标准解读

《GB/T 34900-2017 微机电系统(MEMS)技术 基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法》是一项国家标准，主要针对使用光学干涉技术来测量MEMS（微机电系统）中微结构的残余应变。该标准提供了详细的方法和技术指南，旨在确保测量结果的一致性和准确性。

标准首先定义了术语和定义部分，明确了与MEMS微结构残余应变测量相关的专业术语及其含义。接着，在原理章节里介绍了基于光学干涉法进行测量的基本理论依据，包括但不限于白光干涉、激光干涉等技术的工作机制。

在设备要求方面，《GB/T 34900-2017》规定了实施此类测量所需仪器的具体规格与性能指标，如光源类型、探测器灵敏度以及数据处理软件的功能要求等。此外，还对环境条件进行了限定，比如温度控制精度、振动隔离等级等，以保证测试过程中外界因素对结果影响最小化。

对于样品准备，《GB/T 34900-2017》给出了详细的指导步骤，包括清洗、固定方式及表面状态调整等，这些都是为了确保待测MEMS器件处于最佳状态以便准确获取其内部应力分布情况。

测量程序部分则详述了从初步设置到最终数据分析的整个流程，涵盖了参数设定、图像采集、信号处理等多个环节，并且特别强调了重复性和再现性的考量，通过多次独立实验验证结果的有效性。


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....

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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2017-11-01 颁布
  • 2018-05-01 实施
©正版授权
GB/T 34900-2017微机电系统(MEMS)技术基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法_第1页
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文档简介

ICS31200

L55.

中华人民共和国国家标准

GB/T34900—2017

微机电系统MEMS技术

()

基于光学干涉的MEMS微结构

残余应变测量方法

Micro-electromechanicalsystemtechnology—

MeasuringmethodforresidualstrainmeasurementsofMEMSmicrostructures

usinganopticalinterferometer

2017-11-01发布2018-05-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T34900—2017

目次

前言

…………………………Ⅲ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

测量方法

4…………………1

影响测量不确定度的主要因素

5…………6

附录资料性附录光学干涉显微镜的典型形式和主要技术特点

A()…………………7

附录规范性附录拟合表面轮廓线余弦函数和计算变形量

B()………9

Ⅰ

GB/T34900—2017

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准由全国微机电技术标准化技术委员会提出并归口

(SAC/TC336)。

本标准主要起草单位天津大学中机生产力促进中心国家仪器仪表元器件质量监督检验中心南

:、、、

京理工大学中国电子科技集团公司第十三研究所

、。

本标准主要起草人郭彤胡晓东李海斌于振毅裘安萍程红兵崔波朱悦

:、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T34900—2017

微机电系统MEMS技术

()

基于光学干涉的MEMS微结构

残余应变测量方法

1范围

本标准规定了基于光学干涉显微镜获取的微双端固支梁结构表面形貌进行残余应变测量的方法

。

本标准适用于表面反射率不低于且使用光学干涉显微镜能够获取表面形貌的微双端固支梁

4%

结构

。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

产品几何技术规范表面结构轮廓法术语定义及表面结构参数

GB/T3505(GPS)、

微机电系统技术术语

GB/T26111(MEMS)

微机电系统技术微几何量评定总则

GB/T26113(MEMS)

微机电系统技术基于光学干涉的微结构面内长度测量

GB/T34893—2017(MEMS)MEMS

方法

3术语和定义

和界定的以及下列术语和定义适用于本文件

GB/T3505、GB/T26111GB/T34893—2017。

31

.

残余应变residualstrain

存在于材料结构内部因塑性变形不均匀温度分布不均匀相变而形成的并保持平衡的内应变

、、、。

4测量方法

41总则

.

411微双端固支梁由于工艺引入的残余应力导致梁结构发生弯曲变形通过弯曲变形的测量

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