计算机导论 411-存储器-计算机辅助电路课件_第1页
计算机导论 411-存储器-计算机辅助电路课件_第2页
计算机导论 411-存储器-计算机辅助电路课件_第3页
计算机导论 411-存储器-计算机辅助电路课件_第4页
计算机导论 411-存储器-计算机辅助电路课件_第5页
已阅读5页,还剩85页未读 继续免费阅读

下载本文档

版权说明:本文档由用户提供并上传,收益归属内容提供方,若内容存在侵权,请进行举报或认领

文档简介

4.11存储器新编电类专业计算机基础4.11.1只读存储器ROM4.11.3随机访问存储器4.11.4数据的存与取目录4.11.2ROM128存储器实验4.11.5数据输入与显示电路

4.11.7地址输入电路4.11.8SRAM实验目录4.11.6数据与地址输入控制电路存储器分类

按存储介质分类

磁表面存储器硬磁盘软磁盘磁带光盘存储器CDDVD半导体存储器只读存储器ROM随机存取存储器RAM随机存取存储器RAM(RandomAccessMemory)正常工作:RAM能读能写断电后:RAM中数据全部丢失只读存储器ROM(

Read-OnlyMemory)正常工作:ROM只读断电后:数据可长久保存半导体存储器只读存储器ROM(

Read-OnlyMemory)正常工作:ROM只读断电后:数据可长久保存随机存取存储器RAM(RandomAccessMemory)正常工作:RAM能读能写断电后:RAM中数据全部丢失数据

数据总线

半导体存储器组成1、地址译码器2、存储器阵列3、I/O控制电路地址输入

字选通信号

控制信号输入

地址译码器

I/O控制电路

存储阵列

M列N行存储器基本结构地址译码器作用地址译码器的作用就是将输入的二进制地址编码译成相应的字选通信号,从存储矩阵中选出指定的字输入输出。1001101011001111001100001110011100101001101001100011100110110010010010111000100101101011M列N行地址输入

字选通信号

0x01

0x02

0x03

0x04

0x05

0x06

0x07

0x08

0x09

0x0A

0x0B

地址(0100)B

二进制地址位数n与存储矩阵中字的个数N满足关系式N=2n。地址0x04被选中4位二进制地址译码器

I/O控制电路作用N行数据数据总线地址输入字选通信号控制信号输入地址译码器

存储阵列

M列存储器基本结构I/O控制电路

通常都包含三态缓冲器,以便与计算机系统的数据总线连接。数据总线EN1A1A2AnENnEN2三态门缓冲器当存储器中有数据输出时,三态缓冲器打开,有足够能力驱动数据总线。没有数据输出时,输出高阻态,以免影响数据总线。I/O控制电路

01011014.11.1只读存储器ROM4.11.3随机访问存储器4.11.4数据的存与取目录4.11.2ROM128存储器实验+5VOED7D6D5D4D3D2D1D0Y0Y1Y2Y3Y4Y5Y6Y7A0A1A23-8线译码器ROM结构位线字线存储单元由字线与位线交叉处二极管构成。存储阵列地址输入三态输出控制电路数据输出存储阵列为8×8矩阵,即有8个字,每个字长为8位。地址译码器的二进制地址输入为3位A0、A1、A2,8个字选通输出Y0~Y7。8个字,至少需3位二进制地址输入。8位123456788个字ROM读操作10001111111+5VOED7D6D5D4D3D2D1D0Y0Y1Y2Y3Y4Y5Y6Y7A0A1A23-8线译码器位线字线存储阵列地址输入三态输出控制电路数据输出Y0、Y2~Y7输出高电平,与其相连接二极管均不导通,对输出无影响。Y1输出低电平,与其相连二极管均导通,相应位线变为低电平,未与Y1跨接二极管位线保持高电平。0100101010110101使能字线与位线交叉处相当于一个存储单元,此处若跨接二极管相当于存储一个1,否则存储0。存储器容量存储阵列N行M列存储器容量=字数×字长,即M×N。单位:K、M、G。1K=210=1024bit(位)1M=220=1024K1G=230=1024M如:M×N=8×8=64bit(位)ROM128存储器原理图1、2片74HC138译码器级联成4-16线译码器2、2片74HC125构建成可以存放16个字节的ROM128存储器

