IRF540中文大数据手册簿要点

实用标准文案IRF540N沟道MOS管SYMBOLQSYMBOLQUICKREFERENCEDATAVDS£=100VL=23A^D5；oN：477mil'Thrench'工艺低的导通内阻快速开关低热敏电阻综述使用沟渠工艺封装的 N通道增强型场效应功率晶体管应用：DC到DC转换器开关电源电视及电脑显示器电源IRF540中提供的是SOT78(TO220AB)常规铅的包裹.IRF540S中提供的是SOT404(DPAK)外表安装的包裹.管脚管脚描述1Gate2Drain3SourceTabDrainSOT404(DJPAK)tab极限值系统绝对最大值依照限制值符号参数条件最小值最大值单位V_DSS漏源极电压Tj=25?Cto175?C-100VV_DGR漏门极电压Tj=25?Cto175?C;-100V文档大全

实用标准文案V_GS门源极电压RGS=20k?一士20VI_D连续漏电流一23ATmb=25?C;VGS=10V一16AI_DM脉冲漏电流Tmb=100?C;VGS=10V一92AP_D总功耗Tmb=25?C一100WTj,Tsig操作点和Tmb=25?C-55175C存储温度雪崩能量极限值符号参数条件最小值最大值单位EAS1AS非重复性雪崩能量最大非重复性雪崩电流Unclampedinductiveload,IAS=10A;tp=350s;Tjpriortoavalanche=25?C;VDD<25V;RGS=50?;VGS=10V;refertofig:14--23023mJA热敏电阻符号参数条件最小值典型值最大值单位Rhj.安装底座交界处的热阻--1.5K/WR〞周围环境热阻SOT78封装,自由空间SOT404封装,PCB上--6050--K/WK/W电特性25C除非另有说明符号参数条件最小值典型值最大值单位V(BR)DSS漏源极崩溃电压VGS=0V;ID=0.25mA100--VTj=-55?C89--VVGS(TO)门阀电压Vds=Vgs;ID=1mA234VTj=175?C1--VTj=-55?C--6VRDS(ON)漏源极导通电阻VGS=10V;ID=17A-4977mQTj=175?C132193mQ文档大全

实用标准文案gfs向前跨导Vds=25V;Id=17A8.715.5一SIGSS门源极泄漏电流Vgs=i20V；Vds=0V一10100nA।DSS0门极电压漏电流vds=100v；vgs=0vVDS=80V;VGS=0V;Tj=175?C一一0.05一10250uAuAQg(tot)总共门极电荷ID=17A一一65nCQgs门源极电荷VDD=80V;一一10nCQgd门漏极电荷VGS=10V一一29nCTdon开启延迟时间Vdd=50V;Rd=2.2?;一8一ns开启上沿时间Vdd=10V;Rg=5.6?一39一nsTdoff关闭延迟时间Resistiveload一26一nsTf关闭卜沿时间一24一nsLd内部漏电〕感Measuredtabtocentreofdie一3.5一nHLd内部漏电〕感Measuredfromdrainleadtocentre一4.5一nHofdie(SOT78packageonly)Ls内部源极电感Measuredfromsourceleadtosource一7.5一nHbondpadCiSS输入电容Vgs=0V;Vds=25V;f=1MHz一8901187pFCoSS输出电容一139167pFCrSS反应电容一83109pF反向二极管极限值及特性符号条件最小符号条件最小值典型值最大值单位文档大全实用标准文案IS连续源极电流IF=28A;--23AISM脉冲源极电流Vgs=0V--92AVDS二极管正向电压-0.941.5Vtrr反向恢复之间If=17A;Vgs=0V;-61-nsQrr反向恢复命令-dIF/dt=100A/us;Vr=25V-200-nC文档大全

实用标准文案图1:自然功率损耗Fig2Normalisedcontinuousdraincurrent.ID%=a.//.？七=f〔丁小〕；cond田ons: N10V底座温度-漏电流降低百分比图2:自然持续漏电流文档大全实用标准文案Fig.3.Safeoperatingarea.Tmb=25CC卜&二f(V°s)；Idmsing©pulse;parameter漏源极电压-脉冲漏极电流峰值图3:平安操作区域Fig.4.Transientthermalimpedance,乙打句8二f(t)；parameterD=t"脉宽-瞬态热阻抗图4:瞬态热阻抗文档大全实用标准文案Drain-SourceVoltagerVDS(V)Fig.5.Typicaloutputcharacteristics,7}=25Cb=f(Vos)漏源极电压-漏极电流图5:典型输出特性Drain-SourceOnResistance,RDS(on)(Ohms)Fig.6.Typicalon-stateresistance,刀=25cRqsgw二他漏极电流-图6:典型导通阻抗文档大全

实用标准文案Fig.7.实用标准文案Fig.7.Typicaltransfercharacteristics.Id=f(VGS)00642086420864203222221111120181614121086VDSVDS>IDXRDS(ON)T1=25C二/175(/ ..,II-1//ITransconductance,9fs(S)00 24 6 81012141618202224262830Draincurrent,ID(A)Fig,8.Typicaltransconductance,7}=25C

%二f㈤图8:典型跨导文档大全实用标准文案文档大全Fig.9.Normaliseddrain-sourceon-stateresistance.^DS(On/f^DS(ON)25'C=RTj)图9:漏源极导通阻抗JunctionTemperature,Tj(C)Fig.10.Gatethresholdvoltage.Vgs{ts=f(T)；conditions:Io=1mA;4s=图10：门阀电压实用标准文案文档大全Fig.11.Sub-thresholddraincurrentlD=fC-conditions:7)=25cVDS=\/GS图ii：阈漏极电流Fig.12.Typicalcapacitances,CIS5iC05SfCrssC=f(VDS);conditions:VGS=0V;f=1MHz图12:典型电容值实用标准文案Source-DSource-DrainDiodeCurrentIF(A)00.10.20.30.40.50,60,70.80.911.11.21.31,41.5Source-DrainVoltage,VSOS(V)Fig.13.Typicalreversediodecurrent,lF=f(VSDS);conditions:VGS=0Y;parameterT：08642086420CM.11-Avalanchetime,(ms)Fig.14.M