标准解读
《GB/T 41853-2022 半导体器件 微机电器件 晶圆间键合强度测量》这一标准主要针对半导体微机电器件中晶圆与晶圆之间键合强度的测试方法进行了详细规定。它适用于需要评估通过各种技术(如直接键合、金属键合等)实现的不同材料晶圆之间的结合牢固度。
标准首先界定了适用范围,明确了其适用于多种类型的晶圆键合情况,并列举了包括但不限于硅对硅、玻璃对硅等在内的具体应用场景。此外,还定义了一些关键术语和定义,确保行业内对于相关概念的理解一致。
在试验方法部分,《GB/T 41853-2022》提供了详细的指导,包括样品准备、测试设备要求、环境条件控制等方面的具体步骤。例如,在进行拉伸或剪切力测试时,该标准建议使用适当的夹具固定试样,并且强调了在整个过程中保持恒定速度的重要性以获得准确的结果。
对于数据处理及结果表示,本标准也给出了明确指示。它推荐采用统计学方法来分析多次重复实验所得的数据集,从而计算出平均值、标准偏差等指标,并据此评价键合质量的好坏。同时,还提出了如何根据不同的应用需求设定合格标准的指南。
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....
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- 现行
- 正在执行有效
- 2022-10-12 颁布
- 2022-10-12 实施
文档简介
ICS3108099
CCSL5.5.
中华人民共和国国家标准
GB/T41853—2022/IEC62047-92011
:
半导体器件微机电器件
晶圆间键合强度测量
Semiconductordevices—Micro-electromechanicaldevices—
Wafertowaferbondingstrengthmeasurement
IEC62047-92011Semiconductordevices—
(:,
Micro-electromechanicaldevices—Part9Wafer
:
towaferbondinstrenthmeasurementforMEMSIDT
gg,)
2022-10-12发布2022-10-12实施
国家市场监督管理总局发布
国家标准化管理委员会
GB/T41853—2022/IEC62047-92011
:
目次
前言
…………………………Ⅲ
范围
1………………………1
规范性引用文件
2…………………………1
术语和定义
3………………1
测量方法
4…………………1
总则
4.1…………………1
目测法
4.2………………1
拉力测试法
4.3…………………………2
双悬臂梁测试法
4.4……………………4
静电测试法
4.5…………………………6
气泡测试法
4.6…………………………7
三点弯曲测试法
4.7……………………9
芯片剪切测试法
4.8……………………12
附录资料性键合强度示例
A()…………15
附录资料性三点弯曲测试法试样的制作工艺示例
B()………………16
参考文献
……………………17
Ⅰ
GB/T41853—2022/IEC62047-92011
:
前言
本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
本文件等同采用半导体器件微机电器件第部分的晶圆间键合
IEC62047-9:2011《9:MEMS
强度测量
》。
本文件增加了术语和定义一章
“”。
本文件做了下列最小限度的编辑性改动
:
为与现有标准协调将标准名称改为半导体器件微机电器件晶圆间键合强度测量
a),《》;
纳入的修改内容所涉及的条款的外侧页边空白位置用垂直
b)IEC62047-9:2011/COR1:2012,
双线进行了标示
(‖);
纠正了原文的错误第章中和
c)IEC62047-9:2011:2ISO6892-1:2009ASTME399-06e2:
在文中是资料性提及删除和在参考文献中
2008,ISO6892-1:2009ASTME399-06e2:2008;
增加和
ISO6892-1:2009ASTME399-06e2:2008;
纠正了原文的错误图和图中的二维图不能明确标识出试样的宽度
d)IEC62047-9:2011:56,
更正为三维图图增加单位标注单位为毫米
,6“”。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任
。。
本文件由全国微机电技术标准化技术委员会提出并归口
(SAC/TC336)。
本文件起草单位中国电子科技集团公司第十三研究所河北美泰电子科技有限公司中机生产力
:、、
促进中心有限公司华东光电集成器件研究所杭州左蓝微电子技术有限公司深圳市美思先端电子有
、、、
限公司明石创新烟台微纳传感技术研究院有限公司绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
、()、。
本文件主要起草人李倩王伟强顾枫李根梓翟晓飞何凯旋田松杰刘建生崔波武斌汪蔚
:、、、、、、、、、、、
高峰王冲
、。
Ⅲ
GB/T41853—2022/IEC62047-92011
:
半导体器件微机电器件
晶圆间键合强度测量
1范围
本文件规定了晶圆键合后键合强度的测量方法适用于硅硅共熔键合硅玻璃阳极键合等多种晶
,-、-
圆键合方式以及工艺组装流程中相关结构尺寸的键合强度的评估
,MEMS、。
本文件适用于从十微米到几毫米厚的晶圆间的键合强度测量
。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文
。,
件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于
,;,()
本文件
。
半导体器件机械和气候试验方法第部分芯片剪切强度
IEC60749-1919:(Semiconductor
devices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part19:Dieshearstrength)
3术语和定义
本文件没有需要界定的术语和定义
。
4测量方法
41总则
.
键合强度测量方法有目测法拉力测试法双悬臂梁测试法静电测试法气泡气密性测试法三
:、、、、()、
点弯曲形变测试法以及芯片剪切测试法
(),。
42目测法
.
421目测法类型
..
通过观察硅基片和玻璃表面颜色变化只能判别两种材料是否键合在一起的基本信息应采用目
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