3、128个IN4148二极管

等效为ROM128存储器工作原理通过短路片将矩阵电路中的二极管连接时,则字线与位线交叉处相当于一个存储单元1、短路环连接,存储0;2、短路环断开,存储1。ROM128存储器工作原理00000111111111111111与Y0相连的所有二极管导通,相应的位线变为低电平,未与Y0跨接二极管的位线保持高电平。假设仅短路Y0与D0交叉处二极管假设仅在Y0与D0交叉处连接二极管,若输出使能控制信号OE=0,则输出11111110B。多输入输出组合逻辑电路实验实验步骤1、连线;2、对ROM128编程,示例详见表4.23;插上短路器连接二极管相当于存储一个0,否则存储1多输入输出组合逻辑电路实验实验步骤1、连线;2、对ROM128编程,示例详见表4.23;3、拨动开关KA0~KA3,通过LED的显示状态找到对应的关系。例:拨动KA0~KA3使A3~A0输入1101,根据ROM128中存储的数据,LED显示状态如图中所示。101110110000LED流水灯实验清零按键步进按键快速按键实验步骤1、连线;2、对ROM128编程,参照表4.24;3、按键S7、S8、S9,分别实现清零、LED流水灯步进和快速显示。注意,使用按键S9时,可通过JP23调整LED流水灯的速度。随机存取存储器分类静态RAM(SRAM)存储单元由锁存器(或触发器)构成,有2个稳定状态来存储1位二值信息,只要不断电所存储的数据就可以长期保存,因此也称它为静态的。动态RAM(DRAM)存储单元是靠内部寄生电容充放电来记忆信息,电容充有电荷为逻辑1,不充电为逻辑0,而电容是会漏电的,因此需要外部电路进行刷新操作才能确保数据不丢失,因此称它为动态的。特点:SRAM基本结构存储阵列地址译码器I/O控制电路++A0A1An-1CEWEOEI/O0I/Om-11、地址译码器2、存储器阵列3、I/O控制电路SRAM结构框图属于时序逻辑电路可读可写存储单元是由锁存器(或触发器)构成SRAM结构框图SRAM基本结构存储阵列地址译码器I/O控制电路++A0A1An-1CEWEOEI/O0I/Om-1n位二进制地址线m位双向数据线

总容量:2n×m片选信号写使能信号输入输出使能信号输入=0时,RAM才能进行正常的读写操作,否则三态缓冲器均为高阻,SRAM不工作,功耗极低。CE4.11.1只读存储器ROM4.11.3随机访问存储器4.11.4数据的存与取目录4.11.2ROM128存储器实验IS62C256AL随机存储器简介

没有数据就没有计算机,所以数据的存放和读取是计算机操作的关键。256Kbit(比特)容量8条:D0~D7数据线中文名称:集成芯片解决方案公司英文全称:IntegratedSiliconSolution,Inc15条:A0~A14地址线CE、OE、WE控制线数据的存放为了便于更好地理解存储器的工作方式,我们可将存储器设想成一个有许多相同房间的大楼,每个房间存放的都是数据。房间是如何存放数据的?一条数据线事实上,存储器的数据是通过数据线上的2种电平状态来实现的,即0(低电平)和1(高电平),除此以外的状态对电路来说都是没有任何意义。0数据线1单个房间M个存储单元

(字长)多条数据线单个房间要存放大于1以上的数字时,只需要增加数据线的数目就可以。数据线01000111如:8条数据线,就能表示28即256种不同状态,也就是说一个“房间”(字长)一次只能放进或取出0~255中的任何一个数据。0~255“房间”地址码2#3#4#5#6#7#8#1#每个“房间”都有编号,也就是说每个房间都有它的地址,以方便寻找。那么,为了了能够准确地找到存放或取出数据的不同“房间”即字,则需要先给每个“房间”编排一个可以按照一定规律方便找到的地址码,也就是地址线的作用。一条地址线2#3#4#5#6#7#8#1#地址线01同样,一条地址线只有两种状态0和1,也就只能区分2个房间。因此要增加可寻房间数量,也要通过增加地址线数目来实现。多条地址线2#3#4#5#6#7#8#1#地址线01同样,一条地址线只有两种状态,也就只能区分2个房间。因此要增加可寻房间数量,也要通过增加地址线数目来实现。23,可寻8个房间结论分析2#3#4#5#6#7#8#1#数据线个数决定了每个“房间”能够存放数字大小范围,如8条数据线,就决定此“房间”能存放数据为28=256,即0~255数字中任何一个。地址线个数决定了可寻“房间”数量,如3条地址线,就决定可寻房间个数为23=8个。IS62C256AL存储器读写原理图10987654325242123226120A0A1A2A3A4A5A6A7A8A9A10A11A12A13A1412131516171819D0D1D2D3D4D5D6D711WEOECE27225V5V5VIS62C256ALKA0KA1KA14KD0KD1KD7C10104C10104S9WRS8RD8条数据线:每个存储“房间”有8个存储单元,即字长。15条地址线:可寻找215个地址数,即可编排32768个数据存储“房间”地址。存储容量8×32768=256×1024即256Kb=32KB在计算机中,“b”表示bit,即位;“B”表示Byte,字节,即8bit(位)

