ID5S606B 600V高低侧栅极驱动芯片兼容PN7103-骊微电子

1、ChipownDChipownD566B深圳市骊微电子科技有限公司 HYPERLINK / 芯朋微代理深圳市骊微电子科技有限公司 HYPERLINK / 芯朋微代理高低侧栅极驱动芯片概述ID5S606B是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下。可用于驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT构成的半桥拓扑结构。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平低至3.3V。具有大电流输出能力，输入端具有有效电平逻辑互锁功能，能够有效的防止输出功率管共态导通。芯片良好的延时匹配功能可以轻松的适用于高频应用场合。应用领域中小型功率

2、电机驱动功率MOSFET 或IGBT半桥功率逆变器全桥功率逆变器任意互补驱动转换器特性高侧浮动偏移电压600V输入信号兼容3.3V和5V逻辑电平dV/dt 抗干扰能力50V/nsec自举工作的浮地通道芯片工作电压范围10V20V低侧具有欠压保护功能输出拉灌电流能力300 mA /600mAVs负电压能力-5V高低侧通道均延时匹配15VCVB8215VCVB82HNHO7D5S66B3LNVS64OMLO定购代码封装ID5S606BSEC-R1SOP8典型应用VDC, up 600VLLodMCURBBDCBS1 VCVB 81V2 HNHOQ17D5S66B3LNVS 6Q24 OMLO 5

3、IF Rcs 特性曲线14001200Turn-On Turn-On Delay Time(ns)1000TTn Dy Tms)Max.M.TyM.Ty.Typ.40020000Temperature()0Supply Voltage (V)图5开通延时vs.温度图6开通延时vs. 电压500Turn-On Delay Time(ns)Turn-Off Delay Time(ns)Turn-On Delay Time(ns)Turn-Off Delay Time(ns)M.Ty.Max.Typ.02468Input Voltage(V)00Temperature()图7开通延时vs.输入电压图

4、8 关断延时vs. 温度Mx.Mx.Tp.M.Typ.Turn-Off DelayTurn-Off Delay Time(ns)Turn-Off Delay Time(ns)3003002002001001000Supply Voltage(V)02468Input Voltage(V)图9关断延时vs.工作电压图10关断延时vs. 输入电压M.M.Ty.M.Ty.Turn-On RiseTurn-On Rise Time(ns)Turn-On Rise Time(ns)00Temperature()0Supply Voltage(V)图11开通上升时间vs.温度图12开通上升时间vs.工作电

5、压M.TyM.Ty.M.Ty.Turn-Off Fall Turn-Off Fall Time(ns)Turn-Off Fall Time(ns)00Temperature()0Supply Voltage(V)图13关断下降时间vs.温度图14 关断下降时间vs.工作电压MM.Ty.1000Deadtime(ns)Deadtime(ns)Deadtime(ns)800Deadtime(ns)600400200MaMa.Ty.0Temperature()0Supply Voltage(V)图15 死区时间vs.温度图16 死区时间vs. 工作电压Min.Min.55Min.Min.Logic

6、1Logic 1 nput Voltage (V)Lgc1IptVltge(V)33221100Temperature()0Supply Voltage(V)图17高电平输入电压vs.温度图18 高电平输入电压vs.工作电压Mx.M.Mx.M.Logic 0Logic 0 nput Voltage (V)Lgc0IptVltge(V)221100Temperature()0Supply Voltage(V)图19低电平输入电压vs.温度图20低电平输入电压vs.工作电压M.Max.M.Max.High Level High Level Output Voltage(V)HighevelOutu

7、tVltg(V)0.30.30.20.2 0.10.10.00Temperature()0.0101214161820Supply Voltage(V)图21 高电平输出电压vs.温度图22高电平输出电压vs.工作电压MxMaxMxMaxHigh Level High Level Output Voltage(V)Lw Lvel Oupt Vltg(V)0.30.30.20.2 0.10.10.00Temperature()0.0101214161820Supply Voltage(V)图23高电平输出电压vs.温度图24低电平输出电压vs.工作电压Offset SupplyOffset Su

8、pply Leakage Current()Mx90807060504030201000temperature()Offset SupplyOffset Supply Leakage Current()M.4030201000VB Boost Voltage(V)图25偏置电源电流vs.温度图26偏置电源电流vs.升压M.TypM.TypMax.Typ.VCC Supply VCC Supply Current()VCC Supy Curret()30020010000Temperature()0101214161820Supply Voltage(V)图27VCC 工作电流vs. 温度图28

9、VCC工作电流vs. 工作电压M.TyM.Ty.M.Ty.VBS SupplyVBS Supply Current()VBS Supply Current()00Temperature()0VBS Supply Voltage (V)图29VBS工作电流vs. 温度图30VBS 工作电流vs. 工作电压M.TyM.Ty.LgLgc 1ipt Crre()Lgc 1ipt Crre(A)30920610Max.3Typ.0-50-250255075100125Temperature()0Supply Voltage(V)图31高电平输入电流vs.温度图32高电平输入电流vs.工作电压M.Mx.M

10、.Mx.LgLgc 0ipt Crret(A)Lgc 0ipt Crret(A)33221100Temperature()0Supply Voltage(V)图33低电平输入电流vs.温度图34低电平输入电流vs.工作电压M.M.Ty.M.Ty.VCC UVLOVCC UVLO Threshold +(V)VCC UVLO Threshold -V)99887760Temperature()60Temperature()图35VCC欠压阈值(+)vs温度图36VCC欠压阈值(-) vs 温度Tp.Tp.Tp.Output Sourse Output Sourse t (mA)Output So

11、urse t (mA)4004002002000-50-250255075100125Temperature()0101214161820Supply Voltage (V)图37输出拉电流vs.温度图38输出拉电流vs. 工作电压Ty.TTy.T.V OffsetV OffsetSupy Volae(V)Output Sink t (mA)6004002000-50-250255075100125VFloating Supply Voltage(V)VTemperature ()图39VS 最大负偏压vs.VBS工作电压图40输出灌电流vs.温度ChipownChipownD566BTpTp.Output Sink t (mA)图41输出灌电流s. 工作电压8006004002000101214161820SupplyVoltage(V)封装信息封装外形尺寸 SOP8b De BBA3A2 AA1E1 EBASE METAL hLL1b b1c1 cWITHPLATING SECTIONB-B0.25尺寸最小值典型值最大值尺寸最小值典型值最大值符号（mm）（mm）（mm）符号（mm）（mm）（mm）A-1.75D4.704.905.10A10.10-0.225E5.806.006.20A21.301.401.