模拟电子线路习题习题答案解析

..第一章在一本征硅中,掺入施主杂质,其浓度=cm。〔1求室温300K时自由电子和空穴的热平衡浓度值,并说明半导体为P型或N型。〔2若再掺入受主杂质,其浓度=cm,重复〔1。〔3若==cm,,重复〔1。〔4若=cm,=cm,重复〔1。解：〔1已知本征硅室温时热平衡载流子浓度值=cm,施主杂质=cm>>=cm,所以可得多子自由浓度为=cm少子空穴浓度==cm该半导体为N型。〔2因为=cm>>,所以多子空穴浓度cm少子电子浓度==cm该半导体为P型。〔3因为=,所以===cm该半导体为本征半导体。〔4因为=1010=9910〔cm>>,所以,多子自由电子浓度=cm空穴浓度===2.2710〔cm该导体为N型。1.3二极管电路如图1.3所示。已知直流电源电压为6V,二极管直流管压降为0.7V。〔1试求流过二极管的直流电流。〔2二极管的直流电阻和交流电阻各为多少？++6VDR100图1.3解：〔1流过二极管的直流电流也就是图1.3的回路电流,即==53mA<2>==13.2===0.491.4二极管电路如题图1.4所示。〔1设二极管为理想二极管,试问流过负载的电流为多少？〔2设二极管可看作是恒压降模型,并设二极管的导通电压V,试问流过负载的电流是多少？〔3设二极管可看作是折线模型,并设二极管的门限电压V,,试问流过负载的电流是多少？〔4将电源电压反接时,流过负载电阻的电流是多少？〔5增加电源电压E,其他参数不变时,二极管的交流电阻怎样变化？DD题图1.410V+ERL100解：〔1mA〔2mA〔3mA〔4〔5E增加,直流电流增加,交流电阻下降。1.6在图1.6所示各电路中,设二极管均为理想二极管。试判断各二极管是否导通,并求Uo的值。题图1.6解：<1>在图<a>中,V2导通,V1截止,U0＝5V。<2>在图<b>中,V1导通,V2截止,U0＝0V。<3>在图<c>中,V1、V2均导通,此时有1.7二极管限幅电路如图1.7<a>、<b>所示。将二极管等效为恒压降模型,且UD<on>=0.7V。若ui＝5sinωt<V>,试画出u0的波形。题图1.7解：<1>在图<a>中：当ui＞一2.7V时,V管截止,u0＝一2V；当ui≤一2.7V时,V管导通,u0＝ui。当ui＝5sinωt<V>时,对应的u0波形如图答图1.7<a>所示。<2>在图<b>中：当ui＞1.3V时,V管截止,u0＝ui；当ui≤1.3V时,V管导通,u0＝2V。其相应波形如答图1.7<b>所示。答图1.71.9在题图1.9<a>所示电路中,二极管等效为恒压降模型。已知输入电压u1、u2的波形如题图1.9<b>所示,试画出u0的波形。题图1.9解：该电路为高电平选择电路,即u1、u2中至少有一个为3V,则u0＝3一0.7＝2.3V。u1、u2均为0时,uo＝一0.7V。其波形答图1.9<c>所示。答图1.91.10在题图1.10所示电路中,设稳压管的Uz＝5V,正向导通压降为0.7V。若ui＝10sinωt<V>,试画出u0的波形。题图1.10解：当ui≥5V时,Vz击穿,u0＝5V。当ui≤一0.7V时,Vz正向导通,u0＝一0.7V。当一0.7V＜ui＜5V时,Vz截止,u0＝ui。由此画出的u0波形如答图1.10所示。答图1.101.11稳压管电路如题图1.11所示。〔1设V,稳压管的稳定电压=10V,允许最大稳定电流=30mA,=5mA,=800,=。试选择限流电阻R的值。〔2稳压管的参数如〔1中所示,R=100,=250,试求允许的变化范围。〔3稳压管的参数如〔1中所示,当=10V时,其工作电流=20mA,=12,如=20V不变,试求从无穷大到1k时,输出电压变化的值为多少？++_+_题图1.11+解：〔1因为式中,因,所以=0,V式中mA,V=18V选择R应满足：400<R<457<2>当时,mA。