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65nm工艺小结工作温度：-40Cto125C表（1）CSMC180nm工艺nameLminWmintoxCoxVth0u0K'3.3VNMOSmn330.35u0.22u6.57nm5.26fF/um20.70V0.0336206V2179uA/3.3PNMOSmp330.3u0.22u6.57nm5.26fF/um2-0.65V0.00925V249uA/表⑵SMIC130nm工艺nameLminWmintoxCoxVth0u0K'3.3VNMOSmn330.35u0.15u7nm4.93fF/um20.596V0.0371827183uA/V23.3VPMOSmp330.30u0.15u6.9nm5fF/um2-0.66V0.010955uA/V2表（3）SMIC65nm工艺nameLminWmintoxCoxVth0u0K'2.5VNMOSn25110.28u0.3u5.62nm6.14fF/um20.584V0.033037203uA/V22.5VPMOSP25110.28u0.3u5.78nm5.97fF/um2-0.601V0.01101366uA/V2

上海350nm工艺nameLminwmintoxCoxVth0u0K'3.3VNMOSmn3312.8nm2.69fF/um20.7016V0.0404257109uA/V23.3VPMOSmp3312.4nm2.785fF/um2-0.9508V0.0219561uA/V2NMOS管人值的测量：经计算人=0.072n£，巴计臣三£，巴计臣三PMOS管人值的测量：经计算人=0.031p—MOjd(x.=-B.50e-01)—M0:ld”.=■B.OOe-01)—M0：ld口=-7.50e-DL>一MD.ld(^--7.DOe-DL) ND.Idg■&5De-01)□ 矿til-tt_5qF/m)/HD.cgs■?s.y寸w_sF/m)/HD.cgs■?s.y寸w_sNMOS管电容+cgso='1.2e-010+dcgso_n25ll'cgdo='1.2e-010+dcgdo_n25ll'

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