IS62C256AL存储器读写原理图10987654325242123226120A0A1A2A3A4A5A6A7A8A9A10A11A12A13A1412131516171819D0D1D2D3D4D5D6D711WEOECE27225V5V5VIS62C256ALKA0KA1KA14KD0KD1KD7C10104C10104S9WRS8RDKA0~KA14为地址输入开关,闭合时,对应地址线上输入为逻辑1,断开时则为0,这15个开关的闭合或断开状态决定了存储器的操作地址。KD0~KD7为数据开关,其闭合或断开的状态决定了操作存储的数据。5VKA14IS62C256AL存储器读写原理图当按下WR键时,将由数据开关KD0~KD7所产生的数据写入由地址开关KA0~KA14所产生的地址存储“房间”。当按下RD键时,将由地址开关KA0~KA14所确定的地址存储“房间”的电平数据反应在存储器D0~D7数据线上。10987654325242123226120A0A1A2A3A4A5A6A7A8A9A10A11A12A13A1412131516171819D0D1D2D3D4D5D6D711WEOECE27225V5V5VIS62C256ALKA0KA1KA14KD0KD1KD7C10104C10104S9WRS8RD在RD键按下时,数据开关KD0-KD7必须全部断开。

CE片选,为1时,禁止器件工作,反之则选中该器 件。4.11.5数据输入与显示电路

4.11.7地址输入电路4.11.8SRAM实验目录4.11.6数据与地址输入控制电路数据读写控制10987654325242123226120A0A1A2A3A4A5A6A7A8A9A10A11A12A13A1412131516171819D0D1D2D3D4D5D6D711WEOECE27225V5V5VIS62C256ALKA0KA1KA14KD0KD1KD7C10104C10104S9WRS8RD存储器读写原理图111当WR键按下时,由数据开关KD0~KD7产生数据。数据输入(写数据)000101当RD键按下时,数据开关KD0~KD7必须断开。数据输出(读数据)在数据输出时怎么样保证KD0~KD7完全断开,避免总线冲突。数据输入电路可控电子开关显示存储器数据总线上当前数据状态手动数据输入开关存储器数据线写使能(EN=0)写使能有效时,同步打开74HC125,KD0~KD7接入总线,数据被写入到存储器相应的地址中。11111111111111111111111100000000数据输入电路读使能(EN=1)写使能有效时,同步打开74HC125,KD0~KD7接入总线,数据被写入到存储器相应的地址中。当数据输入完成,读使能,同步关闭74HC125,此时不管KDi开关输入为高电平或低电平,则输出均为高阻态,从而保证手动数据输入KD0~KD7及时退出总线控制。1111111111111111000000004.11.5数据输入与显示电路

4.11.7地址输入电路4.11.8SRAM实验目录4.11.6数据与地址输入控制电路数据输入电路如何灵活控制使能信号线,以保证总线不发生读写冲突EN三态缓冲隔离器,EN为读写使能信号线5VR4710KR4810KS1READS1WRITE74HC0074HC00(74HC125)END25写状态指示R45470数据与地址输入控制电路的作用基本RS触发器当数据输入完成后,只要按下S1(READ)“读使能”键,即可禁止74HC125三态门工作,从而保证手动输入电路及时退出总线控制,将存储器的操作交给其它控制电路。01110隔离切换开关三态门打开01隔离切换开关三态门禁止110当需要手动输入数据时,只要按下S2(WRITE)“写使能”键,即可打开74HC125三态门让出全部总线,供手动电路进行数据输入操作;结论控制电路的主要功能就是区分2套电路(输入/输出电路)的有效状态,通过一个基本RS触发器电路避免总线的读写冲突。4.11.5数据输入与显示电路