当达到最大时,〔V当为时,〔V即的变化范围是14.5~17V。〔3当时,=10V。当时,=10V〔V〔mV或9<mV>第二章已知晶体管工作在线性放大区,并测得个电极对地电位如题图2.1所示。试画出各晶体管的电路符号,确定每管的b、e、c极,并说明是锗管还是硅管。0.7V0.7V8V0V<a>-0.7V-8V0V<b>4V1V3.7V<c>4V4.3V9V<d>题图2.1解：8V8V0V0.7V硅NPN-8V0V-0.7V硅PNP1V4V3.7V锗PNP9V4.3V锗NPN4V题图〔a：题图〔b：题图〔c：题图〔d：2.3已测得晶体管电极管各电极对地电位如题图2.3所示,试判别各晶体管的工作状态〔放大、饱和、截止或损坏。-5V-5V-0.3V0V3AX81<a>12V3V0V<d>3DG86.6V6.3V7V3CG21<c>8V2.5V3V<b>3BX1题图2.3解：题图〔a3AX为PNP锗管,V〔正偏,V〔反偏,放大状态题图〔b：e结反偏,c结反偏,截止状态题图〔c：e结正偏,c结正偏,饱和状态题图〔d：e结开路,晶体管损坏2.4型晶体管基区的少数载流子的浓度分布曲线如题图2.4所示,其中nb0表示平衡时自由电子的浓度。〔1说明每种浓度分布曲线所对应的发射结和集电结的偏置状态。〔2说明每种浓度分布曲线所对应的晶体管的工作状态。O〔aPNO〔aPNO〔bPNO〔cPN题图2.4O〔dPN解：〔1对于晶体管,当发射结〔集电结正偏时,由于从发射区〔集电区向基区注入了非平衡少子电子,所以处P区边界上少子电子的浓度大于平衡的电子浓度,当发射结〔集电结反偏时,在阻挡层两侧边界上的少子浓度趋向于零。据此,可以判别：〔1图<a>：发射结反偏,集电结反偏。图<b>：发射结正偏,集电结反偏。图<c>：发射结正偏,集电结正偏。图<d>：发射结反偏,集电结正偏。〔2图<a>：截止。图<b>：放大。图<c>：饱和。图〔d：反向放大。2.6某晶体管的共射输出特性曲线如题图2.6所示求IBQ=0.3mA时,Q1、Q2点的β值。确定该管的U<BR>CEO和PCM。题图2.6解：〔1Q1点：〔22.7硅晶体管电路如题图2.7所示。设晶体管的V,。判别电路的工作状态。9V9V1VD0.3V〔aTRB470kRC2kRE1k〔bTRB100kRC2kRE1k〔c15V15V题图2.7解：题图〔b：处于放大状态题图〔c：A,mA<V>不可能,表明晶体管处于饱和状态。2.8题图2.8<a>、<b>所示分别为固定偏置和分压式电流负反馈偏置放大电路。两个电路中的晶体管相同,UBE<on>=0.6V。在20oC时晶体管的β=50,55oC时,β=70。试分别求两种电路在20oC时的静态工作点,以及温度升高到55oC时由于β的变化引起ICQ的改变程度。UUCC<12V><a>RB246kRC2.8kT<b>RB130kRC1.8kTRB210kRE1kUCC<12V>题图2.8解：题图2.8〔a为固定偏流电路。〔120时〔V〔255时的变化为图2.8〔b为分压式电流负反馈偏置电路。〔120时〔255时的变化为2.9晶体管电路如题图2.9所示。已知β＝100,UBE＝0.3V<1>估算直流工作点ICQ、UCEQ。<2>若偏置电阻RB1、RB2分别开路,试分别估算集电极电位UC值,并说明各自的工作状态。<3>若RB2开路时要求ICQ＝2mA,试确定RB1应取多大值。题图2.9〔2当RB1开路时,I3Q=0,管子截止。UC=0.当RB2开路时,则有2.10设计一个分压式电流负反馈偏置放大电路。技术要求是：温度在-55~125范围内变化时,要求1mA和,,。BJT的参数是：时,,；时,,。解：<1>的估算。根据题意,当时,电流应是最低值1mA,UCE应是最大值,因为已给出,故可写出：解得如果RC未知,可以根据UCC的数值假设某一数值,本题设,则。〔2的估算。