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文档简介

（Multisim仿真软件工程近似计算（估算，有条件的章节划分与学时分第一章半导体器件第二第三电路与频第四放大器第五章功率放大电路第六中的第七放大器的应用第八章信号发生电路第九电

6学12学4学2学4学8学10学4学6学本章教学主要内第一节半导体基础知识第二节半导体二极管第三节半导体三极管第四第一节半导体基础知

:

本征半导体中的载流

（掺入少量杂质的半导体定义

受主杂

多数载流子— 少数载流子 少在P型半导体中，空穴是多子，电子是少子

施主杂 结论：在N型半导体中，电子是多子，空穴是少子在P型半导体中，空穴是多子，电子是少子注①正、负离子不是载流子，不参与导②少子浓度——与温度有 多子的扩散运

PN

PN

产生较大的扩散电流 PN结正向导PN

PN

PN

PNPN导通，形成较大电流IPN结②PNPN基本不通（截止），电流Is较小，

C

CB第二节半导体二极

面接触按材料

锗管按用途

IISe反向和电温电压当IISe反向和电温电压当当U

IIeu/UTss

IIs

Uon：I

U

I=

正向特

Uon=0.5~0.7~0.3

死区电死区电

U工作电压UUDQ=(0.60.8)V硅管取0.7(0.10.3) 锗管取0.2反向特 U(BR)<U

IIsU<

I

反反向特死区电死区电

UU(BR)U I=- <0.1A(硅 U PN

IST2

T1210最大整流电流IF使用时应注意流过二极管的正向最大电流不能大于

URI：

f：

dd

tanrtanrUD DRRDUD ID开关元件。考虑正向压降U二极管整流电路p531- U出电 的Uo举例：P241-六、特殊二极管：

IZ

IZ稳定电压

动态电阻

IZIZ

IZminIIZminIZIZ

额定功耗

IZ已知：UZ1=5V，UZ2时的Uo解UI=+15V时，Dz1、Dz2正偏导通UI15V时，Dz1、Dz2反偏且击穿Uo=-5-6=-11VUI8V时，Dz1、Dz2反偏未击穿Uo=UI=-8V例：已知：UZ1=5V，UZ2=6V，解①UI=+15V时UI=-15V时，Uo=-5V例：已知：UI=10V，UZ=6

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