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文档简介

纳米晶金属的应变硬化机制

汇报人：虢婷目前很多实验结果都证明NC中有低的应变硬化，有些材料中更是观察到了大的应变硬化现象，这与我们之前的理论认识是矛盾的。

那么，这种现象是怎么形成的呢？一.L-Clock

MD模拟表明NC位错也许会在晶界发射和消失而塞积，从而为小应变硬化提供了依据。

NC中有位错塞积的证据：1.20nm的晶粒中已经观察到位错；2.NC金属在拉伸应力作用下展现出早期颈缩。

是不是传统的拉伸试验使得NC金属难以展现应变硬化？

它会不会发展成更大的应变？

如果存在，在大应变下的应变硬化是不是位错塞积导致的？

在低温下以一种承压方式滚轧电沉积法获得~20nmNCNi。图一图3图一假定位错塞积是应变硬化的主要原因，那是什么引起位错塞积呢?

而Lee等人也通过原位TEM观察发现了纳米晶Ni中L-C位错锁的形成及其与孪生界面相互作用图4L-C位错的形成：

两个领先不全位错的反应

层错的参与再假定L-C位错锁在NCNi的应变硬化中起着关键作用。试验和MD也验证了这一假设。孪生位错的互作用不均匀的晶粒尺寸分布（电沉积法)织构演变（X射线大于0.1的滚轧应变）图5二.晶粒长大大塑性变形经常是在熔点50%以上出现的缓慢应变速率。因此，低温特别是室温下的大塑性变形就比较有吸引力。电沉积法制备厚度~200微米的NCNi（20nm）图二图3方法因素？室温和高应力水平扩散蠕变？小晶粒的晶界活动？三.形变孪生电子束蒸发沉积NCPd单片拉伸试验~25nm，包含连的孪晶界。孪生界面作为共格界面，一方面可以阻碍位错运动，另一方面又能容纳位错的能力。四.其他影响机制堆积层错能晶粒纯净度临界晶粒尺度位错平均自由程谢谢！人有了知识，就会具备各种分析能力，明辨是非的能力。所以我们要勤恳读书，广泛阅读，古人说“书中自有黄金屋。”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识，培养逻辑思维能力；通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平，培养文学情趣；通过阅读报刊，我们

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