因为所以将和时各参数值代入可得：〔时〔时联立求解上述两式,可得：如果不利用上述关系式运算,也可以利用经验公式,比如选取去求解。例如设,则,当T=125时的,此时的技术要求,因此还需要重新选取值,直至满足要求为止。〔3和的计算。〔4核算T=125时的值。可见,上述结果在允许的范围内,表明设计有效。2.13电路如题图2.13所示。设ui是正弦信号,晶体管工作在放大区,各电容对信号可视作短路。〔1试画出与ui相对应的uBE、、和uCE的波形。〔2将图中的晶体管改成PNP管,UCC改成负电源,重复〔1。UUCCRBRCC2RLC1ui++uo题图2.13解：〔1波形如图2.13〔b所示。uiui0tUBEQ0tuBEIBQ0tiBICQ0tiCUCEQ0tuCE图2.13<a>vi0tuBE0UBEQiB0IBQttiC0ICQtuCE0UCEQt图2.13<c>〔2晶体管改成PNP,UCC改成负电源后,波形如图2.13〔c所示。2.17放大电路如图2.17〔a所示,正常工作时静态工作点为Q。〔1如工作点变为图2.17〔b中的和,试分析是由电路中哪一元件参数改变而引起的？〔2如工作点变为图2.17〔c中和的,又是电路中哪一元件参数改变而引起的？CC1RBRCC2TRL+uo<a>+uiUCC0uCE<b>icUCC0uCE<c>icUCC题图2.17解：〔1不变,不变,不变,而变化,工作点的变化可见图2.13〔b。若原工作点为Q,减小时,移至,增加时,移至。〔2不变,负载线斜率不变,和同时变化,工作点的变化如图2.13〔c所示。如原工作点为Q,增加,也增加,工作点可移至,反之,下降,也下降,工作点可移至。2.23试计算题图2.23所示共射放大电路的静态工作点UCEQ,源电压放大倍数,输入电阻和输出电阻。设基极静态电流A,k,k,V,,,厄尔利电压V,,C为隔直、耦合电容。RRSCRCVRL++UoUs+UiUCC题图2.23RB解：〔1计算工作点和、。已知A则〔mA<V>由以上关系式可以看出,因电路输出端没有隔直电容,负载电阻与工作点有关。由上式解得Ｖ而〔k〔k〔2计算源电压放大倍数。先画出图2.13电路的小信号等效电路如下图所示。iii=ibRCRLrceicioUo++Us+<>RoRi图2.17<b>Rs〔3计算输入电阻、输出电阻。kk2.24放大电路如题图2.24所示。设晶体管的,,为理想稳压管,V,此时晶体管的mA。试问：〔1将反接,电路的工作状态有何变化？又为多少？〔2定性分析由于反接,对放大电路电压增益、输入电阻的影响。UUCCC2VC1+uiDZ+uoR1.4kRC1kRB124kRB224k题图2.24解:〔1反接,mA,V,电路仍工作在放大区〔2反接,增加,增加,下降,下降,增大即使考虑正向二极管的,结论亦同上2.25测得放大电路中某晶体管三个电极上的电流分别为：2mA、2.02mA、0.02mA。己知该管的厄尔利电压|UA|＝120V,。<1>试画出该晶体管的H参数交流等效电路,确定等效电路中各参数值。<2>画出高频混合π型交流等效电路,确定等效电路中各参数值。高频混合π型等效电路如下图所示。2.28在题图2.28〔a所示的共集放大电路〔为基极自举电路,已知晶体管的,k,,mS；k,k,k,电容、、对信号可视为短路。试画出该电路的交流通路,求输入电阻和输出电阻的值。CC1RB1图2.28UCCRB1C1T+UoRERB2RB3+UiC2C3RiRoRLT+UoRERB1//RB2RB2RB3+UiRiRoRL<b>解：其交流通路如图2.28〔b所示。因为所以2.30在题图2.30所示的共基放大电路中,晶体管的β＝50,.RB1=30kΩ,Ucc=12V,Rc=3kΩ,RB2=15kΩ,RE=2kΩ,RL=3kΩ计算放大器的直流工作点。求放大器的Au2、Ri和Ro。题图2.302.32试判断题图2.32所示各电路属于何种组态放大器。