IC封装产品及制程简介

IC封装产品及制程简介

产业概说

电子构装(ElectronicPackaging)，也常被称为封装(Assembly)，是半导体产业中所谓的后段。它的目的在赋予集成电路组件组装的基础架构，使其能进一步与其载体(常是指印刷电路板）结合，以发挥原先设计的功能。构装技术的范围涵盖极广，它应用了物理、化学、材料、机械、电机、微电子等各领域的知识，也使用金属、陶瓷、高分子化合物等各式各样的高科技材料。在微电子产品功能与层次提升的追求中，开发构装技术的重要性不亚于IC制程中其它的微电子相关工程技术，故世界各主要电子工业国莫不戮力研究，以求得技术领先的地位。Contents1.IC封装的目的2.IC封装的形式3.IC封装应用的材料4.IC封装的基本制程与质量管理重点IC封裝的目的

WhyneedtodoICpackaging防止湿气侵入以机械方式支持导线有效的将内部产生的热排出于外部提供持取加工的形体What’s“ICPackage“Package:

把……包成一包ICPackage:

把IC包成一包

IC封裝的形式

PIN

PTHIC

J-TYPELEAD

SOJ、LCC

GULL-WINGLEAD

SOP、QFPBALL

BGABUMPING

F/CFundamentalLeadTypesof

ICPackageICPackageFamilyPTHIC：DIP──SIP、PDIP(CDIP)PGASMDIC:SOIC──SOP(TSOP-I、TSOP-II)、SOJLCC──PLCC/CLCCQFP──14×20/28×28、10×10/14×14(TQFP、MQFP、LQFP)

Others──BGA、TCP、F/C

SomethingaboutICPackageCategoryPTHIC：1960年代代发发表表，，至至今今在在一一些些低低价价的的电电子子组组件件上上仍仍被被广广泛泛应应用用。。DIP────美商商快快捷捷首首先先发发表表CDIP。由由于于成成本本技技术术的的低低廉廉，，很很快快成成为为当当时时主主要要的的封装装形形式式；；随随后后更更衍衍生生出出PDIP、SIP等。。PGA────美商商IBM首先先发发表表，，仅仅应应用用于于早早期期的的高高阶阶IC封装装上上，，其其GridArray的概念念后后来来更更进进一一步步转转换换成成为为BGA的设设计计概概念念。。SMDIC:1970年代代美美商商德德州州仪仪器器首首先先发发表表FlatPackage,是所所有有表表面面黏黏着着组组件件的的滥滥觞觞。。由由于于SMD有太太多多优优于于PTH的地地方方，，各各家家厂厂商商进进一一步步发发展展出出各各具具特特色色的的封封装装。。至至今今，，表表面面黏黏着着仍仍是是先先进进电电子子组组件件封封装装设设计计的的最最佳佳选选择择。。QFP────业界界常常见见的的形形式式以以14××20/28××28/10××10/14××14四种种尺尺寸寸为为主主。。LCC────Chipcarrier，区区分分为为CLCC/PLCC及Leadless/Leaded等形形式式。。SOIC────SmallOutlineIC；区区分分为为SOP(TSOP-I、TSOP-II)、SOJ两种主主流流。。TCP───TapeCarrierPackage;应用于于LCDDriver。其锡锡铅凸凸块的的设计计后来来进一一步应应用在在F/C上。当前最最先进进的封封装技技术：：BGA、F/C(晶圆级级封装装）ICPackageapplicationCategoryofICPackagePopularICpackagetypes:TSOP(ThinSmallOutlinePackage)QFP(QuadFlatPack)BGA(BallGridArray)CSP(ChipScalePackage)CategoryofICPackage--example1PBGAQFPTSOPSOP封裝應應用的的材料料CopperLeadframeEpoxyAdhesiveTopMoldEncapsulateMoldCompoundDiePaddleDieBottomMoldGoldWireTSOPⅠTSOPⅡAlloy42LeadFrameNi42/Fe58TapeDieGoldWireEncapsulateMoldCompoundTopMoldBottomMoldTSOPGrossSectionView封裝原原物料料───金金線與與CompoundBallBond:Shape/PositionHeight:0.93milBallsize:3.04milBallaspectratio:0.30SpecCriteria:2.6mil<Ballsize<5.2milGoldWire與BondingPad的的關係係AfterKOHetchingviewIntermetallicGoldWireFirstBondSectionView封裝原原物料料───LeadFrame與與打打線線的關關係ConventionalstructureSectionalViewICchipInnerLeadwirepaddleSignalN/CSignalSignalPowerPowerPowerPowerpaddleICchipTiebarTiebarSectionalViewSignalSignalSignalSignalBusbarBusbarwireICchipInnerLeadtapeICchiptapeSectionalViewSignalSignalSignalPowerwireICchipInnerLeadICchipSignalPowerPowerpaddleWireBonding與與LeadFrame型態態的演演進Multi-frameLOCstructureTapeLOCstructureProcessFlowChart,Equipment&MaterialPROCESSEQUIPMENTMATERIALDIESAWDISCO651DIEATTACHHITACHICM200(LOC)HITACHILM400(LOC)WIREBONDSKWUTC-300K&S1488/8020/80281.0MILMOLDINGTOWAY-SERIESSHINETSUKMC-260NCAMARKINGGPM/E&RLASERPlatingMECOEPL-2400SSn/Pb85/15FORMING&SINGULATIONHAN-MI203FYAMADACU-951-1LEADSCAN/FVI/PACKRVSILS3900DB/5700WAFERBACKGRINDRINGSIBUYAMA-508SUNRISEJEDEC150DegCFLOWHITACHICHIMICALHM-122UHAN-MI101DEJUNKIC封封裝裝的基基本製製程與與管管制制重點點ConventionalICPackagingProcessFlowIC封封裝基基本製製造程程序:以以TSOP-IITapeLOC為為例1.WaferProcess2.DieAttaching3.WireBonding4.Molding5.MarkingandLeadProcessTSOPProcessFlow&ControlTSOPProcessFlow&Control-Cont.TSOPProcessFlow&Control-Cont.OurReliabilityTestSystemT/C,-55C/125C,5cyclesBaking,125C,24hrsPrepareRequestSheetO/STest,Visual/SATInspectionMoistureSoakLevelI85C/85%RH,168hrsMoistureSoakLevelII85C/60%RH,168hrsMoistureSoakLevelIII30C/60%RH,192hrsIRReflow,220/235C,3XO/STest,Visual/SATInspectionPCTTHHASTHTST/ST/CThisflow/conditio