VLSI总复习12市公开课金奖市赛课一等奖课件

总复习第1页章节要求:

第一、三章：了解并能够阐述相关基本概念第二、四、五章：全部内容。能够阐述概念，了解工艺，分析问题，设计电路，计算宽长比，阅读版图并分析逻辑。第六章第1~2节：能够依据要求采取不一样技术设计电路。第八章第1~4节：能够分析电路组成、特点，推导电路增益并依据参数计算增益大小。总体要求：认真读书，能够独立完成作业。第2页作业讲解（第2章）（5）定性解释直流导通电阻随、、增加而减小，增加而增加原理。随第3页作业讲解（第2章）A=8F=8G=8D=8B=3E=8C=8PMOS=47第4页作业讲解（第2章）第5页作业讲解（第2章）第6页作业讲解（第2章）4、（9）假设NMOS管VTN=1V，对于一个NMOS传输门，假如VG=5.5V，Vi=5V，在输出端传输得到电压Vo将是多少？解：4.5伏。第7页作业讲解（第4章）1、（2）分析并解释下列图ROM结构，将ROM中数据填入表中：第8页作业讲解（第4章）2、（3）将题1电路改成动态ROM结构并画出电路。注：每个支路（与非门）接一个NMOS管也能够，这么最下面将有8个晶体管接Φ1。第9页作业讲解（第4章）3、（4）分析下列图所表示电路，提取电路功效。第10页作业讲解（第4章）

4、（7）下列图为一个开关逻辑电路，请依据电路写出对应逻辑函数。答案：第11页作业讲解（第4章）5、（8）读版图并写出电路逻辑表示式。假设图中PMOS管宽长比为10，NMOS管宽长比为4，计算最长上升时间与最长下降时间比值。（空穴迁移率与电子迁移率比为1：2.5）答案：NMOS管最长路径宽长比为4/3，PMOS管最长路径宽长比为10/2，代入迁移率比值，PMOS可比拟NMOS宽长比为2，最长上升时间与最长下降时间比值为1/2：3/4=2：3第12页作业讲解（第5章）1、（2）试读下面4个版图，提取对应电路，并对电路功效进行分析。三态门第13页作业讲解（第5章）2×2与或门第14页作业讲解（第5章）2To1MUX第15页作业讲解（第5章）三态门第16页作业讲解（第5章）2、读版图，分析电路功效。C=0，NMOS截止，PMOS开漏输出；C=1，PMOS截止，NMOS开漏输出。第17页作业讲解（第6章）1、（5）以二到一MUX为基本结构，设计一个实现X函数电路结构并请详细给出设计过程。第18页作业讲解（第6章）2、（8）假设倒相器延迟时间为△，与非门延迟时间为2△，请画出A和B波形，并加以说明。假如要求高电平不重合，在此电路基础上进行改进。第19页作业讲解（第6章）3、（9）对于图示存放器电路，假如希望在Read和时钟信号作用下，在D信号线上读出存放器内容，下列图电路应该怎样改进。第20页作业讲解（第8章）参考8.3.1段，分析当以PMOS管为工作管时，推导基本放大器在6种负载情况下电压增益表示式。第21页作业讲解（第8章）参考8.3.1段，分析当以PMOS管为工作管时，推导基本放大器在6种负载情况下电压增益表示式。第22页作业讲解（第8章）参考8.3.1段，分析当以PMOS管为工作管时，推导基本放大器在6种负载情况下电压增益表示式。第23页作业讲解（第8章）参考8.3.1段，分析当以PMOS管为工作管时，推导基本放大器在6种负载情况下电压增益表示式。第24页作业讲解（第8章）推导以PMOS管为工作管，NMOS基本电流镜为负载差分放大器电压增益表示式。第25页考试:

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