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文档简介

第三节磁表面存储器4.3.1存储原理与技术指标1.读写原理存储介质：磁层读/写部件：磁头（1）写入在磁头线圈中加入磁化电流（写电流），并使磁层移动，在磁层上形成连续的小段磁化区域（位单元）。演示（2）读出磁头线圈中不加电流，磁层移动。当位单元的转变区经过磁头下方时，在线圈两端产生感应电势。读出信号磁通变化的区域2.技术指标道密度：（1）记录密度（2）存储容量位密度：单位长度内的磁道数。磁道上单位长度内的二进制代码数。非格式化容量：格式化容量：总位数用位密度计算。有效位数用扇区內的数据块长度计算。（3）速度指标平均存取时间带：平均等待时间盘：平均定位、平均旋转时间衡量查找速度ms数据传输率衡量读/写速度b/s、B/s4.3.2磁盘存储器适用于调用较频繁的场合，常作为主存的直接后援。磁盘磁盘控制器磁盘驱动器+接口磁盘适配器盘片、磁头定位系统、传动系统1.组成（1）软盘信息分布与寻址信息1）信息分布盘片：单片，双面记录。磁道：盘片旋转一周，磁头的作用区域。扇区：磁道上长度相同的区段。存放数据块。各道容量相同,各道位密度不同,内圈位密度最高。驱动器号、圆柱面号、磁头号、扇区号（记录号）、交换量。2）寻址信息例：定长记录格式2.记录格式（磁道格式）选择磁盘组选择盘面选择磁道选择起始扇区磁道时间磁道索引脉冲间隔扇区1扇区2扇区n间隔扇区i标志区：标志信息、CRC校验码数据区：标志信息、CRC、数据字段

3.磁盘基本操作寻址操作寻道：磁头径向移动寻找扇区：盘片旋转读/写操作串行读/写DMA方式传送（1）（2）扇区数第四章复习提纲1.半导体存储器逻辑设计(地址分配、片选逻辑、框图)。3.磁盘信息分布、寻址信息、指标(速度、容量)。2.动态刷新(定义、刷新方式)。4.基本概念如：随机存取、顺序存取、直接存取、静态M的存储原理、动态M的存储原理…等。第四章作业设计一半导体存储器，其中ROM区4KB，选用ROM芯片（4K×4位/片）；RAM区3KB，选用RAM芯片（2KB/片和

1K×4位/片）。地址总线A15～A0（低）,双向数据总线D7～D0（低），读

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