电学半导体器件基础测试题

第一章半导体器件基础测试题（高三）班次分数一、选择题1、n型半导体是在本征半导体中加入下列物质而形成的。A、电子；B、空穴；C、三价元素；D、五价元素。2、在掺杂后的半导体中，其导电能力的大小的说确的。A、掺杂的工艺；B、杂质的浓度：C、温度；D、晶体的缺陷。3、晶体三极管用于放大的条件，下列说确的。A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏;C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏;4、晶体三极管的截止条件，下列说确的。A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏;C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏;5、晶体三极管的饱和条件，下列说确的。A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏;C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏;6、理想二极管组成的电路如下图所示，其AB两端的电压是。A、一12V；B、一6V；C、+6V；D、+12V。7、要使普通二极管导通，下列说确的。A、运用它的反向特性；B、错管使用在反向击穿区；C、硅管使用反向区域，而错管使用正向区域；D、都使用正向区域。8、对于用万用表测量二极管时，下列做确的。A、用万用表的RX100或RX1GQQ的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转;B、用万用表的RX1QK的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；C、用万用表的RX1QQ或RX1QQQ的欧姆，红棒接正极，黑棒接负极，指针偏转;D、用万用表的RX1Q，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；9、电路如下图所示，则A、B两点的电压正确的是A、Ua=3.5V，Ub=3.5V，D截止；B、Ua=3.5V,Ub=1.0V,D截止；C、Ua=1.0V,Ub=3.5V,D导通；D、Ua=1.0V,Ub=1.0V,D截止。10、稳压二极管在电路中的接法，正确的说法。A、稳压管是正向并接在电路中，即稳压管正极接电路中电源的正极，负极接电源的负极;B、稳压管是反向并接在电路中，即稳压管正极接电路中电源的负极，负极接电源的正极;C、稳压管是正向串接在电路中，即稳压管正极串接电路中电源的高电位，负极接电源的低电位。D、稳压管是反向串接在电路中，即稳压管正极串接电路中电源的低电位，负极接电源的高电位。11、电路如下图所示，当电路输入端的电压发生变化时，会引起输出电压的变化，则下列四种变化中正确的。AUfTf—If—If—UfTl-、；TOC\o"1-5"\h\zI0WRR0BUf—Uf—Il—Il—Ul—Ul-、；I0WRR0CUf—Ul—Il—If—Uf—Ul•、；I0WRR0DUf—Ul—Il—Il—Ul—Ul、。I0WRR012、对于三极管放大作用来说，下列说法中最确切的。A、三极管具有电压放大作用；B、三极管具有功率放大作用；C、三极管具有电流放大作用；D、三极管具有能量放大作用。13、对于二极管来说，下列说法中错误的。A、二极管具有单向导电性；B、二极管同样具有放大作用；C、二极管具有箝位功能；D、二极管具有开关等功能。14、对于三极管的输入特性，下列说确的。A、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Ube之间的关系；B、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Uce之间的关系；C、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Ic之间的关系；D、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Ie之间的关系；15、下图中两只二极管的导通状态。A、D］、D2导通；B、D］、D2截止；C、D］导通、D2截止；D、D］截止、D2导通。16、下图中二极管为理想二极管，则输出电压。A、Uao=15V；B、Uao=12V；C、UAO=-15V；D、UAO=-12V。17、下图中二极管为理想二极管，则输出电压。A、Uao=15V；B、Uao=12V；C、UAO=-12V；D、Uao=0V。18、下图中二极管为理想二极管，则输出电压。A、Uao=6V；B、UAO=-6V；C、UAO=-12V；D、Uao=12V。19、金属导体的电阻率随温度升高而，半导体的导电能力随温度的升高而—。A、升高/升高；B、降低/降低；C、升高/降低；D、降低/升高。20、下列是PN结两端的电位值，使PN结导通的。A、P端接+5V，N端通过一电阻接+7V；B、N端接+2V，P端通过一电阻接+7V；C、P端接一3V，N端通过一电阻接+7V；D、P端接+1V，N端通过一电阻接+6V。21、电路如图所示，R=1KQ，设二管导通时的管压降为0.5V，则电压表的读数。A、0.5V；B、15V；C、3V；D、以上答案都不对。22、如图所示，设输入信号ui为正弦波，幅值为1V，二极管导通时正向电压降为0.6V，关于输出信号u0波形的说法，正确的是。A、输出电压值的围介于-0.6V—+0.6V之间；B、输出电压值的围介于-0V—+0.6V之间；C、输出电压值的围介于-0.6V—0V之间；D、输出电压值的围介于0V—1V之间。23、对于3AG11C三极管的型号，下列说确的。A、错管PNP型高频小功率晶体管；B、错管PNP型低频大功率晶体管；C、硅管NPN型高频小功率晶体管；D、硅管NPN型低频大功率晶体管；24、对于3DD80C三极管的型号，下列说确的是。A、错管PNP型高频小功率晶体管；B、错管PNP型低频大功率晶体管;C、硅管NPN型高频小功率晶体管；D、硅管NPN型低频大功率晶体管;25、对于3DG12C三极管的型号，下列说确的是。A、错管PNP型高频小功率晶体管；B、错管PNP型低频大功率晶体管；C、硅管NPN型高频小功率晶体管；D、硅管NPN型低频大功率晶体管26、对于3AD30B三极管的型号，下列说确的是。A、错管PNP型高频小功率晶体管；B、错管PNP型低频大功率晶体管；C、硅管NPN型高频小功率晶体管；D、硅管NPN型低频大功率晶体管27、场效应管属于控制型器件，晶体三极管则属于控制器件。A、电压/电流；B、电流/电压；C、电压/电压；D、电流/电流28、电路其如图所示，D为理想二极管，则u0为。A、3V；B、6V；C、-3V；D、-6V。29、电路如下图所示，已知Rb=10KQ，Rc=1KQ，Ec=10V，晶体管的8=50，Ube=0.7V，当Ui=0V时，三极管处于。A、截止状态；B、放大状态；C、饱和状态；D、击穿状态。二、判断下列说法是否正确，用“””和“X”表示判断结果填入空。在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。()因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。()PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。()处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。()结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其Rgs大的特点。()若耗尽型N沟道MOS管的七大于零，则其输入电阻会明显变小。()

三、写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压Ud=0.7Vo四、已知稳压管的稳压值q=6V,稳定电流的最小值、尸