标准解读

《GB/T 1553-1997 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法》这一标准相比于之前的《GB 1553-1979》与《GB 5257-1985》，主要在以下几个方面进行了调整和完善：

  1. 标准名称及范围：新标准明确了其适用对象为硅和锗材料中的少数载流子寿命测定，并指定了采用光电导衰减法进行测量，这相比旧标准可能存在的范围描述不明确或测试方法未特别强调的情况，提供了更清晰的指导。

  2. 技术内容更新：《GB/T 1553-1997》根据科技进步和行业实践，对测量原理、仪器设备要求、测试条件、数据处理方法等方面进行了详细规定和优化。例如，可能引入了更精确的测量技术和计算模型，以提高测试结果的准确性和可重复性。

  3. 精度和误差要求：新标准可能对测量精度和允许误差范围进行了重新定义，以反映技术进步带来的测量能力提升，确保测试结果更加可靠，满足更高标准的应用需求。

  4. 试验方法标准化：详细规范了样品制备、测试步骤、环境控制等具体操作流程，提高了实验方法的标准化程度，有助于减少因操作差异导致的测试结果偏差。

  5. 质量控制与校准：增加了对测试设备的校准要求和质量控制措施，确保测试系统的稳定性和可靠性，这是之前标准可能未充分覆盖的领域。

  6. 术语和定义：根据技术发展，对相关专业术语进行了更新和明确界定，便于读者理解和执行标准时的一致性。

  7. 参考文献与国际接轨：新标准可能引用了更多最新的国内外研究成果和国际标准，增强了标准的科学性和国际兼容性。


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  • 被代替
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  • 1997-06-03 颁布
  • 1997-12-01 实施
©正版授权
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文档简介

ICS77.040.01百21中华人民共和国国家标准GB/T1553—1997硅和错体内少数载流子寿命测定光电导衰减法Standardtestmethodsforminoritycarrierlifetimeinbulkgermaniumandsiliconbymeasurementofphotoconductivitydecay1997-06-03发布1997-12-01实施国家技术监督局发布

GB/T1553-1997前本标准等效采用美国试验与材料协会ASTMF28—90《光电导衰减法测量错和硅体内少数载流子寿命的标准测试方法》,结合我国的实际情况，对GB1553—79、GB5257—85进行修订而成的。本标准起草时,删去了F28—90中"有害说明"及"关键词"章节,删减了“意义和用途"中的5.1～5.2条内容，合并了“方法A"和"方法B”。考虐到实际应用的需要，本标准把GB1553—79的附录A《硅单品中少数载流子寿命测定高高频光电导衰减法》非仲裁测量方法作为标准的附录放在附录八中。本标准从1997年12月1日起实施。本标准从生效之日起，同时代替GB1553—79、GB5257-85。本标准的附录A是标准的附录。本标准由中国有色金属工业总公司提出本标准由中国有色金属工业总公司标准计量研究所归口。本标准起草单位：峨嵋半导体材料厂、中国有色金属工业总公司标准计量研究所、本标准主要起草人：吴道荣、刘文魁、尹建华、吴福立。

中华人民共和国国家标准硅和错体内少数载流子寿命测定CB/T1553-1997光电导衰减法-85StandardtestmethodsforminoritycarrierIifetimeinbulkgermaniumandsiliconbymeasurementofphotoconduetivitydecay1范围1.1本标准规定了硅和错单品体内少数载流子寿命的测量方法、本本标准适用于非本征硅和错单品体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量。1.2本标准包括两种测试方法、1.2.1方法A一脉冲光方法，适用于错和硅1.2.2方法B——一折切光方法，仅适用于电阻率不小于1Q·cm的硅试样1.3两种方法都不破坏试样的内在特性，试样可以重复测试，但要求试样具有特殊的条形尺寸（见表1)和研磨的表面，一般不宜作其他用途。1.4本标准可测的最低寿命值取决于光源的余辉，而可测的最高寿命值主要取决于试样尺寸（见表2）表1推荐的三种试样尺寸mm宽度美型长度厚度2.515.02.5AB25.05.0c25.010.010.0表2武样体寿命可测的最大值re材料类型A类型B类型C12632350型硅13001000n型硅38002引用标准下列标准所包含的条文，通过在本标准中引用而构成为本标淮的条文。本标淮出版时，所示版本均为有效。所有标准都会被修订，使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。GB/T1550—1997非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T1551—1995

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