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文档简介

磁阻效应及磁阻传感器的特性研究

：学号探测、GPS导航、仪器仪表、磁（、硬盘）等领域。RB1所1UHρ（B，则Δρ=（－（0Δρ/（0ΔR=R（）－R（0RB2所示。尽管不同的磁场较弱时，电阻相对变化率ΔRR（0）B的二次方；随磁场的加强，B的响应会趋于饱和。另外，ΔRR（0）对总磁场的方向很灵敏，总磁场为外磁场与内磁场之和，而内磁场图 图2测量磁电阻实验装GaAsInSb1mA将实验仪信号源背部的二芯话筒通过的二芯话筒线接至测试架的工作电压输入端，这是一路提供继电器工作的12V直流控制电源，作为继电器的控制电压。红的香蕉插K2接线柱的中间两端，红将继电器K1K2K1接线柱的下面两端相连，K1接线柱的上面两端，黄、橙这一组线接至输出信号切换继电器K2接线柱的上面两端。红的香蕉插4所示。这时将测试架上取出的霍尔电压信号输入到信号源经处理转换成磁场强度由表头IsIs1.00mAIM10mT，Is1.00mA。IM20mT，IM电流，使电磁铁产生一个未知的磁场强度。测量磁阻传感器的磁阻电压，根据求得的ΔR/R（0）B的关系曲线，求得磁场强度。IMB(mTVR(mVB2(106T2100023456789B<60mT-

2 2BABRNPYY=A+B* 0.999832.81684E-

R14.2BRK14.2K

(B单位为T

K14.514.2 误差B无法调零（可能由于其他电子仪器产生的磁场干扰了，也B>120mTY=A+B* Y=A+B* A-BRNP6

R4.12BRK4.12K

(B单位为T

KK

5.35

误差这实验的相对误差比较大。首先，B不能调零有一定的影响。然后由于磁感应强度B答：磁阻效应（MagnetorésistanceEffects）是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场答：在一定的工作电流IH下，霍尔电压UH与外磁场磁感应强度B成正比。这

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