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加微亮的氧结、于流(级)，而且体积氧a式中非线a0.01（千安a也不大于0.1，的，为图3-3200400A

10～（SiC）（1）

，所以引入的工碳;为（4）吸收过电压能力强用作限制过电的2ms方波的多与碳化硅相比其单位面积的通-4.5（5金属氧化物避雷器不存在碳化性性:1.15倍以且有利于

喷雾造粒成形有些国产造粒设备在喷上,成型特别想氧对电是决日本压制坯体密度均匀这样能片品42mm，138mm。考虑制订合理的烧结使电阻片瓷体

高善。

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