标准解读

《GB/T 30453-2013 硅材料原生缺陷图谱》是中国国家标准之一，该标准主要针对硅材料中可能出现的原生缺陷进行分类和描述，并提供了相应的图谱作为参考。这类缺陷通常是在硅晶体生长过程中形成，包括但不限于位错、空洞、沉淀物等。

在内容上，标准首先定义了硅材料中原生缺陷的相关术语与定义，明确了讨论范围内的具体对象。接着，根据缺陷形态特征及其对硅材料性能影响的不同，将这些原生缺陷进行了详细的分类。例如，按其物理性质可以分为点缺陷（如空位）、线缺陷（如位错）以及面缺陷（如晶界）；按照产生原因又可进一步细分为生长过程中的热应力引起的缺陷、杂质引入导致的缺陷等。

对于每种类型的缺陷，《GB/T 30453-2013》还给出了典型示例图像及说明文字，帮助读者更直观地理解各种缺陷的特点。此外，该标准也介绍了使用电子显微镜、X射线衍射等现代检测技术来识别和分析这些缺陷的方法论指导。


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....

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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2013-12-31 颁布
  • 2014-10-01 实施
©正版授权
GB/T 30453-2013硅材料原生缺陷图谱_第1页
GB/T 30453-2013硅材料原生缺陷图谱_第2页
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文档简介

ICS29045

H80.

中华人民共和国国家标准

GB/T30453—2013

硅材料原生缺陷图谱

Metallographscollectionfororiginaldefectsofcrystallinesilicon

2013-12-31发布2014-10-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T30453—2013

目次

前言

…………………………Ⅲ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

硅多晶结构的不完整性

4…………………1

硅单晶晶体缺陷

5…………………………4

硅片加工缺陷

6……………9

硅外延片缺陷

7…………………………11

附录资料性附录氢致缺陷图

A()………………………76

索引

…………………………79

Ⅰ

GB/T30453—2013

前言

本标准按照制定的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本标准起草单位有研半导体材料股份有限公司东方电气集团峨眉半导体材料有限公司南京国

:、、

盛电子有限公司杭州海纳半导体有限公司万向硅峰电子股份有限公司四川新光硅业科技有限责任

、、、

公司陕西天宏硅材料有限责任公司中国有色金属工业标准计量质量研究所

、、。

本标准主要起草人孙燕曹孜翟富义杨旭谭卫东黄笑容楼春兰王飞尧石宇刘云霞陈赫

:、、、、、、、、、、、

梁洪罗莉萍李咏梅齐步坤李慧向磊

、、、、、。

Ⅲ

GB/T30453—2013

硅材料原生缺陷图谱

1范围

本标准给出了硅多晶硅单晶硅片和硅外延片等硅材料的各种原生缺陷及其密切相关诱生缺陷的

、、

术语及其形貌特征图谱分析了其产生的原因和消除方法

。。

本标准适用于硅多晶硅单晶硅片和硅外延片等硅材料生产研究中各种缺陷的检验硅器件集

、、。、

成电路的生产研究也可参考本标准

。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

GB/T1554

硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法

GB/T4058

半导体材料术语

GB/T14264

3术语和定义

界定的术语和定义适用于本文件

GB/T14264。

4硅多晶结构的不完整性

41晶粒粗大

.

411特征

..

由三氯氢硅或四氯化硅氢还原法和硅烷热分解法生长的硅多晶表面致密

(SiHCl3)(SiCl4)(SiH4),

度和晶粒大小与合格多晶明显有差异见图图

,(1~4)。

412产生原因

..

多晶生长时沉积速率过快温度过高易产生颗粒粗大

,,。

413对单晶制备的影响

..

给单晶制备前多晶料的清洁处理带来困难并成为单晶中杂质的污染源

,。

414消除方法

..

合理控制沉积速率控制进料配比调节气流速度

,,。

42温度圈

.

4

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