标准解读

《GB/T 12962-1996 硅单晶》与前一版《GB 12962-1991》相比，主要在以下几个方面进行了调整和完善：

  1. 标准性质的调整：从标准编号的变化可以看出，《GB/T 12962-1996》变为了推荐性国家标准（"T"表示推荐性），而《GB 12962-1991》为强制性国家标准，这一变化意味着新版标准为企业提供了更多的执行灵活性。

  2. 技术指标的更新：新版标准对硅单晶的纯度、晶体结构、杂质含量、缺陷密度等关键质量指标进行了修订或新增，以适应半导体技术进步对材料性能提出的更高要求。例如，可能对某些特定杂质元素的浓度限值给出了更严格的规定，或是对晶体的完整性检测方法进行了优化。

  3. 检测方法的改进：随着分析技术和测试手段的发展，《GB/T 12962-1996》引入了更为精确和高效的检测方法，用于评价硅单晶的各项性能指标。这些新方法可能包括更先进的光谱分析技术、电子显微镜观测技术等，旨在提高检测结果的准确性和可靠性。

  4. 规范性附录的增补：为了便于理解和执行，新标准可能增加了详细的规范性附录，提供了具体的测试程序、样品制备方法、数据处理规则等，从而使得标准的实施更加规范化和标准化。

  5. 术语和定义的明确：随着行业的发展，一些专业术语可能有了新的定义或解释，新标准对此进行了整理和明确，有助于统一行业语言，减少理解上的歧义。

  6. 标准适用范围的调整：虽然具体调整内容未直接说明，但根据惯例，新版标准可能会根据市场和技术发展的实际情况，对硅单晶的适用范围进行适当扩展或细化，以更好地指导生产和应用。


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  • 被代替
  • 已被新标准代替，建议下载现行标准GB/T 12962-2005
  • 1996-11-04 颁布
  • 1997-04-01 实施
©正版授权
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ICS29.045H82中华人民共和国国家标准CB/T12962－1996硅单晶Monocrystallinesilicon1996-11-04发布1997-04-01实施国家技术监督局发布

GB/T12962-1996本标准参照国外有关标准，结合我国硅材料的使用情况，对GB12962—91进行修订而成的。。修订时保留了原标准中符合我国实际的内容。修订后的本标准,删去了原标准中直拉硅单品直径为38mm、80mm、90mm规格，增加了直径125mm、150mm规格;对硅单品的旋涡缺陷密度和微缺陷密度指标改为由供需双方商定;对径向电阻率变化指标，增加了距边缘6mm测点(见GB11073的B方案)计算;对区熔硅单晶和中子嬉变掺杂硅单晶的径向电阻率变化指标，改为按GB11073的C方案或B方案测量和计算。中子姬变掺杂硅单晶增加了微区电阻率条纹内容。与本标准配套的标准有：GB/T12964硅单晶抛光片GB/T12965硅单晶切割片和研磨片本标准从1997年4月1日起实施。本标准从生效之日起，代替GB12962-91。本标准由中国有色金属工业总公司提出。本标准由中国有色金属工业总公司标准计量研究所归口。本标准起草单位：峨眉半导体材料厂和中国有色金属工业总公司标准计量研究所.本标准主要起草人：王鸿高、刘文魁、尹建华、吴福立。本标准首次发布日期：1991年6月。

中华人民共和国国家标准晶硅GB/T12962-1996Monocrystallinesilicon代替GB12962-911范园本标准规定了硅单品的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、财存。本标准适用于用直拉法、悬浮区熔法(包括中子嫂变掺杂)制备的硅单品。产品主要供制作半导体元器件使用。2引用标准下列标准所包含的条文，通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。本标准出版时,所示版本均为有效，所有标准都会被修订，使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。GB/T1550硅单晶导电类型测定方法GB/T1551—1995硅、错单晶电阻率测定直流两探针法GB/T1552—1995硅、错单晶电阻率测定直排四探针法GB/T1553硅单晶寿命直流光电导衰退测量方法GB/T1554一1995硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法GB1555—79硅单晶晶向光图测量方法GB1556—79硅单晶晶向X光衍射测量方法GB1557—89硅晶体中间隙氧含量红外吸收测量方法GB1558-83测定硅晶体中代位碳含量的红外吸收方法GB/T4058—1995硅抛光片氧化诱生缺陷检验方法GB/T6617—1995硅片电阻率测定扩展电阻探针法GB11073—89硅片径向电阻率变化的测量方法GB/T12964—1996硅单晶抛光片GB/T14844-93半导体材料牌号表示法3.产品分类3.1分类产品按硅单晶的生产工艺方法分为直拉、悬浮区熔和中子嬉变掺杂(NTD)3种硅单

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