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  • 1995-04-18 颁布
  • 1995-12-01 实施
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UDC.669.782：621.193.4H26中华人民共和国国家标准GB/T1554-1995硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法Testmethodforcrystallographicperfectionofsiliconbypreferentialetchtechniques1995-04-18发布1995-12-01实施国家技术监督局发布

（京)新登字023号中华人民共和国国家标准桂品体完整性化学择优腐做检验方法GB/T1554-1995中国标准出版社出版发行北京西城区复兴门外三里河北街16号邮政编码：100045电话：63787337、637874471995年10月第一版2005年1月电子版制作书号：155066·1-11891版权专有侵权必究举报电话：（010）68533533

中华人民共和国国家标准GB/T1554-1995硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法代林GB1554-79TestmethodforcrystallographicperfectionGB4057-83ofsiliconbypreferentiaietchtechniques1主题内容与适用范围本标准规定了用择优腐蚀技术检验硅晶体完整性的方法。本标准通用于品向为(111)或(100)、电阻率为10-～10"n·cm、位错密度在0～10°cm-之间的硅单晶键或硅片中原生缺陷的检验。用标准GB/T4058硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法YS/T2097桂硅材料原生缺陷图谱方法原理试祥经择优腐蚀液腐蚀，在有缺陷的位置被腐蚀成浅坑或丘，在宏观上可能组成一定的图形,在微观上呈现为分立的腐蚀浅坑或丘。用肉眼和金相显微镜进行观察。试剂和材料4.1三氧化铬，化学纯4.2氢氟酸(42%)。4.3！硝酸(p1.48/mL)。4.4乙酸(冰乙酸p1.058/mL)4.5高纯水,电阻率大于10MQ·cm(25℃)。4.6化学腐蚀地光液，采用表1中诸配方之一。表1化学腐蚀抛光液配方硝酸（4.3)氢氟

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