第3章-半导体三极管及其放大电路1分解课件

1、3半导体三极管及其放 大 电 路10/14/20221第3章3半导体三极管及其放 大 电 路10/11/20221第本章学习要点1.半导体三极管(BJT)的结构、工作原理、特性曲线和主要参数。2.着重讨论BJT放大电路的三种组态，即：a.共发射极放大电路b.共集电极放大电路c.和共基极放大电路。10/14/20222第3章本章学习要点1.半导体三极管(BJT)的结构、工作原理、特从共发射极电路入手，推及其他两种电路。分析放大电路的基本方法：a.图解法b.小信号模型法(微变等效电路分析法)10/14/20223第3章从共发射极电路入手，推及其他两种电路。10/11/2022分析的步骤：a.首先是

2、电路的静态工作点(Q点)，b.然后分析其动态技术指标。对于电压放大电路来说，主要的技术指标有：电压增益、输入阻抗、输出阻抗和频响带宽，这在第一章已作过简要的介绍。10/14/20224第3章分析的步骤：10/11/20224第3章单极型器件场效应管(FET)及其放大电路将在第4章讨论。由于集成电路制造工艺的迅速发展，从使用的角度来考虑，电子设计主要是选用集成电路构件来作系统设计，但是分立元件电路是基础，这里仍然予以足够的重视。10/14/20225第3章单极型器件场效应管(FET)及其放大电路将在第4章讨论。3.1半导体BJT3.1.1BJT的结构简介BJT通常称为晶体三极管，简称为三极管或晶

3、体管。1.分类：按频率分：有高频管、低频管；按功率分：有大、中、小功率管；按材料分：有硅管、锗管。其外型如图3.1.1所示(实物对照)。10/14/20226第3章3.1半导体BJT3.1.1BJT的结构简介10/11/10/14/20227第3章10/11/20227第3章2.BJT 的结构组成：BJT有两个PNJ，三个接触电极，三根引线及其外壳组成。10/14/20228第3章2.BJT 的结构组成：BJT有两个PNJ，三个接触(2)BJT的制造工艺特点：a.e区掺杂浓度最高，以有效的发射载流子；b.b区掺杂浓度最低且最薄，以有效的传输载流子；c.c区掺杂浓度适中，面积最大，以有效的收集载

4、流子。10/14/20229第3章(2)BJT的制造工艺特点：10/11/20229第3章(3)NPN型BJT的结构如图3.1.2所示。(4)PNP型BJT的结构如图3.1.3所示。转1310/14/202210第3章(3)NPN型BJT的结构如图3.1.2所示。转1310/14/202211第3章10/11/202211第3章10/14/202212第3章10/11/202212第3章3.1.2BJT的电流分配关系与放大作用1.BJT内部载流子的传输过程( 运动规律)(观看课件)为了使BJTe区能有效的发射载流子、c区有效的收集载流子，必须具备的条件：发射结正偏集电结反偏10/14/2022

5、13第3章3.1.2BJT的电流分配关系与放大作用1.BJT内部载BJT内部载流子的传输过程分三步(如图3.1.4所示)：(1)发射区向基区注入载流子(2)载流子在基区的扩散与复合(3)集电区收集载流子有上分析可知，BJT内部有两种载流子参与导电，故称之为双极型晶体管。转1610/14/202214第3章BJT内部载流子的传输过程分三步(如图3.1.4所示)：转10/14/202215第3章10/11/202215第3章2.三极管的电流分配关系IEIC+IB IC I B+I CEO IB ICEO(1+ )ICBO以上式子，也适用于三极管纯交流电流或交直流共存的情况，即：10/14/2022

6、16第3章2.三极管的电流分配关系IEIC+IB 纯交流时：i ei c+ i bi ci b交直流共存时：i EiC + iB( ie+ IE )( ic+ IC )+( ib+ IB)( ic+ IC )(ib+ IB)+(1+ )ICBO10/14/202217第3章纯交流时：10/11/202217第3章 3.放大作用晶体管最基本的一种应用，就是把微弱的电信号加以放大。简单的放大电路如图3.1.5所示。输入电压：v I20mV晶体管eJ电压：vEB VEE+vIe极电流： iEIE + iEc极电流： iCIC + iC输出电压： voiC R L转2010/14/202218第3章