并说明输出信号相对输入的相位关系。题图2.32解：图<a>所示电路为共集—共射组合电路。输出与输入反相。图<b>所示电路为共射一共基组合电路。输出与输入反相。图<c>所示电路为共集一共基组合电路。输出与输入同相。图<d>所示电路由于V1管集电极端具有恒流特性,因而V2管组成以恒流管为负载的共射放大器。输出与输入反相。2.33共集-共基组合电路如题图2.33所示。已知两个晶体管参数相同：,k,,。各电容对信号可视为短路。〔1计算输入电阻、输出电阻。〔2计算电压增益。UUCCC2+Uo+UiRiRoR42kV2V1R472k题图2.33-UEE解：〔1其中所以〔k〔k〔22.35三级放大电路如题图5.7<a>所示。设晶体管V1~V3的,D1和D2的直流压降为0.7V。已知静态IEQ3=3mA。各电容对交流信号可视作短路。<1>试求各管的静态集电极电流ICQ。<2>计算电压放大倍数,输入电阻Ri和输出电阻Ro。++UiC1RiD1D2RoR23kR32kR12kV1V2V3RB+UoUCC12V<a>+Ui+UoRBR2R3rb’e1ib1ib1ib3rb’e2ib2rb’e3ib3<b>题图2.352reib2解：<1><2>等效电路如图2.35<b>所示。<3>首先求各管的第三章已知场效应管的输出特性或转移如题图3.1所示。试判别其类型,并说明各管子在∣UDS∣=10V时的饱和漏电流IDSS、夹断电压UGSOff〔或开启电压UGSth各为多少。uuGS/ViD/mA12312UDS=10V<a>uGS/ViD/mA12312UDS=10V<b>34uDS/ViD/mA246851015204.5V4V3.5V3V2.5VUGS=2V<c>题图3.1解：FET有JFET和MOSFET,JFET有P沟〔只能为正和N沟〔只能为负之分。MOSFET中有耗尽型P沟和N沟〔可为正、零或负,增强型P沟〔只能为负和N沟〔只能为正。图<a>：N沟耗尽型MOSFET,=2mA,V。图<b>：P沟结型FET,=3mA,V。图<c>：N沟增强型MOSFET,无意义,V。3.3已知各FET各极电压如题图3.3所示,并设各管的V。试分别判别其工作状态〔可变电阻区,恒流区,截止区或不能正常工作。<a><a><b><c><d>D3VD5VD-5VD9V5VGS2VS0VS0VS0VG-3V题图3.3解：图<a>中,N沟增强型MOSFET,因为VV,VV,所以工作在恒流区。图<b>中,N沟耗尽型MOSFET,VV,VV,所以工作在可变电阻区。图<c>中,P沟增强型MOSFET,VV,VV,所以工作在恒流区。图〔d中,为N沟JFET,VV,所以工作在截止区。3.5在题图3.5〔a和〔b所示电路中。TTRD1kRG1MRS4kUSS<-10V><a>UDD<+10V>TC2RD30kR21MC1RS6k+Ui+UoR11.5M<b>题图3.5UDD<+12V>〔1已知JFET的mV,V。试求、和的值。〔2已知MOSFET的。试求、和的值。解<1>解得：<2>解得：3.12题图3.12电路中JFET共源放大电路的元器件参数如下：在工作点上的管子跨gm=1mS,rds=200kΩ,R1=300kΩ,R2=100kΩ,R3=1MΩ,R4=10kΩ,R5=2kΩ,R6=2kΩ,试估算放大电路的电压增益、输入电阻、输出电阻。题图3.12第四章已知某放大器的幅频特性如题图4.1所示。试说明该放大器的中频增益、上限频率fH和下限频率fL、通频带BW。1010102103104105106107102030400题图4.1f/Hz20lg<Au>dB当和时,输出信号有无失真？是何种性质的失真？分别说明之。解：<1>由题图4.1可得：中频增益为40dB,即100倍,fH=106Hz,fL=10Hz〔在fH和fL处,增益比中频增益下降30dB,。