命题-试题820半导体器件物理_第1页
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文档简介

2010年入学考试试科目 一、（每小题4分，共40分12、少子3456、能78、MOS910二、简要回答下列问题（848分1、双极性晶体管外延层厚度的确定与哪些因素有关？并分别进行说明23、双极性三极管工作于放大区时，对于给定的IB，从载流子传输的角度简要VCEICVCE的增加却几乎不变？4、NMOSVGS，为什么IDS基本不随VDS的变化而改变？5、PN6、简要说明N、P型半导体分别如何实现欧姆接触？三、根据要求解答问题（26分）1、NPN晶体管基极偏置的各种不同情况如下图所示，简要说明BUCEOBUCES，BUCER，BUCEX，BUCEZ（102、画出PN（83、画出NMOS（8）四、证明题（18分）1、若缓变基区晶体管的基区杂质分布函数为NB(x)，则其基区自建电场Eb(x)

NB

dNB(x)

（10分2、已知N沟增强型MOS场效应晶体管线性区的电流-电压关系为（8

1U2

DSgms

UT 其中 nL,UGS和UDS分别为MOS管的栅源和漏源电压（18分1、硅栅N沟道MOSNA＝3×l0l6cm-3，栅氧化层200ÅSiO20.95V（10分）（2（3（2分）2、已知硅PN结PNA=1×l0193，NND=1×10163（8分对于硅PN（3分求该PN（3分（2分Dn=352NPN晶体管集电极倍增因子中的系数0=8.85×10-14F/cm，r=3.9，q=1.6

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