标准解读

《GB/T 8760-1988 砷化镓单晶位错密度的测量方法》是一项国家标准，专门针对砷化镓单晶材料中的位错密度进行测定。该标准详细规定了使用腐蚀坑法来测量砷化镓单晶样品表面位错密度的具体步骤和技术要求。

首先，标准介绍了适用范围，指出其适用于直径不大于50mm的砷化镓单晶圆片或棒材的位错密度检测。接着，定义了关键术语如“位错”、“位错密度”，以及用于描述测试结果的相关单位和符号。

在准备阶段，标准明确了样品制备的要求，包括尺寸、形状及表面处理等细节。为了确保测试准确性，还特别强调了样品清洗的重要性，并给出了推荐的清洗流程。

随后，标准详述了腐蚀液的选择与配制方法。根据不同的实验条件和个人偏好，可以选择多种类型的腐蚀剂，但无论哪种，都必须严格按照给定的比例精确配比，并注意安全防护措施。

接下来是核心部分——腐蚀过程的操作指南。这一步骤中，温度控制、时间设定等因素都被严格限定，以保证每次实验条件下的一致性。此外，还提供了如何观察并记录腐蚀后形成坑点的方法。

最后，在数据分析章节里，标准说明了如何通过统计一定区域内腐蚀坑的数量来计算出样品的平均位错密度值，并给出了相应的公式。同时，也指出了误差来源及减少误差的方法。

整个文件通过对每一步骤的细致描述，为从事相关研究或生产的人员提供了一个科学、规范的操作框架，有助于提高测量结果的可靠性和可比性。


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  • 已被新标准代替，建议下载现行标准GB/T 8760-2006
  • 1988-02-25 颁布
  • 1989-02-01 实施
©正版授权
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UDC661.868.1.46：620.18H24中华人民共和国国家标准GB8760—88砷化镖单晶位错密度的测量方法GalliumarsenidesinglecrystalDeterminationofdislocationdensity1988-02-25发布1989-02-01实施家标准局国发布

中华人民共和国国家标准UDC661.868.1.46：620.18砷化镖单晶位错密度的测量方法GB8760—88Galliumarsenidesinglecrystal-Determinationofdislocationdensity本标准适用于位错密度为0～100000个/cm的砷化镖单晶的位错密度的测量。检测面为1111)和100}面。1定义1.1位错单品体中部分原子受应力作用产生滑移，已滑移部分与未滑移部分的分界线称为位错线，简称位1.2位错密度单位体积内位错线的总长度称为位错密度（cm/cm'）。本标准位错密度指在单位表面积内形成位错腐蚀坑的个数（个/cm'）。2方法原理采用择优化学腐蚀技术显示位错。晶体中位错线周围的品格发生畸变，在晶体表面上的露头处，对某些化学腐蚀剂优先受到腐蚀。因此在品体的某一品面上缺陷露头处容易形成由某些低指数面组成带棱角的具有特定形状的腐蚀坑或小丘。化学试剂3.1硫酸（H.SO.）.95%~98%，3.2过氧化氧（H,O,）,30%。3.3氢氧化钾(KOH).78.2%，一级纯。3.4去离子水。试样制备4.1定向切割从单品键的待测部分经定向后，切取厚度大于0.5mm的单品片，品向偏离要求小于8°。4.2研磨用302°金刚砂水浆研磨，使表面平整。清洗后，再用306*金刚砂水浆研磨，使表面光洁无划痕，清洗·吹干。4.3位错腐蚀坑显示4.3.1化学抛光用新配制的H.SO，，：H.O，：H.O－3：1：1（体积比)抛光液，将试样表面抛光成无损伤的镜面。4.3.2位错腐蚀将氢氧化钾放在铂或银塔场内加热，待熔化并没清后，温度保持在400±

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