<2>当时,其中f=104Hz的频率在中频段,而的频率在高频段,可见输出信号要产生失真,即高频失真。当时,f=5Hz的频率在低频段,f=104Hz的频率在中频段,所以输出要产生失真,即低频失真。4.3已知某晶体管电流放大倍数的频率特性波特图如题图4.3所示,试写出β的频率特性表达式,分别指出该管的ωβ、ωT各为多少？并画出其相频特性的近似波特图。ω/Mrad/s00-45-45-90-90题图4.3<b>其相频特性的近似波特图如图4.3<b>所示。4.4某一放大器的中频增益为AuI=40dB,上限频率为fH=2MHz,下限频率fL=100Hz,输出不失真的动态范围为Uopp=10V。输入下列信号时会产生什么失真？〔1、ui<t>=0.1sin<2π×104t><V>〔2、ui<t>=10sin<2π×3×106t><mV>〔3、ui<t>=10sin<2π×400t>+10sin<2π×106t><mV>〔4、ui<t>=10sin<2π×10t>+10sin<2π×5×104t><mV>〔5、ui<t>=10sin<2π×103t>+10sin<2π×107t><mV>解：〔1输入信号为单一频率正弦波,所以不存在频率失真问题。但由于输入信号幅度较大〔为0.1V,经100倍的放大后峰峰值为0.1×2×100＝20V,已大大超过输出不失真动态范围〔UOPP=10V,故输出信号将产生严重的非线性失真〔波形出现限幅状态。〔2输入信号为单一频率正弦波,虽然处于高频区,但也不存在频率失真问题。又因为信号幅度较小,为10mV,经放大后峰峰值为100×2×10＝2V,故也不出现非线性失真。<3>输入信号两个频率分量分别为10Hz及1MHz,均处于放大器的中频区,不会产生频率失真,又因为信号幅度较小〔10mV,故也不会出现非线性失真。〔4输入信号两个频率分量分别为10Hz及50KHz,一个处于低频区,而另一个处于中频区,故经放大后会出现低频频率失真,又因为信号幅度小,叠加后放大器也未超过线性动态范围,所以不会有非线性失真。〔5输入信号两个频率分量分别为1KHz和10MHz,一个处于中频区,而另一个处于高频区,故信号经放大后会出现高频频率失真。同样,由于输入幅度小。不会出现非线性频率失真。4.6电路如题图4.6<a>所示,已知晶体管的。试画出电路的高频等效电路。利用密勒近似求上限频率fH。++VCCUo+RB500kRC2kRERL2kC110FRS0.9kC210F<a>+RSUsRBrbb’Ub’eCb’eCb’cgmUb’eRC//RL+Uo+rb’e<b>题图4.6Us10F解：<1>高频等效电路如题图4.6<b>所示：利用密勒近似,将Cb’c折算到输入端,即第五章5.2电路如题图7.2所示,试求各支路电流值。设各晶体管V。VV1V5V2V3V4IRI5I3I4+6V6V1k5k5k10k2k题图7.2解：图7.2是具有基极补偿的多电流源电路。先求参考电流,〔mA则〔mA〔mA〔mA5.4对称差动放大电路如题图7.1所示。已知晶体管和的,并设UBE<on>=0.7V,rbb’=0,rce=。+V1V+V1V2+UCCui1ui2RC5.1kΩRLUo5.1kΩRC5.1kΩRE5.1k-6VRB2kΩ题图7.1RB2kΩ+－RL/2+2Uod/2+Uid/2RCRBV1<b>+UicRCRBV1<c>2REE+Uoc<1>求V1和V2的静态集电极电流ICQ、UCQ和晶体管的输入电阻rb’e。<2>求双端输出时的差模电压增益Aud,差模输入电阻Rid和差模输出电阻Rod。<3>若RL接V2集电极的一端改接地时,求差模电压增益Aud<单>,共模电压增益Auc和共模抑制比KCMR,任一输入端输入的共模输入电阻Ric,任一输出端呈现的共模输出电阻Roc。<4>确定电路最大输入共模电压范围。