放大模式下晶体三极管的工作原理

放大模式下晶体三极管的工作原理姓名：学号：系部：计算机系专业：计算机科学与技术指导教师：阅卷老师：完成时间：2012年11月1日论文摘要题目：放大模式下晶体三极管的工作原理摘要：通过研究放大模式下三极管工作时内部载流子的传输过程。以及分析它的电流传输方程，输出特性曲线，输入特性曲线的特点，规律，从而增进对其工作原理的深入理解。关键词：内部载流子传输过程三极管放大模式特性电流传输方程4.输入特性曲线输出特性曲线总结正文：下面从三极管的结构和工作模式等方面做以简单的介绍。先看一下三极管结构,三极管分为两种类型：NPN型和PNP型。这两种类型的三极管的相同点有：1）都是由两个背靠背的PN结组成，且这两个PN结不对称。2）都有三个极：基极，发射机，集电极。区别在于：两种类型的三个极的载流子性质不同。这两种三极管在电路中的符号如图所示，NPN型发射极的箭头向外，PNP型的箭头向内。EOEO0BOBOCCCEOEO0BOBOCCC先看一下三极管结构，三极管分为两种类型：NPN型和PNP型。这两种类型的三极管的相同点有：1）都是由两个背靠背的PN结组成，且这两个PN结不对称。2）都有三个极：基极，发射机，集电极。区别在于：两种类型的三个极的载流子性质不同。这两种三极管在电路中的符号如图所示，NPN型发射极的箭头向外，PNP型的箭头向内。（2）三极管内部结构特点1）发射区高掺杂。2）基区很薄。3）集电结面积大。（3）三极管三种工作模式A放大模式发射结正偏，集电结反偏B饱和模式发射结正偏，集电结正偏。C截至模式发射结反偏，集电结反偏。（4）放大模式下三极管的工作原理内部载流子传输过程NPN型三极管的发射区为N区，其中的多数载流子是电子。NPN三极管的基区为P型，多子为空穴。三极管的放大模式载流子的运动分为三个过程：发射，复合和扩散以及收集三个过程。发射结正偏：保证发射区向基区发射多子发射区掺杂浓度＞＞基区：减少基区向发射区发射的多子，提高发射效率。基区的作用：将发射到基区的多子，自发射结传输到集电结边界。基区很薄：可减少多子传输过程中在基区的复合机会，保证绝大部分载流子扩散到集电结边界集电结反偏：收集扩散到集电结边界的载流子集电结面积大：保证扩散到集电结边界的载流子全部收集到集电区。三极管放大模式特性具有正向受控作用即三极管输出的集电极电流IC，主要受正向发射结电压VBE的控制，而与反向集电结电压VCE近似无关。二NPN二P=NPVV12三极管的三种连接方式-----三种组态二NPN二P=NPVV12三极管的三种连接方式-----三种组态LQ—匕匕OCT(共基极)TB2cb%rc(共发射极)E供集电极)。C(1)直流电流传输系数：直流电流传输方程：(2)共发射极直流电流传输方程；4、输入特性曲线VCE一定：类似二极管伏安特性。VCE增加正向特性曲线略右移由于VCE=VCB+VBE因此当VBE一定时：CB注：VCE>0.3V后，曲线移动可忽略不计。CB输出特性曲线条件：a发射结正偏b集电结反偏特点：a具有正向受控作用b满足ZC=pIB+ICEOc.VCEtT曲线略上翘说明：上翘原因一基区宽度调制效应（VCEtTICt）Vce〃6・结论三极管工作在放大模式下是具有正向受控特性，这一性质应用最为广泛。正向受控作用的条件：1）满足内部结构特点2）必须满足放大模式的外部工作条件文献引自模拟电子技术基础（西安交通大学编著。杨拴科主编）百度文库鸣谢：感谢模拟电子技术基础的张老师在我的学习中给予的巨大帮助，每节课的详细解说