源资培训课程-vasp流程输入文件

ViennaAb-initioSimulation2

345:6在 版本中，VASP贋势库仅提供投影缀加平面波8 FF

91144CTTTTFFFFTTTTTTTTFFFFTTTTTTTTFFFFTTTT241TTTTTTTTFFFFTTTTTT‘Cartesian’or‘C’or‘c’or‘K’or‘k’forcartesianAutomeshG

K点网格大小k1,k2,k3按晶格参数a,b,c的长度进行合适选取k1*a≈k2*b≈k3*c。,K 点即可（a,b,c均大于 0|1|2|3。决定是否读入 定12: 设置ISTART1,ICHARG11一般都设置ISTART0,ICHARG22.3:IMIXAMIXAMIN,BMIX,AMIX-电子优化需要设置的参数有EDIFF和ENCUT其他参数使用默认。由NELM:允许电子自洽迭代的最大步数。默认值为60。如果超过了40EDIFF:EDIFF是电子自洽收敛标准参数。默认值为1E-4。当连续两::IBRION,ISIFPOTIM,NSW,EDIFFGSMASS,TEBEG,TEEND,POMASS,NBLOCK,KBLOCK,PSTRESS,NSW,POTIM.:－1，否则为0。可赋予值为－1|0|1|2|3|5。IBRION=0表示进行分 IBRION=0时，默认值为0，否则为2。可赋予值为0|1|2|3|4|5|6|7|0是否是否否1是trace是否否2是是是否否3是是是是是4是是是是否5是是否是否6是是否是是7是是否否是POTIM:当IBRION=1,2或3时，是力的一个缩放常数(相当于确定原子EDIFFG:原子迟豫收敛的标准。默认值为EDIFF*10。如果它的值为正2|-1|0。2.计算态密度时能量范围和点数：EMIN,EMAX为:-5|-4|-3|-2|-1|0|N，它决定了如何确定每个波函数的占有数：0:Gaussiansmearing方法（氧化物，半导体 -3:采用一个循环的计算来确定smearing的参数，在每一步中的searming设置通过SMEARINGS=smearing1smearing2取ISMEAR=-54.2&4.3NEDOS:DOSPREC:是控制计算精度最重要的一个参数，它决定了为LowMedium,High,NormalAccurate。它的默认值为Medium(后两个只能在4.5以上版本中才起作用)。Medium。当要提高力和Stresstensor的计算精度时，可以采用High或Accurate，并手动设置ENCUT的值。VOSKOWN:确定交换关联函数的关联部分是否采用LREAL:确定投影算法是否在实空间或倒空间计算。默认值为.FALSE，可设置的值为.FALSE|.TRUE.|On|Auto|5.注意：LDAUL，LDAUU，LDAUJ这三个参数必须对体系中所有原子5. ：确定是否进行杂化计算。取PRECFOCK=3.原子弛豫：IBRION,N ,ISIF,POTIM,NSW,EDIFFG；分子动力学：SMASS,TEBEG,TEEND,PSTRESS4.smearing方法和参数：ISMEAR,SIGMA；计算态密度时能量范围和点数:EMIN,EMAX,NEDOS；计算分波态密度的参数:LORBIT。5.计算精度：PREC；磁性计算：ISPIN,MAGMOM,SYSTEM=CopperISTART=0ICHARG=LREAL=

IBRION=2NSW=100POTIM=

ENCUT=200eVNELM=60EDIFF=1E-04LWAVE=.TRUE.ISMEAR=1SIGMA=

ISTART=1LDA