解:<1>因为电路对称,所以<2>差模电压增益19195.22>1.521//<1.55021//'ebbLCudrRRRAB差模输入电阻：BkkrRRebid9>5.22<2><2'差模输出电阻：<3>单端输出差模电压增益：共模电压增益：共模抑制比：<Aud为单>共模输入电阻：共模输出电阻：<4>设晶体管的UCB=0为进入饱和区,并略去RB上的压降。为保证V1和V2工作在放大区,正向最大共模输入电压Uic<max>应满足下式：,否则晶体管饱和。如果题图7.1中的RE是用恒流源IEE,则只要为保证V1和V2工作在放大区,负向最大共模输入电压Uic<min>应满足下式：否则晶体管截止。由上可得最大共模输入范围为5.6电路如题图7.6。已知V1、V2、V3管的,<1>若ui1=0,ui2=10sinωt<mV>,试求uo=?<2>若ui1=10sinωt<mV>,ui2=5mV,试画出uo的波形图。<3>若ui1=ui2=Uic,试求Uic允许的最大变化范围。<4>当R1增大时,Aud、Rud将如何变化？题图7.6<2>其波形如图所示。uo-113uo-113使得Aud减小,而Rid增大。5.8差动放大电路如题图7.8所示。试通过计算画出输出电压波形。设晶体管的UBE<on>=0.7V,IE=2mA。++V1V2ui20VIERC5kRC5kV35k-20V+uo题图7.8uo/Vωt14.35V0<b><a>解：略去V3基极电流的影响,即输出电压的静态电压为14.3。略去V3的输入电阻对V2的负载影响,由图7.8<a>可看出,不失真的输出电压峰值为。如根据线性放大计算,很明显,输出电压失真被双向限幅,如图7.8<b>所示。5.9电路见题图7.9。设〔1试画出u0当波形,并标出波形当幅度。〔2若RC变为,u0波形有何变化？为什么？<a><b>题图7.9解：〔1由于Uid=1.2V>>0.1V,电路呈现限幅特性,其u0波形如题图<b>所示。当RC变为时,u0幅度增大,其值接近±15V,此时,一管饱和,另一管截止。；第六章试判断题图6.1所示各电路的级间反馈类型和反馈极性。++Ui+UoV1V2R1R3R5R2R4<a>UCC+Ui+Uo<b>V1V2R1R2R3<c>+UsRSUCC+UoR8R7R6R2R1R3R4R5V1V2V3V4RL-UEEUCC+UiUCC+UoR1R3R7R2R4R6R5V1V2V3V4<d>题图6.1解：电路<a>为串联电压负反馈。电路<b>为串联电压负反馈。电路<c>V1与V3间为电压串联负反馈。电路<d>为电压由V3的射极经R6至V1的射极组成了电压串联负反馈。试判别6.2所示各电路的反馈类型和反馈极性。UUiUoR1R2R3R4R5+A1+A2<a>R6UiUo+A2R2R1R5R4R3+A1<b>题图6.2解:电路<a>为电压并联负反馈。电路<b>：经A2、R2组成电压并联正反馈电路；经R3组成电压并联负反馈电路。一电压串联负反馈放大器,其基本放大器的电压增益Au=100,反馈网络的反馈系数Bu=0.1。由于温度变化,Au增大到120,试求负反馈放大电路的电压增益变化率。解:或6.7某放大器的放大倍数A<jω>为若引入F=0.01的负反馈,试问:<1>开环中频放大倍数AI?fH=?<2>闭环中频放大倍数AIf=?fHf=?6.9电路如题图6.10<a>和<b>所示。试问：RRS+UsR1R2R3<a>C1T1T2R4R6C2C3RLUCCRS+UsR1R2C1T1RLUCC+Uo+Uo<b>R4C2T2R5图6.10R5反馈电路的连接是否合理？为发挥反馈效果,两个电路对RS有何要求？当信号源内阻变化时,哪个电路的输出电压稳定性好？哪个电路源电压增益的稳定性能力强？当负载RL变化时,哪个电路输出电压稳定性好？哪个电路源电压增益稳定能力强？