4.11.7地址输入电路4.11.8SRAM实验目录4.11.6数据与地址输入控制电路地址线数目确定存储阵列M列N行0x01

0x02

0x03

0x04

0x05

0x06

0x07

0x08

0x09

0x0A

0x0B

地址11个地址空间,至少需要4根地址线才能满足其全部寻址空间24=16,寻址范围为0~15>11,满足11个地址空间要求。为什么要地址产生电路地址产生电路存储阵列M列N行0x01

0x02

0x03

0x04

0x05

0x06

0x07

0x08

0x09

0x0A

0x0B

地址地址产生源对于一颗CPU芯片或者计算机系统来说,它都有一个最大寻址空间的指标,但最大寻址空间并不等于必须的寻址空间,计算机使用多少寻址空间是由计算机的程序指令决定的,所以对计算机的程序实验来讲,只要满足其具体实验要求的寻址空间就足够了,所以8位计数器对其相关电路的实验已经完全够用了,选择计数器做地址数据的产生是因为计算机对存储器的操作也是以计数器的方式进行的。计数器产生地址信息地址输入电路地址码输出地址信息显示地址产生4.11.5数据输入与显示电路

4.11.7地址输入电路4.11.8SRAM实验目录4.11.6数据与地址输入控制电路SRAM实验电路各部分组成ENSRAM实验电路组成数据输入电路地址输入电路控制电路SRAM读写电路A0~A7D0~D7SRAM实验过程1向SRAM写入数据:参照“程序清单4.1”将8位二进制数据写入存储器中2从SRAM读出数据:将二进制数据从存储器I读出,并在数据显示器上显示SRAM实验流程简图接通电源按下S2,LED2点亮地址开关全拨为0,ADDR全灭数据开关全拨为0,DATA全灭按下S11,将数据写入对应地址重复上面三个步骤,拨号其它地址和数据向SRAM写入数据从SRAM读出数据按下S1,LED2熄灭将地址开关全拨为0按下S10键在DATA显示器上读到先前输入的数据重复上面三个步骤,校验其它地址对应的数据4.12计算机系统辅助电路新编电类专业计算机基础4.12.1键盘消抖4.12.3振荡电路4.12.2复位电路目录计算机信息输入方式人是通过人机界面向计算机发出指令,而人工输入则是计算机人机界面的重要组成部分。01100010101001010100触摸摄像声音按键按键输入

按键是最常用、最便捷的一种计算机信息输入的方式。键盘(a)单触点按键12(b)双触点按键132按键抖动?抖动产生原因K单触点按键的无消抖电路+EYR110K“0”“1”理想效果+E0V未按下时为高电平刚释放时出现抖动刚按下时出现抖动按下稳定后为低电平实际效果由于按键本身的机械特性和人手指的不稳定性等综合因素,致使按键刚按下的瞬间产生了抖动。窄脉冲干扰刚释放时出现抖动多个窄脉冲干扰:宽度一般可达毫秒,若加在相对高速的数字电路中将会产生很大的影响,比如若将这个电路作为计数器的手动CP脉冲输入,则按一次键会产生无法预计的多个计数。输入输出V1V2EY0B关系曲线当B由0->V2时,输出Y变为低当B由V2->V1时,输出Y变为高

回差电压:V2-V1特点:抗干扰能力很强,常用于波形整形、变换……施密特反相器工作原理输入电路符号输出常见消抖方法阻容消抖1RS触发器消抖2延时消抖3Y最终输出刚释放时出现抖动刚按下时出现抖动+EKR110K阻容消抖-解决方法(1)单触点按键的无消抖电路阻容消抖电路YC

0.1μFR2

100施密特反相器+E0VA:++++----AB整形前阻容消抖输出整形后阻容消抖输出输出抖动波形B:V2V1B:Y:按键断开:电容充满电,A、B输出“1”,Y输出“0”按键按下:

A点为0V,C通过R2对地放电,B点电位缓慢下降,若出现抖动时,B点也不会立刻上升为+E,而是缓慢上升。此时放电时间>充电时间按键释放:

A、B点电位上升,C又开始充电且充电时间>放电时间。若出现抖动时,B点也不会立刻下降到0V,而是缓慢上升到+E++++----1、2端接触抖动

t1-t2时间内,K被按下且在

端出现抖动,始终为1,则输出Q保持不变。SdRdt3-t6时间内,无论端如何抖动、为低、为高,使终为1,输出Q保持低电平不变。RdSdt6时刻,K与端3分离且刚与端2接触,此时,则输出Q立即翻转为高电平。Sd=0、Rd=1

t2-t3时间内,K与端2彻底分离,但未与端3接触,,输出Q仍保持为高。RdSd==1Rdt3时刻,K与端3刚接触,出现短暂低电平,、,输出Q立即翻转为低电平。Sd=1Rd=0t6之后,从按键K在端2的抖动到持续为低及