7、3.放大作用晶体管最基本的一种应用，就是把微弱的电信号10/14/202219第3章10/11/202219第3章 综上所述：(1)要使晶体管具有放大作用必须保证：a.内部条件：e区的掺杂浓度要远大于b区的掺杂浓度，且b区的厚度要很薄。b.外部条件：eJ正偏，cJ反偏。10/14/202220第3章 综上所述：(1)要使晶体管具有放大作用必须保证：10/(2)当晶体管制成之后，晶体管各极之间的电流关系是确定的： IEIC+IB IC I B+I CEO IB 或 i EiC + iB10/14/202221第3章(2)当晶体管制成之后，晶体管各极之间的电流关系是确定的：4.共发射极连接方式(1

8、)三种连接方式：以三极管的某一个极为公共端可组成三种基本放大电路，即：共基极、共发射极、共集电极放大电路，如下图所示。10/14/202222第3章4.共发射极连接方式(1)三种连接方式：10/11/210/14/202223第3章10/11/202223第3章(2)共发射极放大电路如图3.1.6所示。由图可以看出，在输入端加入一个待放大的信号v I时，则有：vBEVBE +v I，iBIB +iB，iCIC+iC，iEI E+iE。转2610/14/202224第3章(2)共发射极放大电路如图3.1.6所示。由图可以看出，10/14/202225第3章10/11/202225第3章共射极电路

9、与共基极电路的异同：相同之处：放大信号的物理本质是相同的。(1)共射极电路的输入电流是 iB，共基极电路的输入电流是iE，iB作为输入控制电流时信号源消耗功率小。(2)对于共射极电路，研究放大过程主要是分析集电极电流(输出电流)与基极电流(输入电流)之间的关系。10/14/202226第3章共射极电路与共基极电路的异同：10/11/202226第3章(3)因为1，iB，故共发射极放大电路不但能放大电压，而且还能放大电流。共发射极放大电路是目前应用最广泛的一种组态。10/14/202227第3章(3)因为1，iB，故共发射极放3.1.3BJT的特性曲线晶体管特性曲线的获得有两种方法：一是通过实验

10、测量电路和求点描迹的方法，在平面坐标上画出输入输出特性曲线；另一种方法是利用专用的晶体管特性图示仪在示波管上显示出来。10/14/202228第3章3.1.3BJT的特性曲线晶体管特性曲线的获得有两种方法1.共发射极放大电路的特性曲线(1)输入特性曲线输入特性曲线是描述当vCE为某常数时，iB与vBE之间的关系曲线。其函数关系可表示为：NPN型管的输入特性曲线如图3.1.7(a)所示。10/14/202229第3章1.共发射极放大电路的特性曲线(1)输入特性曲线NPN10/14/202230第3章10/11/202230第3章特点：a.vCE0的一条曲线与二极管的正向特性相似。原因是：vCE0

11、时，集射短路，相当于两个二极管并联，iB与vBE 的关系曲线就成了两个二极管并联的VI 特性曲线。b.vCE 0且逐渐增大时，曲线右移；当vCE 1V以后，各条曲线重合。10/14/202231第3章特点：a.vCE0的一条曲线与二极管的正向特性相似。1原因：右移：vCE ，eJ变宽，b区宽度b区载流子数 复合 iB ，要保持iB的原值，必须使vBE 。所以曲线右移。重合：当vCE 1V以后，b区注入的载流子绝大部分被cJ收集，vBE再 ，iB无明显。曲线几乎重合。10/14/202232第3章原因：右移：vCE ，eJ变宽，b区宽度b区载流子数c.晶体管BE间的门限电压：硅管：0.5V左右，