解：<1>图<a>：第一级是电流串联负反馈,第二级是电压并联负反馈,第一级对第二级相当于恒流源激励,对第二级是合理的；对第一级要求恒压源激励,以使电流串联负反馈起作用,即RS越小越好。图<b>：第一级是电压并联负反馈,第二级是电流串联负反馈,第一级对第二级相当于恒压源激励,对第二级是合理的；对第一级要求恒流源激励以使电压并联负反馈起作用,即RS越大越好。<2>图<a>：输入端是串联负反馈,Rif大,RS小,而且Rif>>RS,当RS变化时,源电压增益的变化不大,即稳定性较好,输出电压当然也就稳定。图<b>：输入端是并联负反馈,Rif小,RS大,而且Rif<<RS,当RS变化时,源电压增益不稳定,输出电压也不稳定<3>图<a>：输入端是电压负反馈,Rof小,是恒压源,RL变化时,输出电压稳定,源电压增益也稳定。图<b>：输出端是电流负反馈,Rof大,是恒流源,RL变化时,输出电压不稳定,源电压增益也不稳定。6.10反馈放大器电路如题图6.11所示,试回答：〔1判断该电路引入了何种反馈？反馈网络包括哪些元件？工作点的稳定主要依靠哪些反馈？〔2该电路的输入输出电阻如何变化,是增大还是减少了？〔3在深反馈条件下,交流电压增益Auf＝？题图6.11解：〔190电阻和1电阻构成两级之间的交流串联电压负反馈。4、60以及V1构成两级之间的直流电流负反馈,以保证直流工作点更加稳定。〔2该电路输入阻抗增大,输出阻抗减小。<3>在深反馈条件下：6.11负反馈放大电路如题图6.12所示。试判别电路中引入了何种反馈？为得到低输入电阻和低输出电阻,应采用何种类型的负反馈？电路应如何改接？++UCCUo-UEE+Ui2k10k10k120k2k4.7k90k10k10k2k3.9kV1V2V3图6.12∞解：<1>输出信号Uo通过90kΩ电阻接至V2的基极,故构成电压串联负反馈。<2>应采用电压并联负反馈。其改接方法为：将V3的基极由接在V1的集电极改接到V2的集电极；将输出端的90kΩ电阻,由接在V2的基极改接到V1的基极。6.13电路如题图6.14所示,试回答：集成运放A1和A2各引进什么反馈？求闭环增益。题图6.14解：〔1运放A1引入了串联电压负反馈；运放A2引入了并联电压负反馈。〔2闭环增益Auf为6.15电路如题图6.15<a>和<b>所示,各电容对信号可视为短路。试分别判断电路级间交流反馈的极性和类型。分别写出反馈系数的表达式。分别估算满足深度反馈条件下的源电压增益Ausf的表达式或数值。RRSR1R2R3R4C1C2IiUCCT1T2+Uo<a>+UsUoT1T2C1C2IiR218kR310kR110kR53kR41kRL10kR627k<b>UCC+UsRS题图6.15解:<1>图<a>：电压并联负反馈图<b>：电流并联负反馈〔2图<a>：图<b>：<3>图<a>：图<b>：6.19某放大器的开环幅频响应如题图6.19所示。〔1问当施加F=0.001的负反馈时,此反馈放大器是否能稳定工作？相位裕度等于多少？题图6.19解：〔1F=0.001,Af＝1/F=1000<60dB>,如图P6-19’所示,此时有45°相位裕度。第七章7.1试求图题7.1各电路的输出电压与输入电压的关系式。〔a〔b图题7.1解：<a>根据虚断特性,根据虚短特性,所以<b>当时,电路转换为反相输入求和电路,输出当时,电路转换为同相输入求和电路,输出根据线性叠加原理,总输出为7.4电路如图题7.4所示。已知,试求图题7.4解：运放A1的输出为,运放A2的输出为,运放A3构成双端输入求和运算电路,输出为7.8.运放组成的电路如图题7.8〔a、〔b所示,已知电源电压为±15V。试分别画出传输特性曲线；若输入信号,试分别画出输出信号的波形。〔a〔b图题7.8解：<1>电路〔a为反相比例放大器,,电路〔b为同相比例放大器,,所以它们的传输特性曲线分别如图7.8<a><b>所示。图7.8′若输入信号,输出信号的波形分别如图7.8′<c><