,均使输出Q保持高电平。SdRd=10011111101010001111010101*1001*000Qn+1Qn保持保持置0置0置1置1约束约束功能描述SdRdKR110KG1G2QQRdSd+ER210K1230RS触发器消抖-解决方法(2)开关电路RS触发器消抖Sd:Q:Rd:Q:t1t2t3t4t5t6Y输出输出

t1时刻之前,K未按下,1、2接通,

、,则Q=1。Sd=0Rd=10101011、2端释放抖动1、3端接触抖动1、3端释放抖动延时消抖-解决方法(3)单触点按键的无消抖电路+EKR110KY+E0VY:td启动延时停止延时软件消抖:延时td时间后再判断按键是否仍然按下,若仍按下,则本次按键有效;否则本次按键无效。4.12.1键盘消抖4.12.3振荡电路4.12.2复位电路目录复位电路的作用在现代数字及计算机系统中,都存在有触发器电路。G1G2QQRdSd触发器(RS)输入输出状态不定上电输出所以若要使数字设备或计算机正常工作,在上电时必须要使系统中所有触发器的输出处于指定的高或低状态。复位电路的作用能使设备在刚上电时,且电源电压稳定后,自动产生一个具有一定宽度的高或低电平的脉冲信号。复位电路:常见复位电路RC复位电路1集成复位电路2随着电容c充电,Vc不断上升+ER低电平复位原理图C

VccRSTGNDCPUVcRC复位电路-低电平复位电源RC复位Vc不能突变,保持低电平电容两端电压Vc

E

t

低电平复位波形0VrCPU复位电压CPU复位时间Vc上升至电源电压,CPU开始正常工作条件:只要选择合适的R和C,Vc就可以在CPU复位电压以下持续足够时间使CPU复位。总结:相当于在CPU上电时,自动产生一个一定宽度的低电平脉冲信号,使CPU复位。++++----+EVccRSTGNDCPURC复位电路-高电平复位电源RC复位高电平复位波形VRE

t

0VrCPU复位电压CPU复位时间VR降低至0V,CPU则正常工作条件:只要选择合适的R和C,VR就可以在CPU复位电压以上持续足够时间使CPU复位。总结:相当于在CPU上电时,自动产生一个一定宽度的高电平脉冲信号,使CPU复位。C

R低电平复位原理图高电平复位原理图VR+-+-VR==E电源电压电阻两端电压++--电容两端电压成指数规律上升电容两端电压仍然为0,不能突变RC复位电路练习+EVccRSTGNDCPUC

RVCD该复位电路适用于高电平复位还是低电平复位?试述复位原理,画出上电时Vc波形?试述二极管D的作用。当电源电压消失时为电容C提供一个迅速放电的回路,使RESET端迅速回零,以使下次上电时CPU能可靠复位。D处流过电流远大于R处流过电流

经验之谈复位电路在电路设计中非常重要,存储器上电丢失数据。如果CPU的复位电路设计得不合理将会导致CPU严重死机,并且影响与CPU有关的外围器件的稳定性,比如重点提示

RC复位电路Vc

E

t

RC低电平复位波形0CPU复位电压CPU复位时间Vr由于RC复位电路是靠电容充放电实现复位电平的产生,而电容充放电速度较慢,所产生的信号不陡峭。在电源频繁上、下电过程中就有可能产生不正确的复位信号。因此在许多要求较严格的场合就不能使用RC复位电路。信号不陡峭RC复位不足解决方法:集成复位电路集成低电平复位芯片原理图GR1Z计数器振荡器Q+EP+ENR2RST+-A比较器集成复位电路

集成复位电路保证了电源电压E在低于某个阈值VTH以下时,产生正确的复位信号。两个输入P、N,一个输出当VP>VN时,输出高电平稳压管将N端电压稳定在一定值,取得VP、VN的比较参考电压当VP<VN时,输出低电平集成低电平复位芯片原理图GR1Z计数器振荡器Q+EP+ENR2RST+-A集成复位电路

