阻，提高抗CMOS闩锁效应能力外延生长在衬底上生长一层轻掺杂P型外延层，P-厚度510um可以比CZ硅更精确的控制外延层的电学特性，从而更好的控制器件参数衬底材料4初始材料衬底材料4N阱扩散热氧化N阱掩模板光刻氧化层磷离子注入高温推进，同时形成缓冲氧化层N阱工艺能够提供性能稍好的NMOS晶体管，并允许衬底接地N阱扩散5N阱扩散N阱扩散5反型槽工艺淀积氮化硅反型槽掩模板光刻氮化硅刻蚀场区氮

2、化硅反型槽6反型槽工艺反型槽6沟道终止注入7沟道终止注入7LOCOS氧化刻蚀去除氮化硅去除缓冲氧化层生长虚拟氧化层LOCOS工艺和虚拟栅氧化8LOCOS氧化LOCOS工艺和虚拟栅氧化8阈值调整硼注入调整阈值电压剥除虚拟栅氧化层栅氧化层干氧法氧化过程很短，栅氧化层很薄阈值调整和栅氧化层生长9阈值调整阈值调整和栅氧化层生长9本征多晶硅淀积多晶硅掩模光刻、多晶硅层刻蚀多晶硅重掺杂磷（淀积、注入）多晶硅淀积和光刻10本征多晶硅淀积多晶硅淀积和光刻10NSD/PSD掩模板光刻通过暴露的栅氧化注入杂质多晶硅栅作为源/漏自对准注入的掩模板去除光刻胶短暂退火，激活注入杂质源/漏注入11NSD/PSD掩模板光刻

3、源/漏注入11接触淀积多层氧化物 (MLO)接触掩模光刻、刻蚀接触孔区域重掺杂区域可以形成欧姆接触金属化接触孔硅化难熔金属薄膜淀积、掺铜铝层淀积金属掩模光刻、金属刻蚀，形成互连结构淀积夹层氧化物 (ILO)刻蚀ILO通孔，第二层金属互连. .保护层最后一层金属上淀积保护层，厚的磷硅玻璃、压缩氮化层等接触、金属化和保护层12接触接触、金属化和保护层12多晶硅栅CMOS晶圆剖面13多晶硅栅CMOS晶圆剖面13典型CMOS工艺流程图14典型CMOS工艺流程图14典型CMOS工艺流程图15典型CMOS工艺流程图15典型CMOS工艺流程图16典型CMOS工艺流程图16典型CMOS工艺流程图17典型CMO

4、S工艺流程图17典型CMOS工艺流程图18典型CMOS工艺流程图18典型CMOS工艺流程图19典型CMOS工艺流程图19典型CMOS工艺流程图20典型CMOS工艺流程图20典型CMOS工艺流程图21典型CMOS工艺流程图21典型CMOS工艺流程图22典型CMOS工艺流程图22典型CMOS工艺流程图23典型CMOS工艺流程图23典型CMOS工艺流程图24典型CMOS工艺流程图24典型CMOS工艺流程图25典型CMOS工艺流程图25典型CMOS工艺流程图26典型CMOS工艺流程图26典型CMOS工艺流程图27典型CMOS工艺流程图27典型CMOS工艺流程图28典型CMOS工艺流程图28典型CMOS

5、工艺流程图29典型CMOS工艺流程图29典型CMOS工艺流程图30典型CMOS工艺流程图30典型CMOS工艺流程图31典型CMOS工艺流程图31典型CMOS工艺流程图32典型CMOS工艺流程图32典型CMOS工艺流程图33典型CMOS工艺流程图33典型CMOS工艺流程图34典型CMOS工艺流程图34典型CMOS工艺流程图35典型CMOS工艺流程图35典型CMOS工艺流程图36典型CMOS工艺流程图36典型CMOS工艺流程图37典型CMOS工艺流程图37典型CMOS工艺流程图38典型CMOS工艺流程图38典型CMOS工艺流程图39典型CMOS工艺流程图39典型CMOS工艺流程图40典型CMOS工艺流程图40典型CMOS工艺流程图41典型CMOS工艺流程图41典型CMOS工艺流程图42典型CMOS工艺流程图42可用器件43可用器件43NMOS晶体管44NMOS晶体管44PMOS晶体管45PMOS晶体管45衬底PNP管46衬底PNP管46电阻多晶硅电阻NSD/PSD电阻N阱电阻金属电阻多晶硅电阻必须使用硅化物阻挡掩模板多晶硅电阻47电阻多晶硅电阻47NSD/PSD电阻48NSD/PSD电阻48电容MOS电容金属电容（MOM、MiM）多晶硅电容（PiP）MOS电容49电容MOS电容4