标准解读
GB/T 32651-2016标准详细规定了使用高质量分辨率辉光放电质谱法(GDMS)对太阳能级硅中痕量元素进行测量的方法。该标准适用于太阳能级硅材料,特别是那些需要高精度分析以确定其中存在的微量杂质元素的情况。通过这种方法,可以检测到包括但不限于锂、钠、镁、铝等在内的多种元素。
标准首先介绍了采用的测试方法的基本原理:辉光放电质谱法是一种将样品放置于高压放电环境中,利用产生的离子束进入质谱仪进行质量分离并检测的技术。此技术具有极高的灵敏度和精确度,特别适合用于半导体材料如太阳能级硅中的超痕量元素分析。
接着,文件明确了实验所需的主要仪器设备及其性能要求,比如辉光放电质谱仪必须具备足够的质量分辨率来区分不同同位素或相邻质量数的干扰峰;还应配备有适当的进样系统以保证样品能够被均匀地引入到放电源中而不受污染。
此外,GB/T 32651-2016也提供了详细的样品制备指导,强调了如何正确处理及准备待测样品的重要性,确保其表面清洁且无外来污染物影响最终结果准确性。对于不同类型或状态(例如块状、粉末)的样品,给出了具体的处理步骤。
在分析过程中,标准指出了关键的操作参数设置建议,比如放电条件的选择、扫描模式以及数据采集方式等,并且讨论了可能遇到的问题及其解决办法。同时,为了验证所获得数据的有效性和可靠性,还提出了质量控制措施,包括但不限于使用已知浓度的标准物质进行校准、实施空白试验以及重复性检验等手段。
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....
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- 现行
- 正在执行有效
- 2016-04-25 颁布
- 2016-11-01 实施
文档简介
ICS29045
H82.
中华人民共和国国家标准
GB/T32651—2016
采用高质量分辨率辉光放电
质谱法测量太阳能级硅中
痕量元素的测试方法
Testmethodformeasuringtraceelementsinphotovoltaic-grade
siliconbyhigh-massresolutionglowdischargemassspectrometry
2016-04-25发布2016-11-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布
中国国家标准化管理委员会
GB/T32651—2016
前言
本标准按照给出的规则起草
GB/T1.1—2009。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任
。。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会归口
(SAC/TC203)。
本标准主要起草单位国家太阳能光伏产品质量监督检验中心无锡市产品质量监督检验中心江
:()、
苏中能硅业科技发展有限公司国家硅材料深加工产品质量监督检验中心江西赛维太阳能高科
、、LDK
技有限公司中国电子技术标准化研究院
、。
本标准主要起草人何莉吴建国王琴周滢刘晓霞鲁文锋陈进封丽娟李建德黄雪雯
:、、、、、、、、、、
孙绍武冯亚彬裴会川
、、。
Ⅰ
GB/T32651—2016
采用高质量分辨率辉光放电
质谱法测量太阳能级硅中
痕量元素的测试方法
1范围
本标准规定了采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的方法
。
本标准适用于太阳能级硅材料中痕量元素的测定其中铁铬镍铜锌
,(Fe)、(Cr)、(Ni)、(Cu)、(Zn)、
硼磷钙钠镁铝砷钪钛钒锰钴镓
(B)、(P)、(Ca)、(Na)、(Mg)、(Al)、(As)、(Sc)、(Ti)、(V)、(Mn)、(Co)、
等元素的测定范围为本方法适用于分析多种物理形态的以及添加任何种类
(Ga)5μg/kg~50mg/kg。
和浓度掺杂剂的硅材料例如多晶硅粉末颗粒块锭片和单晶硅棒块片等
,、、、、、、。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件
。,()。
氩
GB/T4842
分析实验室用水规格和试验方法
GB/T6682—2008
3术语和定义
下列术语和定义适用于本文件
。
31
.
高质量分辨率highmassresolution
大于的质量分辨率
3500。
32
.
光伏硅原料或太阳能级硅PVSifeedstockorsolargradesilicon
特性满足生产晶体硅太阳能电池要求的硅固体材料
。
33
.
标准样品referencematerial
具有一种或多种足够均匀且稳定规定特性的材料已被确定其符合测量过程的预期用途
,。
34
.
试样specimen
从标准样品或测试样品上切割下来的
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