12、锗管：0.1V左右。d.晶体管BE间的工作电压：硅管：0.7V左右，锗管：0.2V左右。10/14/202233第3章c.晶体管BE间的门限电压：10/11/202233第3章(2)输出特性曲线输出特性曲线是描述当 iB为某常数时，vCE与iC之间的关系曲线。其函数关系可表示为：NPN型管的输入特性曲线如图3.1.7(b)所示。10/14/202234第3章(2)输出特性曲线NPN型管的输入特性曲线如图3.1.7( 特点：a.当vCE 0.5V时，iC 受vCE的控制作用较大。原因：vCE很小，cJ反压很小，J内的总场强还不能把e区注入到b区的大部分非平衡载流子拉到c区，但随着vCE 的增大，

13、iC也增大。10/14/202235第3章 特点：a.当vCE 0.5V后，iC 基本不受vCE的控制作用，iC基本不变。原因：此时，vCE 已足够大，J内的总场强可把e区注入到b区的大部分非平衡载流子全部拉到c区，形成iC；另外，因为iB一定，b区的非平衡载流子数目一定，所以，随着vCE 的增大，iC基本恒定不变。10/14/202236第3章b.当vCE 0.5V后，iC 基本不受vCE的控制作2.共基极放大电路的特性曲线(略)3.1.4BJT的主要参数1.电流放大系数a. 直流共发电流放大系数： ICIBb. 交流共发电流放大系数：iCi B也就是h参数中的hf e，由于和 相差不大，通

14、常认为 10/14/202237第3章2.共基极放大电路的特性曲线(略)3.1.4BJT的主c. 直流共基电流放大系数： ICIEd. 交流共基电流放大系数：iCi Ee. 共基与共发电流放大系数的关系：(1)， (1 )(1)， (1 )10/14/202238第3章c. 直流共基电流放大系数： ICIE10/11/2.极间反向电流(1)集电极基极反向饱和电流 ICBO ICBO：表示发射极开路时，c、b之间加上一定反向电压时的反向电流。如图3.1.9所示，为其测量电路。ICBO一般很小，常温下，小功率硅管约为1A，锗管约为10A，ICBO随温度的升高而增大，在温度变化范围大的工作环境中，应

15、选用硅管。10/14/202239第3章2.极间反向电流10/11/202239第3章10/14/202240第3章10/11/202240第3章(2)集电极发射极反向饱和电流 ICEO（ 又称之为穿透电流） ICEO：表示基极开路时，c、e之间加上一定反向电压时的集电极电流。如图3.1.10所示，为其测量电路。ICEOICBOICBO(1)ICBO10/14/202241第3章(2)集电极发射极反向饱和电流 ICEO（ 又称之为穿透10/14/202242第3章10/11/202242第3章通常把ICEO作为判断管子质量的重要依据，常温下，小功率硅管约为A级，锗管约为mA级，和ICBO一样，

16、ICEO也随温度的升高而增大，在温度变化范围大的工作环境中，应选用硅管。10/14/202243第3章通常把ICEO作为判断管子质量的重要依据，常温下，小功率硅管3.极限参数(1)集电极最大允许电流 ICMICM 是指BJT 的参数变化不超过允许值时集电极允许的最大电流。当集电极电流超过此值时，管子的性能将显著下降，甚至烧坏管子。10/14/202244第3章3.极限参数10/11/202244第3章(2)集电极最大允许功率损耗(功耗) PCMPCM：表示集电结上允许功率损耗的最大值。当集电结上的功耗超过此值时，管子的性能变坏或烧坏管子。因为PCMiC vCE10/14/202245第3章(2

17、)集电极最大允许功率损耗(功耗) PCM10/11/2由上式可在输出特性曲线上画出管子的允许功率损耗线，如图3.1.11所示。PCM与环境温度有关，温度越高，PCM值越小。硅管的上限温度达150oC；锗管则低的多，约70oC。10/14/202246第3章由上式可在输出特性曲线上画出管子的允许功率损耗线，如图3.1转9510/14/202247第3章转9510/11/202247第3章(3)反向击穿电压V(BR)EBO是指集电极开路时发射极-基极之间的反向电压。V(BR)CBO是指发射极开路时集电极-基极之间的反向电压。它决定于集电结的雪崩击穿电压，其数值较高。10/14/202248第3章(