集成复位电路保证了电源电压E在低于某个阈值VTH以下时,产生正确的复位信号。VP=ER2R1R2+VZ=VTHR2R1R2+VN=随E变化而变化通过VZ进行稳压限流电阻,与稳压管配合使用,保证稳压管正常工作稳压管集成低电平复位芯片原理图GR1Z计数器振荡器Q+EP+ENR2RST+-A集成复位电路工作原理

集成复位电路保证了电源电压E在低于某个阈值VTH以下时,产生正确的复位信号。计时复位时间正常工作时,计数器正常计数,计数溢出后,计数器一直输出高电平“1”当E>VTH、VP>VN时刻,比较器输出高电平,并且该高电平触发计数器开始计数当E<VTH、VP<VN时,比较器输出低电平,该低电平使计数器复位输出低电平“0”,此时计数器停止计数集成复位电路-波形分析RST:电源电压:TD+EVTH0Vt1t2t3t4t5集成低电平复位波形集成低电平复位芯片原理图R1Z计数器振荡器Q+EP+ENR2RST+-AG正常工作复位过程正常工作t1时刻之前t1~t5区间t5时刻之后按键按下稳定按下按键释放如此过程怎样理解?集成复位电路-波形分析RST:电源电压:TD+EVTH0Vt1t2t3t4t5集成低电平复位波形集成低电平复位芯片原理图R1Z计数器振荡器Q+EP+ENR2RST+-AG11001100计数器复位1开始计数

正在计数计数溢出

101复位信号结束t1时刻之前为正常工作期间,E>VTH、VP>VN,此时稳压管Z反向导通,与非门G两输入均为高,则复位信号RST=1。t1~t2期间,电源电压缓慢下降,则复位信号也缓慢下降,但相对于电源电压仍等于1。RSTt2时刻,E<VTH、VP<VN,比较器输出低电平,该低电平一方面使G输出高电平,Q饱和,则;另一方面使计数器复位输出为低电平。RST=0t2~t3期间,E<VTH、VP<VN,复位信号仍然保持,计数器输出也仍然为低电平。RST=0t3~t4期间,从t3时刻起,电源电压开始缓慢上升。从t4时刻开始,当计数至140mS以上时,即至波形中的t5时刻E>VTH、

VP>VN,计数器输出高电平,复位信号结束。RST=1概念:从t4~t5的时间被称为复位延迟时间TD。t3~t5期间就是设备上电时该复位电路的工作过程。E上升至t4时刻,E>VTH、VP>VN,比较器输出高电平,但由于计数器输出为低电平,因此门G仍为高,仍为低。RST集成复位电路-结果分析RST:电源电压:TD+EVTH0Vt1t2t3t4t5集成低电平复位波形140mS231CAT809CAT810RESET(RESET)GNDVCC低电平复位高电平复位电源电压上升到阈值电压VTH以上后还要延时至少140mS以上才结束复位,且所得复位信号波形的上升沿非常陡峭。RST4.12.1键盘消抖4.12.3振荡电路4.12.2复位电路目录振荡器概述众所周知,心脏是人体血液循环的动力器官,它好象一台血泵,不停地收缩与舒张,将血液输送到人体的各个器官。计算机的工作原理就是在时钟节拍的作用下,将预先编好的程序一步一步地执行下去,其中时钟信号就来源于振荡器。计算机正常工作如何得到提示反复循环RC振荡器-解决方法(1)

C

G上电ARYRC振荡器电路原理图施密特反相器回差电压:V2-V1输入电压VA输出电压VA01VAV2V1VY0ttRC振荡波形0+-+-+-+-T2T1

这样由于电容C的充放电在输出Y就得到了一个脉冲波,它的频率和周期与R、C及V1、V2有关。经推导它的周期为:

由于电容C的容量误差较大,且温度稳定性较差,因此RC振荡器所产生的信号频率不是很稳定。在数字钟等频率要求十分严格的场合时就不适用了。作用:

晶体振荡器-解决方法2若要得到频率稳定性很高的波形,就要采用由石英晶体谐振器组成的晶体振荡器了。石英晶体谐振器Y简称:晶振它是利用具有压电效应的石英晶体片制成的。石英晶体的选频特性非常好,它有一个极其稳定的串联谐振频率fs,只有频率为fs的信号最容易通过,而其它频率的信号均会被晶体衰减。它的谐振频率fs与晶片的切割方式、几何形状、尺寸等有关。因此可以制成各种频率的石英晶体谐

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等,如果需要附件,请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸,网页内容里面会有图纸预览,若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑,并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容,请与我们联系,我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

评论

0/150

提交评论