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  • 1995-04-18 颁布
  • 1995-12-01 实施
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GB/T 1551-1995硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法_第1页
GB/T 1551-1995硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法_第2页
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UDC.669.7821.783：621.317-33H21中华人民共和国国家标准GB/T1551-1995硅、错单晶电阻率测定直流两探针法Testmethodforresistivityofsiliconandgermaniumbarsusingatwo-pointprobe1995-04-18发布1995-12-01实施国家技术监督局发布

中华人民共和国国家标准硅、错单晶电阻率测定GB/T1551-1995两：深直针流法TestmethodforresistivityofsiliconGB5253-85andgermaniumbarsusingatwo-pointprobe主题内容与适用范围本标准规定了用直流两探针测量硅和错单品键电阻率的方法、本标准适用于测量截面积均勾的圆形、方形或矩形单品键的电阻率。测量范围：硅单晶为10～～10*Q·cm·错单晶为5×10-～10°Q·cm。试样长度与截面最大尺寸之比应不小于3：1。2引用标准GB1550硅单晶导电类型测定方法GB/T1552硅、错单晶电阻率测定直排四探针法GB5256错单晶导电类型测量方法方法提要让直流电流I通过试样两端，并使A、B两根探针垂直压在试样侧面，测量A、B两根探针间的电位差V，见图1。若试样的横截面积为A，探针间距为S,则试样的电阻率·可用式(1)计算：式中：0--电阻率，0·cmniV两探针间的电位差,V；1--通过试样的直流电流,A；4-试样的截面积,cm²；S--两探针间的探针间距,e

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