18、3)反向击穿电压10/11/202248第3章V(BR)CEO是指基电极开路时集电极-发射极之间的反向电压。该电压与BJT的穿透电流 ICEO直接相联系，一般V(BR)CEOV(BR)CEO，原因是基极电阻Rb对发射结有分流作用，延缓了集电结雪崩击穿的产生。集电结击穿电压的测量如图3.1.12所示。BJT 电击穿后可以恢复，但出现热击穿将损坏管子。10/14/202250第3章实际情况下，BJT常在发射极基极之间接有电阻，这时集电极3.2共射极放大电路.放大电路基本组成如图3.2.1所示。看CAI课件(基本放大电路的工作原理)。10/14/202251第3章3.2共射极放大电路.放大电路基本组

19、成10/11/20210/14/202252第3章10/11/202252第3章(1)双电源电路组成T：三极管，作用：电流放大元件；VBB：基极电源，Rb：基极偏置电阻，给发射结提供正向偏置；VCC：集电极电源，Rc：集电极负载电阻，给集电结结提供反向偏置，同时Rc的另一个作用是：把T放大的电流信号转换为电压信号，以电压的形式输出。Cb1、Cb2 ：输入输出耦合电容。起隔直流通交流的功能。10/14/202253第3章(1)双电源电路组成10/11/202253第3章(2)单电源电路对于图3.2.1为双电源电路(仅供分析时用)，实际应用中大都采用图3.2.2(a)所示的单电源电路，即选取VBB

20、VCC，只用VCC一个电源，只要合理选取Rb的值即可。转5610/14/202254第3章(2)单电源电路转5610/11/202254第3章转61转6610/14/202255第3章转61转6610/11/202255第3章(3)静态工作点：放大电路当交流输入信号vi= 0时，电路中三极管各极之间的直流电压及各极直流电流值，称之为静态工作点。通常用IB、IC、VCE、VBE等四个参数表示，一般VBE为已知(0.7V或0.2V)，电路计算只计算IB、IC、VCE三个量。对于图3.2.1其工作点计算如下；10/14/202256第3章(3)静态工作点：放大电路当交流输入信号vi= 0时，电路IC

21、 IB， vCEVCCICRc对于图3.2.2(a)所示电路，其静态工作点计算如下：IC IB， vCEVCCICRc10/14/202257第3章IC IB， vCEVCCICRc对于图3.(4)放大原理a.放大过程可用下列过程描述：vi vBE iB iC vCE vo C1 T T Rc C2 交流(脉动 脉动 脉动 脉动)交流10/14/202258第3章(4)放大原理10/11/202258第3章b.放大作用的实质：利用放大器件的控制作用，将直流电能转换为交流电能。注：放大作用是针对变化量而言的。c.正方向VBB、VCC的公共端称之为“地”，用符号“”表示。10/14/202259第

22、3章b.放大作用的实质：利用放大器件的控制作用，将直流电能转换为了分析方便。规定：电压的正方向：电压以公共端为负端，其他各 端 为 正 端，以“”“”分别表示电压的假定正方向；电流的正方向：NPN型管：流入为正，流出为负； PNP型管：流出为正，流入为负。以箭头指向表示电流的正方向。10/14/202260第3章为了分析方便。规定：10/11/202260第3章4.电路的习惯画法如图3.2.2(b)所示.5.放大电路的性能指标衡量放大电路性能的好坏，一般用增益(放大倍数)、输入阻抗(电阻)、输出电抗(电阻)、频率响应、带宽和非线性失真等指标来衡量。10/14/202261第3章4.电路的习惯画

