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  • 2015-12-10 颁布
  • 2017-01-01 实施
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GB/T 32280-2015硅片翘曲度测试自动非接触扫描法_第1页
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文档简介

ICS77040

H21.

中华人民共和国国家标准

GB/T32280—2015

硅片翘曲度测试

自动非接触扫描法

Testmethodforwarpofsiliconwafers—

Automatednon-contactscanningmethod

2015-12-10发布2017-01-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T32280—2015

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本标准起草单位有研半导体材料有限公司上海合晶硅材料有限公司杭州海纳半导体有限公司

:、、、

浙江金瑞泓科技股份有限公司浙江省硅材料质量检验中心东莞市华源光电科技有限公司

、、。

本标准主要起草人孙燕何宇徐新华王飞尧张海英楼春兰向兴龙

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T32280—2015

硅片翘曲度测试

自动非接触扫描法

1范围

本标准规定了硅片翘曲度的非破坏性自动非接触扫描测试方法

、。

本标准适用于直径不小于厚度不小于的洁净干燥的切割研磨腐蚀抛光刻

50mm,100μm、、、、、

蚀外延或其他表面状态硅片的翘曲度测试本方法可用于监控因热效应和或机械效应引起的硅片

、。()

翘曲也可用于砷化镓蓝宝石等其他半导体晶片的翘曲度测试

,、。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

硅片翘曲度非接触式测试方法

GB/T6620

半导体材料术语

GB/T14264

硅片平整度厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法

GB/T29507、

洁净厂房设计规范

GB50073—2013

3术语和定义

界定的以及下列术语和定义适用于本文件

GB/T14264。

31

.

典型片representativewafer

利用翻转的方法进行重力校正的代表性晶片典型片应与被测晶片具有完全相同的标称直径标

。、

称厚度基准结构和结晶取向

、。

4方法提要

将被测晶片放置在平坦洁净的小吸盘上吸盘带动晶片沿规定的图形在两个相对的探头之间运

、,

动两个探头同时对晶片的上下表面进行扫描获得一组晶片上下表面分别到最近的探头间的距离数

,,

据对应扫描的每一点得到一对X和Y坐标都相同的距离数值成对的位移数值用于构造一个中位

。,;

面而在中位面上的重力效应的校正是通过从一个典型片测量值或理论值减去一个重力校正值得到

,,

的也可以通过翻转晶片重复扫描进行校正从合适的中位面构造一个最小二乘法基准面计算每对测

,。,

量点上的基准面偏离翘曲度即为最大的正数和最小的负数间的代数差

(RPD)。(RPD)(RPD)。

注晶片的翘曲可能是由于晶片的上下表面不相同的应力造成的所以它不可能通过测量其中一个面确定中位

:,。

面包含了向上向下或两者都有的曲度在某些情况下中位面是平的因此翘曲度为零或正数值

、,,,,。

5干扰因素

51

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