23、法10/11/202261第3章6.放大电路的分析方法主要有：图解分析法和小信号模型(微变等效电路)分析法。10/14/202262第3章6.放大电路的分析方法10/11/202262第3章3.3图解分析法(先看CAI课件)10/14/202263第3章3.3图解分析法(先看CAI课件)10/11/2022633.3.1静态分析静态：当放大电路交流输入信号vi= 0时，电路中各处的电压、电流都是不变的，此时，电路的工作状态称之为直流工作状态，简称为静态。静态工作点：静态时，三极管各极之间的直流电压及各极直流电流值，将在管子的特性曲线上确定一个点Q，这个点通常称之为静态工作点，简称为Q点。10/

24、14/202264第3章3.3.1静态分析静态：当放大电路交流输入信号vi= 0动态：当放大电路交流输入信号vi 0时，电路中各处的电压、电流处于变动状态，这时电路处于动态工作状态，简称为动态。动态时，三极管各极之间的电压及各极电流值是交直流共存的。10/14/202265第3章动态：当放大电路交流输入信号vi 0时，电路中各处的电压、1Q点的估算静态的分析方法有估算法和图解分析法，此处先讨论估算法。例3.3.1(P85)：电路如图3.2.2b所示，试近似估算它的Q点。10/14/202266第3章1Q点的估算静态的分析方法有估算法和图解分析法，此处先讨(1)直流通路的画法画法要点：电容可以看

25、成是开路的，电感可以看成是短路的。图3.2.2b的直流通路如左图所示。10/14/202267第3章(1)直流通路的画法画法要点：电容可以看成是开路的，电感(2)计算方法：先建立输入输出回路的电压方程式，然后求解即可。输入回路电压方程：VCCIB Rb+VBE 所以，10/14/202268第3章(2)计算方法：10/11/202268第3章三极管电流关系：IC IB (3.3.1)输出回路电压方程：VCCIC Rc+VCE 所以，VCEVCCICRc (3.3.2) 10/14/202269第3章三极管电流关系：10/11/202269第3章2.图解分析法如图3.3.1所示。(1)把电路分成

26、两部分(图a所示)。(2)画出三极管的输出特性曲线(图b所示) 在本电路中，由 IBVBBRb=12V/300k40A，所以，vCE和iC关系就是三极管对应于iB=IB=40A的一条输出特性曲线，即：转7310/14/202270第3章2.图解分析法转7310/11/202270第3章10/14/202271第3章10/11/202271第3章转7410/14/202272第3章转7410/11/202272第3章 (3)画出直流负载线画法：由输出回路电压方程：vCE VCCiCRc (3.3.4)10/14/202273第3章 (3)画出直流负载线10/11/202273第3章对上式，令iC

27、0，则vCE VCC，在图b坐标上可得M(12V,0mA)点；令vCE0,则 iCVCCRc12V/4k=3mA，在 图 b 坐 标 上 可 得N(0V,3mA)点。连接M、N 两点画一条直线，直线MN称为直流负载线。10/14/202274第3章对上式，10/11/202274第3章(4)确定Q点直流负载线MN与IB40A的那一条输出特性曲线的交点，及为静态工作点(Q点)。Q点所对应的电压、电流值就是放大电路静态情况下的电压和电流，查图可得：IB40A，IC1.5mA，VCE6V10/14/202275第3章(4)确定Q点10/11/202275第3章3.3.2动态分析如图3.3.2所示。1

28、.放大电路在输入正弦信号时的工作情况(RL=时)分析步骤：(1)根据vi在输入特性曲线上求 iB(ib)。(2)根据iB(ib)在输出特性曲线上求 iC(ic)和vCE(vce)。10/14/202276第3章3.3.2动态分析如图3.3.2所示。10/11/2022转7810/14/202277第3章转7810/11/202277第3章综上所述：P88当在放大电路输入端加入输入信号电压后，iB、iC、vCE都在原来静态直流量的基础上叠加了一个交流量，即10/14/202278第3章综上所述：P8810/11/202278第3章因此，放大电路中电压、电流包含两个分量：一个是静态工作情况决定的直

29、流成分IB、IC、VCE；另一个是由输入电压引起的交流成分ib、ic和vce。虽然这些电流、电压的瞬时值是变化的，但它们的方向始终是不变的。10/14/202279第3章因此，放大电路中电压、电流包含两个分量：10/11/2022vCE交流分量vce(即经Cb2隔直后的交流输出电压 vo)的幅度远比vi为大，且同为正弦波电压，体现了放大作用。 从图3.3.2中还可以看到，vo(vce)与vi相位相反。这种现象称为放大电路的反相作用，因而共射极放大电路又叫做反相电压放大器，它是一种重要的电路组态。10/14/202280第3章vCE交流分量vce(即经Cb2隔直后的交流输出电压 v2.交流负载线

30、当RL时，如RL4k，情况又如何呢？如图3.3.3(a)、(b)所示。静态时，由于Cb2的隔直流作用，RL对Q点无影响；但动态时，RL对交流信号的分流作用不可不加以考虑。分析交流时电路的工作情况与直流时的情况就有所不同。转8410/14/202281第3章2.交流负载线转8410/11/202281第3章转8110/14/202282第3章转8110/11/202282第3章转81转8510/14/202283第3章转81转8510/11/202283第3章(1)交流通路交流通路的画法要求：电容对交流信号可以看成是短路；电源内阻很小，可看成是短路。由此可以画出放大电路的交流通路。考虑放大电路负

31、载电阻时，其交流负载电阻为Rc、RL的并联，用RL表示，即：10/14/202284第3章(1)交流通路10/11/202284第3章如图3.3.3(b)所示。(2)交流负载线的画法画法：由交流通路建立输出回路的电压方程式：vcevoi c RL因为，电路处于交、直流共存状态，所以应从交直流的电压、电流式中求出vce、ic的表达式，代入上式中。因为：10/14/202285第3章如图3.3.3(b)所示。(2)交流负载线的画法10/11iCIC + ic，vCEVCE + vce则：vcevCEVCE，iciCIC 把()式代入()式中，得vCEVCE (iCIC )RL上式移项得：vCEVC

32、E (iCIC )RL10/14/202286第3章iCIC + ic，vCEVCE + vce对()式令iC0，则vCEVAV CE +IC RL，得A点坐标为：A (VCE +IC RL)，0，过Q点作直线 AQ且交纵轴于B点，直线AB就是交流负载线(如图3.3.4)。该直线的斜率为：1/R L。10/14/202287第3章对()式令iC0，则10/11/202287第3章10/14/202288第3章10/11/202288第3章(3)Q点的选择Q点的位置直接影响了放大电路输出信号的质量。Q点的位置高，易产生饱和失真；Q点的位置低，易产生截止失真。另外，当信号输入幅度大时，Q点应选得高

33、一些；当信号输入幅度小时，为了降低直流电源VCC的能量消耗，Q点应选得低一些，当输入信号过大时，易出现过荷失真。10/14/202289第3章(3)Q点的选择10/11/202289第3章3.BJT的区域划分(1)饱和区如图3.3.5所示，曲线0A与纵轴所包围的区域。0A曲线称为临界饱和区线，该区域IB失去了对IC的控制作用。晶体管c、e之间的管压降称为饱和压降。10/14/202290第3章3.BJT的区域划分10/11/202290第3章小功率管硅管：一般为0.3V0.5V；小功率锗管：一般为0.1V左右。晶体管相当于c、e间短路。此区，发射结、集电结均正偏。转9310/14/202291

34、第3章小功率管硅管：一般为0.3V0.5V；转9310/1110/14/202292第3章10/11/202292第3章(2)截止区如图3.3.5所示，IB0与横轴所包围的区域。该区，ICICEO0，VCEVCC，晶体管相当于c、e间开路。此区，发射结、集电结均反偏。10/14/202293第3章(2)截止区10/11/202293第3章(3)过耗区如图3.1.11所示(P80)，此区由于功耗过大易烧坏管子。10/14/202294第3章(3)过耗区10/11/202294第3章(4)线性放大区饱和区、截止区和过耗区所包围的区域，为线形放大区。该区晶体管处于放大状态，iCiB (ici B)，

35、输入信号与输出信号基本成线形关系。此区，发射结正偏，集电结反偏。10/14/202295第3章(4)线性放大区10/11/202295第3章3.4 小信号模型分析法(微变等效电路分析法)3.4.1BJT小信号建模如图3.4.1所示。10/14/202296第3章3.4 小信号模型分析法(微变等效电路分析法)3.4.110/14/202297第3章10/11/202297第3章一个双口有源器件组成的网络，可以选择vi、vo及ii、io这四个参数中的两个作为自变量，其余两个作为因变量，就可得到不同的网络参数，如Z参数(开路阻抗参数)，Y参数(短路导纳参数)，H参数(混合参数)等。H参数在低频时用的

36、较广泛。10/14/202298第3章一个双口有源器件组成的网络，可以选择vi、vo及ii、io这1.BJT H 参数的引出如图3.4.2所示。图(a)的输入、输出回路的电压、电流之间的关系可分别表示为：vBEf1(iB，vCE)iC f2(iB，vCE)10/14/202299第3章1.BJT H 参数的引出10/11/202299第3章转106转10910/14/2022100第3章转106转10910/11/2022100第3章由于已假定BJT是在小信号下工作，考虑电压、电流之间的微变关系，对上两式求全微分，得：参看P94式(3.4.13.4.2)10/14/2022101第3章由于已假

37、定BJT是在小信号下工作，考虑电压、电流之间的微变关上式中，dvBE、dvCE及diB、diC等表示无限小的信号增量，假定在小信号作用下，及电压电流的变化没有超出特性曲线的线形范围时，无限小的信号增量可以用有限的增量来表示，即可以用电压、电流的交流分量来代替，则式(3.4.1)、(3.4.2)可写成下列形式：10/14/2022102第3章上式中，dvBE、dvCE及diB、diC等表示无限小的信号vbe=hie ib+ hrevce(3.4.3)ic=hfeib+ hoev ce(3.4.4)或转106转10910/14/2022103第3章vbe=hie ib+ hrevce转106转10

38、9式中，hie、hre、hfe、hoe称为BJT在共发接法时的H参数，其中：10/14/2022104第3章式中，hie、hre、hfe、hoe称为BJT在共发接法时的 由于这四个参数的量纲各不相同，因此，这种参数系统是不同量纲的混合，故称为混合参数。10/14/2022105第3章 由于这四个参数的量纲各不相同，因此，这种参数系2.H 参数小信号模型(1)小信号模型的引出由(3.4.3)式与图3.4.2(a)结合可以看出，晶体管输入回路的输入电压vbe是由两部分构成，hieib表示ib在hie上的电压降；10/14/2022106第3章2.H 参数小信号模型10/11/2022106第3章h

39、revce表示输出电压vce(通过集电结结电容)对输入回路的反作用，它是一个受控电压源(受控于vce)；用一个电压源来表示。可用图3.4.2(b)左边部分的等效电路来等效。10/14/2022107第3章hrevce表示输出电压vce(通过集电结结电容)对输入回路10/14/2022108第3章10/11/2022108第3章由(3.4.4)式与图3.4.2(a)结合可以看出，晶体管输出回路的输入电流iC也是由两部分构成，hfeib表示ib在输出回路产生的电流，用一个电流源表示，它是一个受控电流源(受控于ib)；hoevce表示输出电压vce在输出电阻(1hoe)上产生的电流，可用图3.4.2(b)右边部分的等效电路来等效。10/14/2022109第3章由(3.4.4)式与图3.4.2(a)结合可以看出，晶体管输由此得到包含四个H 参数的BJT的小信号模型，既BJT的H参数等效电路(如图3.4.3所示)，这就是把BJT线性化后的线性模型。